第九章 晶体结构优秀PPT.ppt
《第九章 晶体结构优秀PPT.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《第九章 晶体结构优秀PPT.ppt(84页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、第九章 晶体结构第一页,本课件共有84页 因负离子较大,正离子较小。故离子化因负离子较大,正离子较小。故离子化合物的结构可以归结为不等径圆球密堆积的合物的结构可以归结为不等径圆球密堆积的几何问题。具体处理时可以按负离子几何问题。具体处理时可以按负离子(大球大球)先进行密堆积,正离子先进行密堆积,正离子(小球小球)填充空隙的过填充空隙的过程来分析讨论离子化合物的堆积结构问题。程来分析讨论离子化合物的堆积结构问题。第二页,本课件共有84页9.4离子晶体的几种典型结构型式离子晶体的几种典型结构型式9.4.1不等径圆球的密堆积不等径圆球的密堆积 负离子可以按前面处理金属单质结构时的负离子可以按前面处理
2、金属单质结构时的A1、A2、A3、A4等型式堆积,正离子填充其相应的空隙。空隙的型式有:等型式堆积,正离子填充其相应的空隙。空隙的型式有:(4)正三角形空隙正三角形空隙(配位数为配位数为3)(1)正方体正方体(立方立方)空隙空隙(配位数为配位数为8)(2)正八面体空隙正八面体空隙(配位数为配位数为6)(3)正四面体空隙正四面体空隙(配位数为配位数为4)第三页,本课件共有84页(1)正方体(立方)空隙(配位数为正方体(立方)空隙(配位数为8)小球在此空隙中既不滚动也不撑开时,r+/r-比值为:体对角线=2r+2r-立方体棱长=2r-第四页,本课件共有84页小球滚动,意味着有些正负离子不接触,不稳
3、定。转小球滚动,意味着有些正负离子不接触,不稳定。转变构型。变构型。小球将大球撑开,负负不接触,仍然是稳定构型。小球将大球撑开,负负不接触,仍然是稳定构型。当当=1时,转变为等径圆球密堆积问题。时,转变为等径圆球密堆积问题。所以由以上分析可知,当所以由以上分析可知,当 介于介于0.732-1.00之间(不包括之间(不包括1.00)时,正离子可稳定填充在负离子所形成的立方体空隙中。)时,正离子可稳定填充在负离子所形成的立方体空隙中。在正方体空隙中,球数在正方体空隙中,球数:空隙数空隙数=1:1第五页,本课件共有84页(2)正八面体空隙(配位数为正八面体空隙(配位数为6)当负负离子及正负离子都相互
4、接触时,由几何关系:当负离子作最密堆积时,由上下两层各三个球相互错开60而围成的空隙为八面体空隙或配位八面体。第六页,本课件共有84页撑开,稳定;当到达撑开,稳定;当到达 0.732时,转时,转化为填立方体空隙。化为填立方体空隙。滚动,不稳定,应转变为其它构型。滚动,不稳定,应转变为其它构型。(不包括(不包括0.732)时,正离子配位数为)时,正离子配位数为6 6,填正八面体空隙。,填正八面体空隙。六配位的正八面体空隙六配位的正八面体空隙第七页,本课件共有84页(3)正四面体空隙(配位数为正四面体空隙(配位数为4)第八页,本课件共有84页(4)正三角形空隙(配位数为正三角形空隙(配位数为3)第
5、九页,本课件共有84页表表9-4-1配位多面体的极限半径比配位多面体的极限半径比配位多面体配位多面体配位数配位数半径比半径比(r+/r-)min平面三角形体平面三角形体30.155四面体四面体40.225八面体八面体60.414立方体立方体80.732立方八面体立方八面体121.000第十页,本课件共有84页9.4.2 结晶化学定律结晶化学定律 哥希密特指出:哥希密特指出:“晶体的结构型式,取决于其组晶体的结构型式,取决于其组成晶体的原子、离子或原子团的数量关系、大小关系成晶体的原子、离子或原子团的数量关系、大小关系和极化作用的性质和极化作用的性质”。典型晶体的实际结构多数符合上述定律,但当晶
