模拟电子技术清华大学PPT学习教案.pptx

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1、会计学1模拟电子技术模拟电子技术(jsh)清华大学清华大学第一页，共431页。绪论返回电子技术发展简史电子技术的应用电子技术课程安排前进退出第1页/共431页第二页，共431页。I.电子电子(dinz)技术发展史技术发展史 电子技术的出现和应用，使人类进入了高新技术时代。电子技术诞生的历史虽短，但深入的领域却是最深最广，它不仅是现代化社会的重要标志，而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质技术基础。电子技术是在通信技术发展的基础上诞生的。随着新型电子材料的发现(fxin)，电子器件发生了深刻变革。自1906年第一支电子器件发明以来，世界电子技术经历了电子管、晶体管和集成电路等重要发展阶段。

2、返回前进第2页/共431页第三页，共431页。I.电子电子(dinz)技术发展史技术发展史 电子技术的出现和应用，使人类进入(jnr)了高新技术时代。电子技术诞生的历史虽短，但深入的领域却是最深最广，它不仅是现代化社会的重要标志，而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质技术基础。电子技术是在通信技术发展的基础上诞生的。随着新型电子材料的发现，电子器件发生了深刻变革。1906年第一支电子器件发明以来，世界电子技术经历了电子管、晶体管和集成电路等重要发展阶段。第3页/共431页第四页，共431页。1.原始通信(tngxn)方式人力、烽火台等2.横木(hnm)通信机1791年（法）C.Chapp

3、e3.有线电报1837年（美）S.B.Morse4.有线电话(yuxindinhu)1875年（苏）A.G.Bell5.无线电收发报机1895年（意）G.Marconi通信业务蓬勃发展电子器件产生之后。一.通信技术的发展第4页/共431页第五页，共431页。n n 电子器件是按照电子器件是按照“电子电子管管晶体管晶体管集成电路集成电路”的顺序的顺序(shnx)，逐步发，逐步发展起来的。展起来的。二.电子器件(din z q jin)的产生电子管晶体管集成电路第5页/共431页第六页，共431页。1.真空(zhnkng)电子管的发明：真空(zhnkng)二极管1904年（美）Fleming真空(

4、zhnkng)三极管1906年（美）LeedeForest2.晶体管的产生晶体管Transistor1947（美）Shockley、Bardeen、Brattain集成电路IC(integratecircuit)1959（美）Kilby、Noyis二.电子器件的产生3.集成电路的出现集成电路的出现，标志着人类进入了微电子时代。第6页/共431页第七页，共431页。n n 自电子自电子(dinz(dinz)器件出现器件出现至今，电子至今，电子(dinz(dinz)技术已经技术已经应用到了社会的各个领域。应用到了社会的各个领域。II.电子技术电子技术(jsh)的应用的应用返回前进第7页/共431页

5、第八页，共431页。II.电子电子(dinz)技术的应用技术的应用1875年（苏）1906年（美）1925年（美、英）1946年（美）1923年（瑞）1902年（美）1901年（美）1934年（俄）Internet互联网1990年（美）1992年（中）VCD1983年（美）1961年（美）第8页/共431页第九页，共431页。III.课程课程(kchng)安安排排一.内容(nirng)划分模拟部分器件：二极管、三极管、场效应管放大器：基本放大器、反馈放大器差动放大器、功率放大器集成电路：集成运算放大器电源：交流电源（振荡器）、直流电源（稳压电源）无线电：无线电知识、收音机数字部分逻辑代数无线电

6、：无线电知识、收音机逻辑门电路：基本门、复合门组合逻辑电路：编码器、译码器、选择器比较器、加法器脉冲：脉冲变换、脉冲产生返回前进第9页/共431页第十页，共431页。二.时间(shjin)安排学习时间(shjin)1学年上半年：模拟(mn)部分下半年：数字部分三.学习注意事项课程特点电路图多、内容分散、误差较大计算简单、实用性强学习方法掌握电路的构成原则、记住几个典型电路及时总结及练习、掌握近似原则、与实验有机结合第10页/共431页第十一页，共431页。第一(dy)编 模拟部分 返回第一章 半导体器件 第二章 基本放大电路 第三章 放大电路的频率特性 第四章 集成运算放大器 第五章 负反馈放

