第八章 高聚物的电学性质优秀PPT.ppt
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1、第八章高聚物的电学性质第一页,本课件共有41页绝大多数高聚物是绝缘体,它们具有低的电导率、低绝大多数高聚物是绝缘体,它们具有低的电导率、低的介电损耗、高击穿强度等优异的电学性能,使得高聚物的介电损耗、高击穿强度等优异的电学性能,使得高聚物在电气工业中成为不可缺少的绝缘材料和介电材料。在电气工业中成为不可缺少的绝缘材料和介电材料。近年来已对高聚物驻极体、光导体、半导体、导近年来已对高聚物驻极体、光导体、半导体、导体甚至是超导体进行了广泛而深入的研究,取得了很体甚至是超导体进行了广泛而深入的研究,取得了很多成就,其中有的已经付之实用。多成就,其中有的已经付之实用。高聚物的电学性能是高分子对外电场作
2、出的响应,高高聚物的电学性能是高分子对外电场作出的响应,高聚物对电场的响应可以分为两个部分,一是介电性能,主聚物对电场的响应可以分为两个部分,一是介电性能,主要表征的参数是介电常数和介电损耗;其二是本体导电性要表征的参数是介电常数和介电损耗;其二是本体导电性能,表征的参数是电导率和电击穿强度。能,表征的参数是电导率和电击穿强度。第二页,本课件共有41页一、一、电介质在外电场中的极化现象电介质在外电场中的极化现象第一节第一节高聚物的极化及介电常数高聚物的极化及介电常数(8-1)(8-2)(8-3)(8-4)(8-5)C0为真空电容,为真空电容,U为为直流电压,直流电压,Q为产生为产生的电荷,的电
3、荷,S为每个极为每个极板的面积,板的面积,d为两极为两极板间的距离,板间的距离,C为电为电介质电容,介质电容,为介电为介电常数,无量纲,表征常数,无量纲,表征电介质贮存电能能力电介质贮存电能能力的大小。的大小。第三页,本课件共有41页二、二、高分子电介质极化现象的分子解释高分子电介质极化现象的分子解释键的极性强弱和分子的极性强弱,分别用键的极性强弱和分子的极性强弱,分别用键距键距和和分子分子的偶极距的偶极距来表示:来表示:d为两个正负电荷中心之间的距离,为两个正负电荷中心之间的距离,q为电荷。为电荷。偶极矩为矢量,其方向从正电荷到负电荷,其国际单偶极矩为矢量,其方向从正电荷到负电荷,其国际单位
4、为库仑位为库仑米,习惯用德拜米,习惯用德拜(Debye),简写,简写D。1Debye=3.3310-30库仑库仑米米(8-8)第四页,本课件共有41页按按极化机理极化机理,分子的极化可分为:,分子的极化可分为:电子极化电子极化:分子中各原子的价电子云在外电场的作用下,:分子中各原子的价电子云在外电场的作用下,向正极方向偏移,发生了电子相对于分子骨架的移动,使向正极方向偏移,发生了电子相对于分子骨架的移动,使分子的正负电荷中心的位置发生变化引起的。电子极化速分子的正负电荷中心的位置发生变化引起的。电子极化速度很快,一般在度很快,一般在10-1510-13s。原子极化原子极化:分子骨架在外电场作用
5、下发生变形造成的。原子:分子骨架在外电场作用下发生变形造成的。原子极化一般是相当小的,只有电子极化的十分之一,原子极化所极化一般是相当小的,只有电子极化的十分之一,原子极化所需时间在需时间在10-13s以上。以上。电子极化和原子极化都是在外加电场的作用下,分子中电子极化和原子极化都是在外加电场的作用下,分子中正负电荷中心发生位移或分子变形引起的,称为正负电荷中心发生位移或分子变形引起的,称为位移极位移极化或变形极化化或变形极化,产生的偶极矩为,产生的偶极矩为诱导偶极矩诱导偶极矩。第五页,本课件共有41页取向极化(偶极极化)取向极化(偶极极化):在外电场的作用下,极性:在外电场的作用下,极性分子
6、沿外电场的方向排列,产生分子的取向(详见图分子沿外电场的方向排列,产生分子的取向(详见图8-3)。取向极化的时间为)。取向极化的时间为10-9s。第六页,本课件共有41页诱导偶极矩诱导偶极矩:取向偶极矩取向偶极矩:分子极化分子极化:极性分子在外电场中产生的总的平均偶极矩:极性分子在外电场中产生的总的平均偶极矩是诱导偶极矩和取向偶极矩之和。是诱导偶极矩和取向偶极矩之和。a.极性分子极性分子b.非极性分子(不发生取向极化)非极性分子(不发生取向极化)(8-9)(8-10)(8-11)(8-12)式中,式中,ae为电子极化率,为电子极化率,aa为原子极化率,为原子极化率,a为取向极化率。为取向极化率
7、。El为为介质分子受到的局部电场强度。介质分子受到的局部电场强度。第七页,本课件共有41页界面极化:界面极化:产生于非均相介质界面处的极化,是在外产生于非均相介质界面处的极化,是在外电场的作用下,电介质中的电子或离子在界面处堆集电场的作用下,电介质中的电子或离子在界面处堆集的结果。的结果。极化强度:极化强度:单位体积内分子偶极矩的矢量和。单位体积内分子偶极矩的矢量和。式中式中N为单位体积电介质里的分子数,为单位体积电介质里的分子数,a为分子极化率,为分子极化率,El为介质分子受到的局部电场强度。为介质分子受到的局部电场强度。(8-18)第八页,本课件共有41页三、三、介电常数与分子极化率的关系