6、体典型晶体的实际结构多数符合上述定律,但当晶体中存在下列因素时,可能会使实际结构不符合上述规律:中存在下列因素时,可能会使实际结构不符合上述规律:MX间共价键的形成;间共价键的形成;MM键的形成;配位场效应键的形成;配位场效应使离子配位多面体变形等因素。使离子配位多面体变形等因素。第十一页,本课件共有84页(1)数量关系数量关系(2)大小关系大小关系(3)极化作用极化作用极化作用增强,键型由离子型向共价型过渡,配位数极化作用增强,键型由离子型向共价型过渡,配位数降低(共价键具有饱和性),正离子填入低配位数的空隙降低(共价键具有饱和性),正离子填入低配位数的空隙中。中。见表见表9-4-1中有关数
7、据中有关数据第十二页,本课件共有84页9.4.3 ABn ABn型二元离子晶体几种典型结构型式型二元离子晶体几种典型结构型式(1)NaCl型(型(0.4140.732)Pauling半径比半径比(有效半径比)(有效半径比)Cl-作作A1型密堆积,型密堆积,Na+填充在正八面体空隙中。填充在正八面体空隙中。Cl-与与Na+的配位数均为的配位数均为6。Shannon半径比半径比第十三页,本课件共有84页属于立方面心点阵,属于立方面心点阵,结构单元为一个结构单元为一个NaCla=562.8 pm 空间群为:空间群为:分数坐标:分数坐标:Cl-:(0,0,0)(1/2,1/2,0)(1/2,0,1/2
8、)(0,1/2,1/2)Na+:(0,0,1/2)(1/2,0,0)(0,1/2,0)(1/2,1/2,1/2)LiH、LiF、LiCl、NaF、NaBr、NaI、CaO、CaS、BaS等晶体都属于等晶体都属于NaCl型。型。(两种离子的坐标可以互换)。(两种离子的坐标可以互换)。第十四页,本课件共有84页(2)CsCl型(型(0.7321.00)(有效半径比有效半径比)Cl-作简单立方堆积,作简单立方堆积,Cs+填入正方体空隙。填入正方体空隙。配位比为配位比为8 8。Pauling半径比半径比Shannon半径比半径比第十五页,本课件共有84页Cl-:(0,0,0)Cs+:(1/2,1/2,
9、1/2)CsBr,CsI,NH4Cl,NH4Br等属等属CsCl型型属于简单立方点阵,属于简单立方点阵,结构单元为一个结构单元为一个CsCl空间群为:空间群为:分数坐标:分数坐标:a=411.0 pm(两种离子的坐标可以互换)。(两种离子的坐标可以互换)。第十六页,本课件共有84页(3)立方立方ZnS(闪锌矿)和六方(闪锌矿)和六方ZnS(纤锌矿)(纤锌矿)若若S2-作作A1型堆积,型堆积,Zn2+填入四面体空隙中填入四面体空隙中(有较强的有较强的极化作用极化作用)。配位比为配位比为4:4。(有效半径比有效半径比)Pauling半径比半径比Shannon半径比半径比顶点及面心为顶点及面心为S2
10、-,四面体空隙位置为,四面体空隙位置为Zn2+。第十七页,本课件共有84页a=540.6 pm S2-Zn2+CdS,CuCl,AgI,SiC,BN等属立方等属立方ZnS型晶体型晶体属于立方面心点阵,属于立方面心点阵,结构单元为一个结构单元为一个ZnS空间群为:空间群为:分数坐标:分数坐标:(两种离子的坐标可以互换。两种离子的坐标可以互换。)第十八页,本课件共有84页若若S2-作作A3型堆积,型堆积,Zn2+仍填入四面体空隙中。由仍填入四面体空隙中。由A3型堆积其中型堆积其中,球数:八面体空隙数:四面体空隙数球数:八面体空隙数:四面体空隙数=1 1 2的关系推知,有一半的关系推知,有一半四面体