7、大器 第六章 信号运算电路 第七章 波形发生电路 第八章 功率放大电路 第九章 直流电源 前进退出第11页/共431页第十二页，共431页。第一章 半导体器件 半导体材料(cilio)、由半导体构成的PN结、二极管结构特性、三极管结构特性及场效应管结构特性。本章主要(zhyo)内容：返回前进第12页/共431页第十三页，共431页。1.1半导体（Semiconductor）导电(dodin)特性 根据导电性质把物质分为(fn wi)导体、绝缘体、半导体三大类。而半导体又分为本征半导体、杂质(zzh)（掺杂）半导体两种。第13页/共431页第十四页，共431页。1.1.1本征半导体 纯净的、不含

8、杂质(zzh)的半导体。常用的半导体材料有两种：硅（Si）、锗（Ge）。硅Si（锗Ge）的原子结构如下(rxi)：这种结构的原子利用(lyng)共价键构成了本征半导体结构。第14页/共431页第十五页，共431页。但在外界激励下，产生电子空穴对（本征激发），呈现(chngxin)导体的性质。这种稳定(wndng)的结构使得本征半导体常温下不能导电，呈现绝缘体性质。第15页/共431页第十六页，共431页。但在外界激励下，产生(chnshng)电子空穴对（本征激发），呈现导体的性质。这种稳定的结构使得本征半导体常温下不能导电，呈现(chngxin)绝缘体性质。第16页/共431页第十七页，共43

9、1页。在外界(wiji)激励下，产生电子空穴对（本征激发）。空穴也可移动（邻近(lnjn)电子的依次填充）。第17页/共431页第十八页，共431页。在外界激励下，产生电子空穴(knxu)对（本征激发）。空穴也可移动(ydng)（邻近电子的依次填充）。第18页/共431页第十九页，共431页。在外界激励下，产生(chnshng)电子空穴对（本征激发）。空穴也可移动(ydng)（邻近电子的依次填充）。第19页/共431页第二十页，共431页。半导体内部存在(cnzi)两种载流子（可导电的自由电荷）：电子（负电荷）、空穴（正电荷）。在本征半导体中，本征激发产生了电子空穴对，同时存在电子空穴对的复合

10、(fh)。电子浓度=空穴浓度ni=pi第20页/共431页第二十一页，共431页。1.1.2杂质(zzh)半导体 在本征半导体中掺入少量的其他特定元素(yun s)（称为杂质）而形成的半导体。根据掺入杂质(zzh)的不同，杂质(zzh)半导体又分为N型半导体和P型半导体。常用的杂质材料有5价元素磷P和3价元素硼B。第21页/共431页第二十二页，共431页。N型半导体内部存在(cnzi)大量的电子和少量的空穴，电子属于多数载流子（简称多子），空穴属于少数载流子（简称少子）。npN型半导体主要靠电子导电。一.N型半导体（电子型半导体）掺如非金属杂质磷P的半导体。每掺入一个磷原子就相当于向半导体内

11、部注入一个自由电子。第22页/共431页第二十三页，共431页。P型半导体内部存在大量的空穴(knxu)和少量的电子，空穴(knxu)属于多数载流子（简称多子），电子属于少数载流子（简称少子）。pnP型半导体主要靠空穴(knxu)导电。二.P型半导体（空穴(knxu)型半导体）掺如非金属杂质硼B的半导体。每掺入一个硼原子就相当于向半导体内部注入一个空穴。第23页/共431页第二十四页，共431页。杂质半导体导电性能主要由多数载流子决定，总体是电中性的，通常只画出其中的杂质离子(lz)和等量的多数载流子。杂质(zzh)半导体的简化表示法 第24页/共431页第二十五页，共431页。1.2半导体二

12、极管（Diode）二极管的主要(zhyo)结构是PN结。第25页/共431页第二十六页，共431页。1.2.1PN结（PNJunction）将一块P型半导体和一块N型半导体有机结合在一起，其结合部就叫PN结（该区域具有特殊性质）。第26页/共431页第二十七页，共431页。一.PN结的形成(xngchng)多子(du z)扩散（在PN结合部形成内电场EI）。内电场阻碍(z i)多子扩散、利于少子漂移。当扩散与漂移相对平衡，形成PN结。PN结别名：耗尽层、势垒区、电位壁垒、阻挡层、内电场、空间电荷区等。第27页/共431页第二十八页，共431页。二.PN结性质(xngzh)单向导电性第28页/共

