【MSP430入门例程】FLASH模块.pdf

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1、【MSP430入门例程】：FLASH 模块一、擦除操作选择适当的时钟源和分频因子，为时序发生器提供正确时钟输入如果 Lock=1，则将它复位监视 BUSY 标志位只有当 BUSY=0 时才可以执行下一步，否则一直监视 BUSY。如果擦除一段，则设置 ERASE=1。如果擦除多段，则设置 MERAS=1 l 如果擦除多段，则设置 MERAS=1如果整个 FLASH 全擦除，则设置 RASE=1 同时 MERAS=1。对擦除的地址范围内任意位置作一次空写入，用以启动擦除操作。如果空写的地址在不能执行擦除操作的段地址范围内，则写入操作不起作用二、FLASH 编程操作选择适当的时钟源以及合适的分频因子

2、如果 Lock=1，将它复位监视 BUSY 位，直到 BUSY=0 是才可进入下一步如果写入单字或单字节，则将设置 WRT=1如果是块写或多字、多字节顺序写入，则将设置 WRT=1，BLKWRT=1将数据写入选定地址时启动时序发生器，在时序发生器的控制下完成整个过程三、FLASH 错误操作的处理如果写入高字节口令码错误，则引发 PUC 信号：小心操作可以避免；在对 FLASH 操作期间读 FLASH 内容，会引发 ACCVFIG 状态位的设置：小心操作可以避免因为在对 FLASH 操作期间，需要较长的时间，如果这时看门狗定时器 MSP430171因为在对 FLASH 操作期间，需要较长的时间，

3、如果这时看门狗定时器的数据将近尾声，则看门狗定时器溢出：建议用户程序在进行 FLASH 操作之前先停掉看门狗定时器，等操作结束之后再打开看门狗。所有的 FLASH 类型的 MSP430 器件的 0 段都包含有中断向量等重要的程序代码，如果对其进行擦除操作，将会引起严重的后果：建议用户程序在进行 FLASH 操作之前，先将该段的重要数据（或程序代码）保存到 RAM 中或写入到其他段的重要数据（或程序代码）保存到 RAM 中或写入到其他暂时未用的段中，等待该段操作完毕再还原那些数据（或程序代码）；同时一定不要使正在执行的程序处在正要被擦除的段中；也不要在 FLASH 操作期间允许中断的发生。/*例

4、一*/*若想了解 MSP430 单片机常用模块应用原理，请下载 http:/ FLASH 信息区读出所需的所有有用数据(或整块读出或根据需要)并放到指定 RAM 缓冲区中(若只修改某部分数据),然后直接修改 RAM 中的数据.修改完成后就擦除整段 FLASH 信息区.接着向 FLASH 信息区写入刚才所修改的数据.最后再读出刚才写入的数据放进缓冲区.在整个调试过程中,我们可以通过 IAR 的调试环境查看其写入和读出的数据进行校验/以下程序我已通进 MC430F14 开发板进行验证,MC430F14 可以直接下载在你的板子实验./应用目标板:www.M MC430F14 开发板/编写:微控设计网

5、 DC 版主*/MSP430F147 的 FLASH 空间分配为:/程序代码区:0 x1100-0 xffff，按 512 字节分段/信息区:0 x1000-0 x10ff，按 128 字节分段/用户编写时不要将代码从 0 x1100 地址开始写起,否则.呵呵./另外,用户要了解 FLASH 物理特性,FLASH 被擦除后将全变为 1.以后的写入只能由 1 写为 0,若/需要由 0 写 1 是不能的.那么此时就必须先将整段擦除然后再对其写入.所以 FLASH 有这个不便/不像 EEPROM 那样方便,F147 共有两段信息区(256),每段为 128 字节.如果是一般应用也够了./若然不够,你

6、可以选用 MC430F14 开发板上的 EEPROM 做为信息存贮器.当然这要灵活应用.#include#define FLASH_ADDRESS 0 x01000/定义 FLASH 信息区地址 B 段unsigned charwrite_buff4=0 x01,0 x02,0 x04,0 x08;/用于存放被数组unsigned char read_buff4;/读出缓冲区和写缓冲区unsigned char checkout4;/读出缓冲区,用于验证的void flash_write_byte(unsigned char*pc_byte,unsigned char byte);void f

7、lash_erase(unsigned int*);void read_array(unsigned char*pc_byte,unsigned char*array,unsigned char amount);void write_array(unsigned char*pc_byte,unsigned char*array,unsigned char amount);/*void main(void)unsigned char*pc_flash;/定义字节指针变量unsigned int*pc_flash_segment;/定义段地址指针变量unsigned char i;WDTCTL=W