11、空隙未被占据。四面体空隙未被占据。可抽出六方晶胞,每个晶胞中有两个可抽出六方晶胞,每个晶胞中有两个ZnS,一个结构基元为,一个结构基元为两个两个ZnS。第十九页,本课件共有84页S2-:(0,0,0),(2/3,1/3,1/2)Zn2+:(0,0,5/8),(2/3,1/3,1/8)S2-:(0,0,0),(1/3,2/3,1/2)Zn2+:(0,0,3/8),(1/3,2/3,7/8)空间群为:空间群为:分数坐标:分数坐标:属于六方属于六方ZnSZnS结构的化合物有结构的化合物有AlAl、GaGa、InIn的氮化物,一价铜的的氮化物,一价铜的卤化物,卤化物,ZnZn、CdCd、MnMn的硫化
12、物、硒化物。的硫化物、硒化物。第二十页,本课件共有84页 立方立方ZnSZnS和六方和六方ZnSZnS是非常重要的两种晶体结构是非常重要的两种晶体结构.已投入使用的半导体除已投入使用的半导体除SiSi、GeGe单晶为金刚石型结构外,单晶为金刚石型结构外,III-VIII-V族和族和II-VIII-VI族的半导体晶体都是族的半导体晶体都是ZnSZnS型,且以立方型,且以立方ZnSZnS型为主型为主.例如:例如:GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,CdS,CdTe,HgTe第二十一页,本课件共有84页(4)CaF2型(萤石型)(型(萤石型)(0.7321.00)F-作简单立方堆
13、积,作简单立方堆积,Ca2+填入立方体空隙(占据分数填入立方体空隙(占据分数50%),配位比为),配位比为8 4(F-的配位数为的配位数为4,Ca2+的配位数的配位数为为8)。)。(有效半径比有效半径比)Pauling半径比半径比Shannon半径比半径比第二十二页,本课件共有84页Ca2+:(0,0,0),(1/2,1/2,0),(1/2,0,1/2),(0,1/2,1/2)F-:(1/4,1/4,1/4),(3/4,1/4,1/4),(1/4,3/4,1/4),(1/4,1/4,3/4),(3/4,3/4,1/4),(3/4,1/4,3/4),(1/4,3/4,3/4),(3/4,3/4,
14、3/4)属于立方面心点阵,属于立方面心点阵,结构单元为一个结构单元为一个CaFCaF2 2空间群为:空间群为:分数坐标:分数坐标:或将各离子坐标平移或将各离子坐标平移1/41/4Ca2+:(1/4,1/4,1/4),(3/4,3/4,1/4),(3/4,1/4,3/4),(1/4,3/4,3/4)F-:(1/2,1/2,1/2),(0,1/2,1/2),(1/2,04,1/2),(1/2,1/2,0),(0,0,1/2),(0,1/2,0),(1/2,0,0),(0,0,0)第二十三页,本课件共有84页显然,显然,F-占据顶点、体心、面心、棱心的位置,占据顶点、体心、面心、棱心的位置,CaCa
15、2+2+占据占据8个小立方体中的个小立方体中的4个体心位置。个体心位置。Ca2+:(1/4,1/4,1/4),(3/4,3/4,1/4),(3/4,1/4,3/4),(1/4,3/4,3/4)F-:(1/2,1/2,1/2),(0,1/2,1/2),(1/2,04,1/2),(1/2,1/2,0),(0,0,1/2),(0,1/2,0),(1/2,0,0),(0,0,0)分数坐标:分数坐标:SrF2,UO2,HgF2等晶体属等晶体属CaF2型,而型,而Li2O,Na2O,Be2C等晶体属反萤石型,即正等晶体属反萤石型,即正离子占据离子占据F-离子位置,负离子占据离子位置,负离子占据Ca2+的的