13、431页第二十九页，共431页。1.正向(zhnxin)导通PN结外加正向(zhnxin)电压（正向(zhnxin)偏置）P接+、N接-，形成较大正向(zhnxin)电流（正向(zhnxin)电阻较小）。如 3mA。2.反向截止PN结外加反向电压（反向偏置(pinzh)）P接-、N接+，形成较小反向电流（反向电阻较大）。如10A。二.PN结性质(xngzh)单向导电性正偏电压U=0.7V（Si管）0.2V（Ge管 当电压超过某个值（约零点几伏），全部少子参与导电，形成“反向饱和电流IS”。反偏电压最高可达几千伏。第29页/共431页第三十页，共431页。1.2.2二极管用外壳将PN结封闭(fn

14、gb)，引出2根极线，就构成了二极管。一二极管伏安(fn)特性正向电流较大（正向电阻(dinz)较小），反向电流较小（反向电阻(dinz)较大）。门限电压（死区电压）V(Si管约为0.5V、Ge管约为0.1V)，反向击穿电压 VBR（可高达几千伏）二极管电压电流方程：第30页/共431页第三十一页，共431页。二二极管主要参数1.最大整流(zhngli)电流IF2.最高反向(fnxin)工作电压UR3.反向(fnxin)电流IR4.最高工作频率fM第31页/共431页第三十二页，共431页。由三块半导体构成，分为NPN型和PNP型两种。三极管含有3极、2结、3区。其中发 射 区 高 掺 杂(c

15、hn z)，基区较 薄 且 低 掺 杂(chn z)，集电区一般掺杂(chn z)。1.3三极管（Transistor）1.3.1 三极管结构(jigu)及符号 第32页/共431页第三十三页，共431页。1.3三极管（Transistor）1.3.2 三极管的三种(sn zhn)接法（三种(sn zhn)组态）三极管在放大(fngd)电路中有三种接法：共发射极、共基极、共集电极。第33页/共431页第三十四页，共431页。1.3三极管（Transistor）1.3.3 三极管内部(nib)载流子传输 下面以共发射极NPN管为例分析三极管内部载流子的运动(yndng)规律，从而得到三极管的放大

16、作用。为保证三极管具有放大作用(zuyng)（直流能量转换为交流能量），三极管电路中必须要有直流电源，并且直流电源的接法必须保证三极管的发射结正偏、集电结反偏。第34页/共431页第三十五页，共431页。1.3.3 三极管内部(nib)载流子传输 一.发射(fsh)区向基区 发射(fsh)载流子(电子)第35页/共431页第三十六页，共431页。IENIBN 1.3.3 三极管内部(nib)载流子传输 一.发射(fsh)区向基区 发射(fsh)载流子(电子)二.电子在基区的 疏运输(ynsh)运和复合 第36页/共431页第三十七页，共431页。IBIEICBOICICNIBN 1.3.3 三

17、极管内部(nib)载流子传输 一.发射(fsh)区向基区 发射(fsh)载流子(电子)二.电子(dinz)在基区的 疏运输运和复合 三.集电区收集电子 第37页/共431页第三十八页，共431页。1.3.4 三极管各极电流(dinli)关系 一.各极电流(dinli)关系IE=IEN+IBNIENIB=IBNICBOIC=ICN+ICBOIE=IC+IB二.电流控制(kngzh)作用=ICN/IBNIC/IBIC=IB+(1+)ICBO=IB+ICEOIC=ICN/IENIC/IEIC=IE+ICBOIE第38页/共431页第三十九页，共431页。1.3.5 共射NPN三极管伏安特性(txng

18、)曲线 一.输入(shr)特性曲线IB=f(UBE，UCE)实际测试时如下(rxi)进行：IB=f(UBE)|UCEUCE 5V的特性曲线基本重合为一条，手册可给出该条曲线。第39页/共431页第四十页，共431页。1.3.5 共射NPN三极管伏安特性(txng)曲线 二.输 出 特 性 曲 线(qxin)IC=f(IB，UCE)实际(shj)测试时如此进行：IC=f(UCE)|IB第40页/共431页第四十一页，共431页。1.3.5 共射NPN三极管伏安(f n)特性曲线 二.输 出 特 性 曲 线(qxin)IC=f(IB，UCE)实际测试时如下(rxi)进行：IC=f(UCE)|IB

19、发射结正偏、集电结反偏时，三极管工作在放大区(处于放大状态)，有放大作用：IC=IB+ICEO 两结均反偏时，三极管工作在截至区(处于截止状态)，无放大作用。IE=IC=ICEO0 发射结正偏、集电结正偏时，三极管工作在饱和区(处于饱和状态)，无放大作用。IE=IC（较大）第41页/共431页第四十二页，共431页。1.3.6 三极管主要参数 一.电流(dinli)放大系数 1.共发射极电流放大系数直流IC/IB 交流(jioli)IC/IB 均用表示。2.共基极电流(dinli)放大系数直流IC/IE 交流IC/IE 均用表示。二.反向饱和电流 1.集电极基极间反向饱和电流 ICBO 2.集