8、DTPW+WDTHOLD;pc_flash=(unsigned char*)FLASH_ADDRESS;/为指针初始化pc_flash_segment=(unsigned int*)FLASH_ADDRESS;/-read_array(pc_flash,read_buff,4);/读出指定字节数量for(i=0;i4;i+)/模拟修改read_buffi=write_buffi;flash_erase(pc_flash_segment);/段擦除write_array(pc_flash,write_buff,4);/写入指定字节数量read_array(pc_flash,checkout,4)

9、;/再读出刚才写的字节while(1);/*/FLASH 段擦除void flash_erase(unsigned int*pc_word)FCTL1=FWKEY+ERASE;/允许段擦除FCTL3=FWKEY;*pc_word=0;/擦除.擦除./*/向 FLASH 写入单字节void flash_write_byte(unsigned char*pc_byte,unsigned char byte)FCTL3=FWKEY;FCTL1=FWKEY+WRT;/写操作*pc_byte=byte;/*/向 FLASH 信息区读出指定数量的字节数据/unsigned int*pc_word:信息区数

10、据指针/unsigned char*array:读出数据存放数据数组,8 位长/unsigned char amount:读操的数量,范围 0-127void read_array(unsigned char*pc_byte,unsigned char*array,unsigned char amount)unsigned char i;if(amount=127)for(i=0;iamount;i+)arrayi=*pc_byte;pc_byte+;/*/向 FLASH 信息区写入指定数量的字节数据/unsigned char*pc_byte 信息区数据指针/unsigned char*ar

11、ray:读出数据存放数据数组,8 位长/unsigned char amount:读操的数量,范围 0-127void write_array(unsigned char*pc_byte,unsigned char*array,unsigned char amount)unsigned char i;if(amount=127)for(i=0;iamount;i+)flash_write_byte(pc_byte,*array);pc_byte+;array+;/*/*例二*/*/MSP-FET430P140 Demo-Flash In-System Programming,Copy SegA

12、 to SegB/Description:This program first erases flash segA,then it increments all/values in segA,then it erases seg B,thencopies segAto seg B./AssumedMCLK 550kHz-900kHz./*Set Breakpoint on NOP in the Mainloop to avoidStressing Flash*/MSP430F149/-/|XIN|-/|/-|RSTXOUT|-/|/M.Mitchell/Texas Instruments In

13、c./Feb 2005/Built with IAR EmbeddedWorkbenchVersion:3.21A/*#includecharvalue;/8-bit value to write to segmentA/Function prototypesvoidwrite_SegA(char value);voidcopy_A2B(void);voidmain(void)WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD;/Stop watchdog timerFCTL2=FWKEY+FSSEL0+FN0;/MCLK/2 for Flash Timing Generatorvalue=0;/Ini

14、tialize valuewhile(1)/Repeat foreverwrite_SegA(value+);/Write segmentA,increment valuecopy_A2B();/Copy segmentAto B_NOP();/SET BREAKPOINT HEREvoidwrite_SegA(char value)char*Flash_ptr;/Flash pointerunsignedint i;Flash_ptr=(char*)0 x1080;/Initialize Flash pointerFCTL1=FWKEY+ERASE;/Set Erase bitFCTL3=F

15、WKEY;/Clear Lock bit*Flash_ptr=0 x0a;/Dummy write to erase Flash segmentFCTL1=FWKEY+WRT;/Set WRT bit for write operationfor(i=0;i128;i+)*Flash_ptr+=value;/Write value to flashFCTL1=FWKEY;/Clear WRT bitFCTL3=FWKEY+LOCK;/Set LOCK bitvoidcopy_A2B(void)char*Flash_ptrA;/SegmentApointerchar*Flash_ptrB;/Se

16、gment B pointerunsignedint i;Flash_ptrA=(char*)0 x1080;/Initialize Flash segmentApointerFlash_ptrB=(char*)0 x1000;/Initialize Flash segment B pointerFCTL1=FWKEY+ERASE;/Set Erase bitFCTL3=FWKEY;/Clear Lock bit*Flash_ptrB=0 x0f;/Dummy write to erase Flash segment BFCTL1=FWKEY+WRT;/Set WRT bit for write operationfor(i=0;i128;i+)*Flash_ptrB+=*Flash_ptrA+;/Copy value segmentAto segment BFCTL1=FWKEY;/Clear WRT bitFCTL3=FWKEY+LOCK;/Set LOCK bit