16、位置位置。第二十四页,本课件共有84页(5)TiO2型(金红石型)型(金红石型)O2-近似按立方近似按立方A1型堆积,型堆积,Ti4+填充了变形八面体空隙中填充了变形八面体空隙中(占据率(占据率50%),O2-的配的配位数为位数为3,Ti4+的配位数为的配位数为 6。Pauling半径比半径比第二十五页,本课件共有84页TiO2为四方简单点阵,结构单元为为四方简单点阵,结构单元为2个个TiO2Ti4+:O2-:u为一结构参数,金红石本身为一结构参数,金红石本身u=0.31。MgF2,FeF2,VO2,CrO2,PbO2,WO2,MoO2等等为金红石型。为金红石型。空间群为:空间群为:分数坐标:
17、分数坐标:第二十六页,本课件共有84页晶体晶体构型构型晶晶系系 点阵点阵 结构基元结构基元配位比配位比 分数坐标分数坐标点点群群 A B立立方方立方立方F F(4 4个)个)立立方方立方立方P P(1 1个)个)立方立方立立方方立方立方F F(4 4个)个)六方六方六六方方六方六方表表9-4-2几种几种 AB AB 型及型及 AB AB2 2 型晶体构型型晶体构型 第二十七页,本课件共有84页晶体晶体构型构型晶晶系系 点阵点阵 结构结构基元基元配位比配位比 分数坐标分数坐标点点群群 A B立立方方立方立方F F金红石金红石四四方方四方四方P P (4个)表表9-4-2几种几种ABAB型及型及A
18、BAB2 2型晶体构型型晶体构型 第二十八页,本课件共有84页离子半径是一个非常有用但无确切定义的概念。离子半径是一个非常有用但无确切定义的概念。因为电子在核外的分布是连续的,并无截然确定的因为电子在核外的分布是连续的,并无截然确定的界限。所以离子半径的数值也是与所处的特定条件界限。所以离子半径的数值也是与所处的特定条件(环境)有关的。实验结果直接给出的是晶胞参数(环境)有关的。实验结果直接给出的是晶胞参数和点阵型式等信息,通过这些信息可以推知正、负和点阵型式等信息,通过这些信息可以推知正、负离子间的距离(即离子间的距离(即r+r-)。如何将这个半径之和数。如何将这个半径之和数值划分为正、负离
19、子的半径,则需要一定的技巧。值划分为正、负离子的半径,则需要一定的技巧。9.5离子半径离子半径第二十九页,本课件共有84页(1)哥希密特半径哥希密特半径(接触半径)接触半径)表表9-5-1一些一些NaCl型晶体的晶胞参数型晶体的晶胞参数/pm晶体晶体(a/2)晶体晶体(a/2)MgO210(210.56)MnO224(222.24)MgS260(260.17)MnS259(261.18)MgSe273(272.5)MnSe273(272.4)第三十页,本课件共有84页正、负离子间的接触情况不外乎有如下三种图式,但正、负离子间的接触情况不外乎有如下三种图式,但正离子在空隙中滚动的型式是不稳定的。
20、正离子在空隙中滚动的型式是不稳定的。八面体配位中正、负离子的接触情况八面体配位中正、负离子的接触情况第三十一页,本课件共有84页正负离子刚好接触。正负离子刚好接触。a不随不随 r+改变改变。可以同时确定可以同时确定r+和和r-正离子较小,在空隙正离子较小,在空隙中滚动。中滚动。a不随不随 r+改变。改变。不能确定不能确定r+正离子较大,将负离正离子较大,将负离子撑开。子撑开。a随随r+的增的增大而增大。大而增大。不能确定不能确定r+和和r-第三十二页,本课件共有84页分析表分析表9-5-1中的数据,可以推断出:中的数据,可以推断出:MgS MnS几乎不变 MnS应属(b)MgSe MnSe几乎