20、电极发射极间穿透电流 ICEO ICEO=(1+)ICBO =/(1)=/(1+)第42页/共431页第四十三页，共431页。1.3.6 三极管主要参数 一.电流(dinli)放大系数 IC/IB IC/IE =/(1)=/(1+)二.反向(fn xin)饱和电流 ICBO ICEO ICEO=(1+)ICBO三.极限(jxin)参数 1.集电极最大允许电流 ICM 2.集电极最大允许功耗 PCM 3.反向击穿电压 U(BR)CEO、U(BR)CBO 第43页/共431页第四十四页，共431页。三极管的安全(nqun)工作区 第44页/共431页第四十五页，共431页。1.4场效应管（Fiel

21、dEffectTransistor）场效应管是单极性管子，其输入PN结处于反偏或绝缘状态，具有很高的输入电阻（这一点与三极管相反），同时(tngsh)，还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射性强、便于集成等优点。场效应管是电压控制器件，既利用栅源电压控制漏极电流（iD=gmuGS）这一点与三级管（电流控制器件,基极电流控制集电极电流,iC=iB）不同(b tn)，而栅极电流iD为0（因为输入电阻很大）。场效应管分为(fn wi)两大类:结型场效应管（JFETJunction Field Effect Transistor）、绝缘栅型场效应管（IGFETInsulated Gate Field Eff

22、ect Transistor）。第45页/共431页第四十六页，共431页。1.4.1结型场效应管一.结构(jigu)及符号 N沟道管靠（单一载流子）电子导电(dodin)，P沟道管靠（单一载流子）空穴导电(dodin)。场效应管的栅极G、源极S和漏极D与三级管的基极b、发射极e和集电极c相对应。第46页/共431页第四十七页，共431页。1.4.1结型场效应管二.工作原理（栅源电压(diny)UGS对漏极电流ID的控制作用）以N沟道(u do)管为例。漏源之间的PN结必须反偏。N沟道结型场效应管加上反偏的栅源电压UGS(UGS0)，在漏源之间加上漏源电压UDS(UDS0)，便形成(xngch

23、ng)漏极电流ID。而且UGS可控制ID。第47页/共431页第四十八页，共431页。1.4.1结型场效应管二.工作原理（栅源电压UGS对漏极电流(dinli)ID的控制作用）1.当VGS=0时，沟道(u do)最宽,沟道(u do)电阻最小，加上VDS可形成最大的ID；2.当VGS0时，沟道逐渐(zhjin)变窄，沟道电阻逐渐(zhjin)变大，ID逐渐(zhjin)减小；3.当VGS=VP(夹断电压)时，沟道夹断，沟道电阻为无限大，ID=0。所以，栅源电压VGS对漏极电流ID有控制作用。第48页/共431页第四十九页，共431页。1.4.1结型场效应管三.JFET特性(txng)曲线 VG

24、S=0时,随着(su zhe)VDS的增大,沟道变化情况如下:加上VGS，沟道(u do)会进一步变窄。第49页/共431页第五十页，共431页。1.4.2结型场效应管三.JFET特性(txng)曲线 1.转移特性(txng)曲线 ID=f(UGS)|UDS 第50页/共431页第五十一页，共431页。1.4.1结型场效应管三.JFET特性(txng)曲线 2.漏极特性(txng)曲线 变化(binhu)VGS,得到一族特性曲线。分为可变电阻区、恒流区、击穿区三部分。JFET管处于恒流状态时，有 ID=gmVGS ID=f(UDS)|UGS 第51页/共431页第五十二页，共431页。1.4.

25、1结型场效应管四.JFET管工作过程(guchng)小结 N沟道JFET 栅源电压VGS为负值，漏源电压VDS为正值（P沟道JFET与之相反）。在栅源电压VGS控制下，漏极电流ID随栅源电压而发生变化。并且，VGS=0时，ID最大；VGS=VP 时，ID=0。二者之间关系(gun x)为：ID=gmVGS （栅源间必须反偏）第52页/共431页第五十三页，共431页。1.4.2结型场效应管三.JFET特性(txng)曲线 3.转移(zhuny)输出特性关系 由输出特性曲线可得到(d do)转移特性曲线第53页/共431页第五十四页，共431页。1.4.1结型场效应管四.JFET管工作过程(gu