8、介电常数与分子极化率的关系介电常数是表征极化介质的一个基本参数,其在宏介电常数是表征极化介质的一个基本参数,其在宏观上反映了电介质材料的极化能力。观上反映了电介质材料的极化能力。分子极化率是反映分子极化特征的微观物理量。分子极化率是反映分子极化特征的微观物理量。介电常数和分子极化率之间存在一定的关系,它介电常数和分子极化率之间存在一定的关系,它们之间的关系由们之间的关系由Clausius-Mosotti方程方程给出:给出:(8-32)(8-33)(8-34)第九页,本课件共有41页四、四、高聚物介电常数及其与结构的关系高聚物介电常数及其与结构的关系高聚物按高聚物按单体单元偶极距的大小单体单元偶
9、极距的大小,可分为:,可分为:非极性高聚物非极性高聚物m m=0De e=2.0 2.3弱极性高聚物弱极性高聚物0 m m0.5De e=2.3 3.0中等极性高聚物中等极性高聚物0.5D 0.7De e=4.0 7.0可以看出:随着偶极矩的增加,高聚物的介电常数逐渐增大。可以看出:随着偶极矩的增加,高聚物的介电常数逐渐增大。第十页,本课件共有41页非极性分子非极性分子的偶极距等于零,的偶极距等于零,Clausius-Mosotti关系可写关系可写成:成:对于极性分子,偶极距的大小与分子结构的关系对于极性分子,偶极距的大小与分子结构的关系:1.高分子链及极性基团处在单一构象中时,分子的偶极距可
10、高分子链及极性基团处在单一构象中时,分子的偶极距可以用重复单元偶极距的矢量和来表征。以用重复单元偶极距的矢量和来表征。2.一般情况下,可以用一般情况下,可以用均方偶极距均方偶极距表征高分子的极性。表征高分子的极性。(8-37)第十一页,本课件共有41页高聚物的介电常数除与偶极距有关外,还与高分子的高聚物的介电常数除与偶极距有关外,还与高分子的其其它结构因素它结构因素有关:有关:1.极性基团在分子链上的位置极性基团在分子链上的位置2.高聚物介质所处的物理状态高聚物介质所处的物理状态3.分子结构对称性的影响分子结构对称性的影响4.交联、拉伸和支化的影响交联、拉伸和支化的影响第十二页,本课件共有41
11、页第二节第二节高聚物的介电损耗高聚物的介电损耗一、一、介电损耗产生的原因介电损耗产生的原因介电损耗介电损耗:电介质在:电介质在交变电场交变电场中,由于消耗一部分电能中,由于消耗一部分电能使介质本身发热的现象。使介质本身发热的现象。产生介电损耗的原因产生介电损耗的原因:1.电导损耗:电介质中含有能导电的载流子在外加电场电导损耗:电介质中含有能导电的载流子在外加电场的作用下,产生电导电流,消耗一部分电能转化为热能。的作用下,产生电导电流,消耗一部分电能转化为热能。2.松弛损耗:取向极化是一个松弛过程,电介质在交变电松弛损耗:取向极化是一个松弛过程,电介质在交变电场作用下,偶极子发生极化时,一部分电
12、能损耗于克服介场作用下,偶极子发生极化时,一部分电能损耗于克服介质的内粘滞阻力上,转化为热能。质的内粘滞阻力上,转化为热能。第十三页,本课件共有41页产生介电损耗的条件产生介电损耗的条件:1.偶极子的运动与电场的运动同偶极子的运动与电场的运动同步,无损耗。步,无损耗。2.偶极子在电场的作用下发生强偶极子在电场的作用下发生强迫运动,产生介电损耗。迫运动,产生介电损耗。3.偶极子不发生取向极化,能偶极子不发生取向极化,能量损耗很小。量损耗很小。第十四页,本课件共有41页二、二、介电损耗的表征介电损耗的表征在在真空电容器真空电容器极板上施加一电压,极板上施加一电压,就会就会对应产生一对应产生一电流电
13、流式中式中U0为电压峰值,为电压峰值,为交流电压角频率为交流电压角频率可以看出电流的相位比电压领先可以看出电流的相位比电压领先90,只存在无功的电容,只存在无功的电容电流,所以真空电容器不损耗能量。电流,所以真空电容器不损耗能量。(8-41)(8-40)第十五页,本课件共有41页如果在真空电容器中引入电介质,此时电容器的电容如果在真空电容器中引入电介质,此时电容器的电容C=*C0,*为复介为复介电常数,此时电容器上的电流:电常数,此时电容器上的电流:Ic相当于流过相当于流过“纯电容纯电容”的电流,电流和电压的相位角相差的电流,电流和电压的相位角相差90,Ir相相当于流过当于流过“纯电阻纯电阻”
14、的电流,电流和电压的相位相同。的电流,电流和电压的相位相同。(8-42)(8-44)第十六页,本课件共有41页介电损耗介电损耗:tg称为介电损耗角正切,用来表征材料介电损耗的称为介电损耗角正切,用来表征材料介电损耗的大小。大小。介电损耗角正切介电损耗角正切tg的物理意义:每个周期内介质损耗的物理意义:每个周期内介质损耗的能量与介质贮存的能量的比值。的能量与介质贮存的能量的比值。(8-46)第十七页,本课件共有41页三、三、影响介电损耗的因素影响介电损耗的因素1.分子结构的影响分子结构的影响:高聚物分子的极性大小、密度、以及极性基团的可高聚物分子的极性大小、密度、以及极性基团的可动性,决定介电损
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