产品开发案例教学-2410硬件设计.ppt
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1、产品开发案例教学S3C2410硬件设计计算机通信专业主要内容nS3C2410X概述n核心板设计n最小系统的设计n串口接口电路设计nIIC接口电路设计S3C2410X存储系统的特征n支持数据存储的大/小端选择(通过外部引脚进行选择)n地址空间:具有8个存储体,每个存储体可达128Mb,总共可达1Gb。n对除Bank0的所有存储体的访问宽度均可进行改变(8位16位32位)n8个存储体中,Bank0Bank5可支持ROM、SRAM;Bank6、Bank7可支持ROM、SRAM和SDRAM等。n7个存储体的起始地址固定,1个存储体的起始地址及长度可变。n所有存储体的访问周期可由程序设定n支持SDRAM
2、的自刷新和掉电模式n内核:1.8V I/O及存储器:3.3Vn272-FBGA复位后的S3C2410X存储器映射表S3C2410X的引脚分布图核心板设计nRTCnSDRAM nNANDn启动设置n200管脚插座核心板 RTCn32.768KHz晶体n22pF电容,以帮助晶体起震核心板 SDRAMn同步动态(Synchronous Dynamic)RAMn基本存储单元:MOS管电容n优点n成本低廉n缺点n平均访问速度较低n控制时序较复杂,需要不断刷新(通常每64ms)nSDRAM标准Inteln主要厂商:Hyundy、Micron、ISSI核心板 SDRAMn支持2个SDRAM片选,最大容量25
3、6GB。n支持行宽度1113,列宽度811,2或者4个Bank的SDRAM。n2410-S实际配置:HY561620,4M 16Bit 4 Banks,行宽度13,列宽度11,4个Bank。两片组成32位模式,合计64MB。HY561620引脚分布HY561620引脚信号描述S3C2410X的引脚信号描述SDRAM/SRAMSDRAM接口电路n用SDRAM当作系统内存,只有Bank6/Bank7能支持SDRAM,所以将两片SDRAM(4M 16Bit 4 Banks)字扩展接在Bank6上。如果同时使用Bank6/Bank7,则要求连接相同容量的存储器,而且其地址空间在物理上是连续的。核心板
4、NAND Flashn非线性Flash:NAND,NANOn3大厂商:三星54%,东芝34%,瑞萨(日立三菱)11%n按页和块的组织存储单元,访问存储单元需要发送命令,不能直接读写。nK9F1208,64MB。核心板 K9F1208的存储单元组织n2048个块,每个数据块包含32个页,每页有528个字节,前512个字节为主数据存储器,后16个字节为辅助数据存储器,存放ECC代码,坏块信息和文件系统等代码。S3C2410X的引脚信号描述-NAND Flash核心板 NAND FLASH接口n由于S3C2410直接带有NAND FLASH接口,因此接口逻辑极为简单n需要注意的是FRB信号是OC门输
5、出,因此需要外部的上拉电阻。核心板 启动设置n启动存储器的选择由OM0和OM1决定。核心板 200管脚插座 n几乎引出所有处理器的可用管脚n未引出管脚包括:nRTCnSDRAM控制信号S3C2410X的引脚信号描述-电源主板 电源n3.3V使用LM1085n1.8V使用AS1117主板 JTAG标准n80年代由联合测试行动组(Joint Test Action Group)制定的边界扫描测试(Boundary-Scan Testing,简写BST)规范,在1990年被批准为IEEE std 1149.1-1990 标准,简称JTAG标准。n优点是:n可以迅速检测芯片之间的连接是否可靠;n对于一
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