26、chng)小结 N沟道JFET 栅源电压VGS为负值，漏源电压VDS为正值（P沟道JFET与之相反）。在栅源电压VGS控制(kngzh)下，漏极电流ID随栅源电压而发生变化。并且，VGS=0时，ID最大；VGS=VP 时，ID=0。二者之间关系为：ID=gmVGS （栅源间必须反偏）第54页/共431页第五十五页，共431页。1.4.1 绝缘(juyun)栅型场效应管 这种场效应管的栅极处于绝缘状态，输入电阻更高。广泛运用(ynyng)的是金属氧化物半导体场效应管MOSFET（MetalOxideSemicondoctor type Field Effect Transistor），简计为MO

27、S管。分为增强型MOS管和耗尽型MOS管两类，每类又有N沟道和P沟道两种管子。第55页/共431页第五十六页，共431页。1.4.1 绝缘(juyun)栅型场效应管 一.结构(jigu)及符号 第56页/共431页第五十七页，共431页。二.增强型N沟道MOS管工作(gngzu)过程 1.UGS=0，无导电(dodin)沟道，不能导电(dodin)2.UGS逐渐(zhjin)增大，形成耗尽层3.UGSUT，形成反型层（N沟道）4.加上UDS，导电沟道不均匀5.UGS-UDS=UT，沟道预夹断6.UDS继续增大,沟道夹断,使ID基本不变第57页/共431页第五十八页，共431页。三.增强型N沟道

28、(u do)MOS管特性曲线 转移特性近似(jn s)表示为ID=IDO(UGS/UT 1)2（其中(qzhng)IDO 为UGS=2UT 时的ID 值）第58页/共431页第五十九页，共431页。四.耗尽型N沟道MOS管工作(gngzu)过程 不加栅源电压时，在MOS管体内已存在导电沟道。而所加栅源电压可以控制导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流。且当UGS0时，导电沟道更宽，电流UD变大；UGS0时，导电沟道保持(boch)原有宽度，电流ID适中；当VGS0时，导电沟道变窄。电流ID变小。当UGS小到夹断电压UP 时，沟道全部夹断，使得ID=0。第59页/共431页第六十页，共431页。四.耗

29、尽(ho jn)型N沟道MOS管特性曲线 第60页/共431页第六十一页，共431页。各类场效应管偏置(pinzh)电压极性场效应管类型栅源电压UGS漏源电压UDSN沟道JFET-+P沟道JFET+-N沟道增强型MOS管+P沟道增强型MOS管-N沟道耗尽型MOS管+0-+N沟道耗尽型MOS管+0-第61页/共431页第六十二页，共431页。五.场效应管的主要参数1.直流参数(cnsh)（1）饱和(boh)漏极电流IDSS（2）夹断电压 UP（3）开启(kiq)电压UT2.交流参数（1）低频跨导 gm 其中 gm=(ID/ID)|UDS（2）极间电容 CGS CGD CDS 3.极限参数（1）漏

30、源击穿电压 V（BR）DS（2）栅源击穿电压 V（BR）GS（3）最大漏极电流 IDM（4）最大漏极耗散功率 PDM第62页/共431页第六十三页，共431页。第二章 基本放大(fngd)电路 放大器构成(guchng)及主要技术指标、放大器分析方法、三种组态放大器、场效应管放大器、多级放大器。本章(bnzhn)主要内容：前进返回第63页/共431页第六十四页，共431页。2.1 放大(fngd)的概念 1信号(xnho)：电流或电压。信号(xnho)放大时，放大的是信号(xnho)的幅度，信号(xnho)的频率不变。信号(xnho)放大主要是利用三极管基极电流对集电极电流的控制作用（IC=I

31、b）或场效应管栅极电压对漏极电流的控制作用（Id=gmUgs）。放大器小信号大信号2放大的概念第64页/共431页第六十五页，共431页。2.2.1原理(yunl)电路 主要元件处于放大(fngd)状态的三极管。2.2 单管共发射极放大(fngd)电路 为保证三极管的偏置，要加上直流电源。为限流，应加上降压电阻。为放大信号，加上信号源及输出端。第65页/共431页第六十六页，共431页。2.2.1原理(yunl)电路 主要元件(yunjin)处于放大状态的三极管。2.2 单管共发射极放大(fngd)电路 为保证三极管的偏置，要加上直流电源。为限流，应加上降压电阻。为放大信号，加上信号源及输出端