21、不变 MnSe应属(b)MnS中:中:第三十三页,本课件共有84页MnSe中:中:再分析再分析MgO与与 MnO,晶胞参数由,晶胞参数由420pm增大到增大到448 448 pm,因此可以推断,因此可以推断,MnO属于撑开型属于撑开型(a)利用各种利用各种 NaCl型晶体的型晶体的 a,经过反复精修拟合,得到,经过反复精修拟合,得到80多种离子半径。多种离子半径。称为哥希密特半径称为哥希密特半径 (数据表参见厦门大学数据表参见厦门大学结构化学结构化学p265)。第三十四页,本课件共有84页(2)鲍林鲍林半径(晶体半径)半径(晶体半径)Pauling认为:离子的半径的大小与有效核电荷成反比,与认
22、为:离子的半径的大小与有效核电荷成反比,与核外电子层数成正比。因此,上述分析可以表达为:核外电子层数成正比。因此,上述分析可以表达为:对于对于NaF,可以写出,可以写出结合结合第三十五页,本课件共有84页对对Z 价离子,其半径计算公式为:价离子,其半径计算公式为:通过上述方法,通过上述方法,Pauling得到如教材得到如教材p338表中的离子表中的离子半径数据。现通常应用此套数据。半径数据。现通常应用此套数据。三式联立可以求得三式联立可以求得第三十六页,本课件共有84页(3)Shannon半径(有效离子半径)半径(有效离子半径)Shannon通过分析归纳上千种氧化物中正、负通过分析归纳上千种氧
23、化物中正、负离子间接触距离的数据,考虑配位数,自旋态的影离子间接触距离的数据,考虑配位数,自旋态的影响,给出了一些离子的半径数据(参见具体的参考响,给出了一些离子的半径数据(参见具体的参考书)。书)。第三十七页,本课件共有84页9.6离子键和点阵能离子键和点阵能9.6.1点阵能(晶格能)的定义及计算点阵能(晶格能)的定义及计算 离子键的强弱可以用点阵能的大小来度量,点阵能离子键的强弱可以用点阵能的大小来度量,点阵能又称晶格能或结晶能。又称晶格能或结晶能。点阵能定义为:点阵能定义为:在在0K 时,时,1mol 离子化合物中的正、离子化合物中的正、负离子由相互远离的气态,结合成离子晶体时所放出的能
24、量。相负离子由相互远离的气态,结合成离子晶体时所放出的能量。相当于下式反应的内能改变。当于下式反应的内能改变。第三十八页,本课件共有84页 点阵能与键能的差别:键能的定义为:在点阵能与键能的差别:键能的定义为:在298K298K时,时,下列反应的能量变化下列反应的能量变化(键能一定是正值键能一定是正值)AB(g)A(g)+B(g)U U(点阵能点阵能)的负值越大,表明离子键越强,晶体越的负值越大,表明离子键越强,晶体越稳定,熔点越高,硬度越大。稳定,熔点越高,硬度越大。第三十九页,本课件共有84页 点阵能(晶格能)的获得:点阵能(晶格能)的获得:(1)利用热化学循环计算(玻恩利用热化学循环计算
25、(玻恩-哈伯循环)哈伯循环)按上式直接进行实验测定按上式直接进行实验测定U U比较困难,比较困难,Born 和和 Haber曾根据曾根据热力学第一定律设计热力学循环求点阵能热力学第一定律设计热力学循环求点阵能(理论依据是热力理论依据是热力学第一定律学第一定律),以,以 NaCl NaCl 为例为例第四十页,本课件共有84页Na(s)Na(g)S(升华能)(升华能)=108.4kJ.mol-1Na(g)Na+(g)+eI(电离能)(电离能)=495.0kJ.mol-1Cl2(g)Cl(g)D(离解能)(离解能)=119.6kJ.mol-1Cl(g)+eCl-(g)Y(电子亲和能)(电子亲和能)=
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 第九章 晶体结构优秀PPT 第九 晶体结构 优秀 PPT
限制150内