32、。第66页/共431页第六十七页，共431页。2.2.2电路放大(fngd)工作原理2.2 单管共发射极放大(fngd)电路考虑(kol)到uCE=VCC-iCRC，而VCC是固定不便的，则变化量uCE=-iCRC。uiuBEiBuOiC=iB uCE第67页/共431页第六十八页，共431页。2.2.3实际(shj)放大器2.2 单管共发射极放大(fngd)电路首先(shuxin)改成单电源供电，再加上隔直电容，共射放大器 共射放大器 习惯画成：第68页/共431页第六十九页，共431页。2.2.4放大器构成(guchng)原则2.2 单管共发射极放大(fngd)电路1.保证(bozhng)

33、三极管发射结正偏、集电结反偏（如右图所示）；2.欲放大信号能进入三极管中；3.所放大信号能传输到负载上。第69页/共431页第七十页，共431页。电路(dinl)举例2.2 单管共发射极放大(fngd)电路第70页/共431页第七十一页，共431页。对于放大器，除分析静态(jngti)量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：2.3 放大电路(dinl)主要技术指标 1.放大倍数(bish)（增益）Au、Ai3.非线性失真系数 D 2.最大输出信号幅度 Uom、Iom4.输入电阻Ri 5.输出电阻Ro 6.通频带BW 7.最大输出功率 Pom及转换效率 第71页/共431页第七十二页，共43

34、1页。对于放大器，除分析(fnx)静态量（直流量），还要分析(fnx)如下动态量（交流量）：2.3 放大电路(dinl)主要技术指标1.放大倍数(bish)（增益）Au、AiAu=Uo/UiAi=Io/IiAus=Uo/Us第72页/共431页第七十三页，共431页。对于放大器，除分析(fnx)静态量（直流量），还要分析(fnx)如下动态量（交流量）：2.3 放大电路(dinl)主要技术指标最大不失真(sh zhn)输出信号幅值。2.最大输出信号幅度 Uom、Iom第73页/共431页第七十四页，共431页。对于放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下(rxi)动态量（交流量）：2.3 放

35、大电路(dinl)主要技术指标3.非线性失真系数(xsh)D 输出信号 uo=u1+u2+u3+其中，u1是基波，u2、u3、是谐波第74页/共431页第七十五页，共431页。对于放大器，除分析(fnx)静态量（直流量），还要分析(fnx)如下动态量（交流量）：2.3 放大(fngd)电路主要技术指标4.输入电阻RiRi=Ui/Ii第75页/共431页第七十六页，共431页。对于(duy)放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：2.3 放大(fngd)电路主要技术指标5.输入电阻Ro实际(shj)测量时Ro=（Uo/Uo-1）RL Ro=Uo/IoUs=0RL=第76页/

36、共431页第七十七页，共431页。对于放大器，除分析静态(jngti)量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：2.3 放大(fngd)电路主要技术指标6.通频带(pndi)BW BW=fH-fL 第77页/共431页第七十八页，共431页。对于(duy)放大器，除分析静态量（直流量），还要分析如下动态量（交流量）：2.3 放大(fngd)电路主要技术指标=Pom/PV 7.最大输出功率 Pom及转换(zhunhun)效率 第78页/共431页第七十九页，共431页。附：电路中有关(yugun)符号规定直流量：大写(dxi)字母、大写(dxi)脚码如IB、UCE交流(jioli)瞬时量：小写

37、字母、小写脚码如ib、uce交流有效量：大写字母、小写脚码如Ib、Ucce交直流总量：小写字母、大写脚码如iB、uCE第79页/共431页第八十页，共431页。放大器分析有静态分析和动态分析。其中(qzhng)动态分析最常用的方法有图解法（大信号）和等效电路法（小信号）。2.4 放大(fngd)电路基本分析方法 一.直流等效电路（直流通(litng)路）2.4.1放大器直流通路与交流通路直流信号所通过的线路，用于分析 直流量。直流通路作法：断开隔直电容。第80页/共431页第八十一页，共431页。一.直流等效电路（直流通(litng)路）2.4.1放大器直流通(litng)路与交流通(litn

38、g)路交流(jioli)信号所通过的线路，用于分析交流(jioli)量。交流通路作法：短路隔直电容和直流电源。2.4 放大电路基本分析方法二.交流等效电路（交流通路）第81页/共431页第八十二页，共431页。在放大电路或其直流通路中，计算 IB，UBE，IC，UCE。其中(qzhng)，UBE=0.7V（Si管）或0.2V（Ge管）当作已知量。2.4.2静态(jngti)工作点的估算2.4 放大电路(dinl)基本分析方法IB=（Vcc-UBE）/RB Vcc/RB IC=IB UCE=Vcc-ICRC 第82页/共431页第八十三页，共431页。2.4.3图解法2.4 放大电路(dinl)

39、基本分析方法 先利用估算(sun)法计算出IB，在输入特性曲线上作静态工作点 Q，再在输出特性曲线上作出直流负载线uCE=VCC-iCRC，其与IB的交点及静态工作点 Q，直流负载线的斜率为-1/RC。一静态(jngti)分析 第83页/共431页第八十四页，共431页。2.4.3图解法2.4 放大(fngd)电路基本分析方法 先利用估算法计算出 IB，在输入特性曲线上作静态工作点 Q，再在输出特性曲线上作出直流负载线uCE=VCC-iCRC，其与IB的交点(jiodin)及静态工作点 Q，直流负载线的斜率为-1/RC。一静态(jngti)分析 第84页/共431页第八十五页，共431页。作出

40、交流负载线（斜率(xil)为交流负载-1/RL、过静态工作点 Q），2.4.3图解法2.4 放大(fngd)电路基本分析方法二动态分析 第85页/共431页第八十六页，共431页。作出交流(jioli)负载线（斜率为交流(jioli)负载-1/RL、过静态工作点 Q），2.4.3图解法2.4 放大电路(dinl)基本分析方法二动态分析 然后根据已知的输入信号 如ui=0.05sint(V)，分别(fnbi)在输入特性、输出特性上的静态工作点附近得出动态范围，第86页/共431页第八十七页，共431页。作出交流负载线（斜率为交流负载-1/RL、过静态工作点 Q），然后根据已知的输入信号 如ui=

41、0.05sint(V)，分别在输入特性、输出特性上的静态工作点附近(fjn)得出动态范围，根据动态范围(fnwi)作出输入输出波形，求出 Au、Ai。2.4.3图解法2.4 放大电路(dinl)基本分析方法二动态分析 进而第87页/共431页第八十八页，共431页。作出交流负载线（斜率为交流负载-1/RL、过静态工作点 Q），然后根据已知的输入信号 如ui=0.05sint(V)，分别在输入特性、输出特性上的静态工作点附近(fjn)得出动态范围，进而根据动态范围作出输入输出波形，求出Au、Ai。2.4.3图解法2.4 放大(fngd)电路基本分析方法二动态分析 第88页/共431页第八十九页，

42、共431页。1.估算IB，并在输入(shr)特性曲线上标出 Q点；2.4.3图解法2.4 放大(fngd)电路基本分析方法图解法步骤(bzhu)小结：2.在输出特性曲线上作直流负载线，并标出Q点；3.在输出特性曲线上作交流负载线（斜率为-1/RL,过Q点）；4.根据已知条件在输入特性曲线上以静态工作点为中心确定输入电流动态范围（输入信号摆动范围），作输入信号波形；根据输入电流摆动范围，找出交流负载线与输出特性曲线的两个交点，此为输出动态范围（输出信号摆动范围），作输出信号波形。5.计算Au、Ai。第89页/共431页第九十页，共431页。2.4.3图解法2.4 放大电路(dinl)基本分析方法

43、三图解法应用(yngyng)1.分析(fnx)非线性失真设ii=20sint(uA)（1）静态工作点过低，出现截止失真。解决办法：提高Q点，可减小RB。第90页/共431页第九十一页，共431页。2.4.3图解法2.4 放大(fngd)电路基本分析方法三图解法应用(yngyng)1.分析(fnx)非线性失真设ii=20sint(uA)（2）静态工作点过高，出现饱和失真。解决办法：降低Q点，可增大RB。第91页/共431页第九十二页，共431页。2.4.3图解法2.4 放大(fngd)电路基本分析方法三图解法应用(yngyng)1.分析(fnx)非线性失真设ii=65sint(uA)（3）输入信

44、号过大，出现饱和截止失真。解决办法：减小输入信号。第92页/共431页第九十三页，共431页。2.4.3图解法2.4 放大(fngd)电路基本分析方法三图解法应用(yngyng)2.分析放大(fngd)最大不失真 输出信号（1）静态工 作点较高。第93页/共431页第九十四页，共431页。2.4.3图解法2.4 放大电路(dinl)基本分析方法三图解法应用(yngyng)2.分析放大(fngd)最大不失真 输出信号（2）静态工 作点较低。第94页/共431页第九十五页，共431页。2.4.3图解法2.4 放大(fngd)电路基本分析方法三图解法应用(yngyng)2.分析放大器最大不失真(sh

45、 zhn)输出信号 静态工作点在位于放大区中央最佳。第95页/共431页第九十六页，共431页。2.4.3图解法2.4 放大(fngd)电路基本分析方法三图解法应用(yngyng)3.分析电路参数(cnsh)对静态工作点的影响 （1）RB的影响 直流负载线不变。RB变大时IB减小，Q点下移，易出现截止失真；RB变小时IB减小，Q点上移，易出现饱和失真。第96页/共431页第九十七页，共431页。2.4.3图解法2.4 放大电路(dinl)基本分析方法三图解法应用(yngyng)3.分析电路参数(cnsh)对静态工作点的影响 （2）RC的影响 直流负载线与横轴交点不变，但与纵轴交点变化。RC变大

46、交点下移，易出现饱和失真；RC变小时交点上移，易超出安全区。第97页/共431页第九十八页，共431页。2.4.3图解法2.4 放大电路(dinl)基本分析方法三图解法应用(yngyng)3.分析电路参数对静态工作(gngzu)点的影响（3）VCC的影响 直流负载线平行移动。VCC变大时直流负载线右移，容易超出安全区；VCC变小时直流负载线左移，容易出现饱和失真。第98页/共431页第九十九页，共431页。2.4.3图解法2.4 放大电路(dinl)基本分析方法三图解法应用(yngyng)3.分析电路(dinl)参数对静态工作点的影响 （4）的影响 直流负载线不变，IB不变。但变大时，Q点上移

47、，易出现饱和失真；变小时，Q点下移，易出现截止失真。第99页/共431页第一百页，共431页。2.4.4微变等效电路法2.4 放大(fngd)电路基本分析方法一共射三极管的等效电路 1.三极管的h参数(cnsh)表达式 BE=f(iB，CE）iC=g(iB，CE）be=hreib+hrece ic=hfeib+hoece 求全(qiqun)微分并变换:简化形式（有效值形式）:Ube=hreIb Ic=hfe Ib又表示为:Ic=Ib Ube=rbeIb第100页/共431页第一百零一页，共431页。2.4.4微变等效电路法2.4 放大电路(dinl)基本分析方法一共射三极管的等效电路 2.三极

48、管h参数(cnsh)等效电路 由Ube=Ib、Ic=rbeIb 得简化(jinhu)h 参数等效电路：其中，rbe=rbb+（1+）26/IE（mA）而rbb一般取300，或由题意给出。第101页/共431页第一百零二页，共431页。2.4.4微变等效电路法2.4 放大电路(dinl)基本分析方法二放大器微变等效电路在放大器交流通路中，将三极管用简化h参数(cnsh)等效电路替代：第102页/共431页第一百零三页，共431页。2.4.4微变等效电路法2.4 放大电路(dinl)基本分析方法三利用(lyng)等效电路法分析放大器 先得出(d ch)放大器的微变等效电路计算电压放大倍数AuUi=

49、Ib rbe Uo=-Ib RL Au=Uo/Ui=-RL/rbe计算电流放大倍数AiIi Ib Io=IbAi=Io/Ii=计算输入电阻RiRi=rbeRB rbe计算输出电阻RoRo=RC第103页/共431页第一百零四页，共431页。1.估算(sun)静态工作点；微变等效电路法步骤(bzhu)小结：2.估算(sun)rbe；3.作放大器的交流通路；4.用h参数等效电路替代三极管，得到放大器微变 等效电路；5.解有关动态量。2.4.4微变等效电路法2.4 放大电路基本分析方法第104页/共431页第一百零五页，共431页。2.4.4微变等效电路法2.4 放大电路(dinl)基本分析方法四射

50、极偏置(pin zh)放大器计算 先得出(d ch)放大器的微变等效电路计算电压放大倍数AuUi=Ib rbe+（1+）IbRE Uo=-Ib RL Au=Uo/Ui=-RL/rbe+（1+）RE计算电流放大倍数AiIi Ib Io=IbAi=Io/Ii=计算输入电阻RiRi=Ui/Ii=rbe+（1+）RERB计算输出电阻RoRo=RC第105页/共431页第一百零六页，共431页。2.4.4微变等效电路法2.4 放大电路(dinl)基本分析方法四射极偏置(pin zh)放大器计算 在该电路中，若发射极接有隔直电容Ce，则分析(fnx)结果与无RE放大器结果相同：Au=-RL/rbeAi=R