介质经时击穿评估自动测试操作.pdf

《介质经时击穿评估自动测试操作.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《介质经时击穿评估自动测试操作.pdf（12页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、ESSUNESSUNESSUNESSUN 文件名称：文件管理控制程序 冯程程 保密等级：一般受控 页码：第 1 页共 12页 E E E ES S S SS S S SU U U UN N N N 介质经时击穿介质经时击穿介质经时击穿介质经时击穿（TDDB）评估评估评估评估自自自自动测试操作流程动测试操作流程动测试操作流程动测试操作流程 ESSUNESSUNESSUNESSUN 文件名称：文件管理控制程序 冯程程 保密等级：一般受控 页码：第 2 页共 12页 文件制订履历表 序号 版本 修订条款号 制(修)订 审核 会审 核准 生效日期 1 A.0 冯程程 ESSUNESSUNESSUNES

2、SUN 文件名称：文件管理控制程序 冯程程 保密等级：一般受控 页码：第 3 页共 12页 目录目录目录目录 1、目的.4 2、适用范围.4 3、职责.4 4、定义缩写.4 5、程序及说明.5 5.1 准备测试.6 5.2 Stress条件的确定.8 5.3 TDDB测试.10 5.4 结束测试.11 6、流程图.12 7、相关文件.12 8、记录表单.12 ESSUNESSUNESSUNESSUN 文件名称：文件管理控制程序 冯程程 保密等级：一般受控 页码：第 4 页共 12页 1、目的目的目的目的 本文档详细描述了使用Agilent 4156C、探针台s300以及ICRD可靠性测试系统，

3、自动完成介质膜经时击穿（TDDB）测试的流程，方便了研发中心各技术人员顺利进行介质可靠性的评估。2、适用适用适用适用范围范围范围范围 本程序适用于研发中心技术人员对于可靠性测试中氧化膜经时击穿评估的规范操作。3、职责职责职责职责 可靠性工程师负责执行可靠性相关测试。4、定义缩写定义缩写定义缩写定义缩写 无。ESSUNESSUNESSUNESSUN 文件名称：文件管理控制程序 冯程程 保密等级：一般受控 页码：第 5 页共 12页 5、程序及说明程序及说明程序及说明程序及说明 开始测试 开启软件 分配SMU 设置TDDB测试条件 进行TDDB测试 测试结束 设置测试数据保存路径 自动测试？连接探

4、针台GPIB 设置TDDB测试条件 设置Wafer Map路径 开始TDDB自动测试 测试结束，继续测试？已知测试条件?进行Vramp测试，确定测试条件 测试结束，继续测试？测试结束 是 是 否 是 否 是 否 否 ESSUNESSUNESSUNESSUN 文件名称：文件管理控制程序 冯程程 保密等级：一般受控 页码：第 6 页共 12页 5.1 准备测试准备测试准备测试准备测试 5.1.1开启软件开启软件开启软件开启软件 双击桌面上“可靠性测试系统.exe”图标，出现测试程序主界面，在主界面上点击“TDDB”按钮，出现连接Agilent4156C GPIB界面，可根据实际情况修改GPIB地址

5、。点击确定后，进入TDDB测试界面。5.1.2选择测试文件保存路径选择测试文件保存路径选择测试文件保存路径选择测试文件保存路径 点击软件界面上的“保存路径”按钮，选择您需要将测试数据保存的文件夹的位置，也可以直接在文本框中输入路径。ESSUNESSUNESSUNESSUN 文件名称：文件管理控制程序 冯程程 保密等级：一般受控 页码：第 7 页共 12页 5.1.3设定设定设定设定SMU通道通道通道通道 根据4156C SMU对应DUT的实际位置进行设定。其中“H”对应高电压加载管脚，“L”对应低电压加载管脚。ESSUNESSUNESSUNESSUN 文件名称：文件管理控制程序 冯程程 保密等

6、级：一般受控 页码：第 8 页共 12页 5.1.4设定测试结构基本信息设定测试结构基本信息设定测试结构基本信息设定测试结构基本信息 填入测试结构信息，包括Wafer ID,Tox,Area,Vbd,Vdd。这些信息仅作为测试结构识别用，会保存在测试数据文件中，与测试结果无关。5.2 Stress条件的确定条件的确定条件的确定条件的确定 5.2.1 Vramp测试测试测试测试 选一个未测过的DUT做Vramp测试。在“Vramp”栏中，输入Vramp测试条件，包括Vgstart,Sweep step和Vgstop。然后点击“开始测试”，4156即开始测试。测试结束后，点击“查看数据（EXCEL

7、）”，可以将数据导入到EXCEL文件中。ESSUNESSUNESSUNESSUN 文件名称：文件管理控制程序 冯程程 保密等级：一般受控 页码：第 9 页共 12页 5.2.2确定确定确定确定stress电压电压电压电压 1E-101E-091E-081E-071E-061E-050.00010.0010.010510152025Vg(V)Ig(A)Nwell 确定氧化膜的击穿电压Vbd，选取低于Vbd并且击穿时间在1000秒左右的Vg作为最低Vgstr1，Vgstr2=Vgstr10.3(V)，Vgstr3=Vgstr20.3(V)。如上图PMOS的击穿电压为19V，选取的Vgstr为16.

8、2V、16.5V、16.8V。击穿点 ESSUNESSUNESSUNESSUN 文件名称：文件管理控制程序 冯程程 保密等级：一般受控 页码：第 10 页共 12页 5.3 TDDB测试测试测试测试 5.3.1 TDDB非半自动非半自动非半自动非半自动测试测试测试测试 选择一未测DUT。在“TDDB test”栏中，输入测试条件。Vgstr为stress电压，Time Interval 为数据采用周期，NO.of sampling为数据采样数量，I compliance为设备compliance电流。点击“开始测试”，TDDB测试即开始，可在4156界面上看到测试曲线。测试完成后，点击“查看数

9、据（EXCEL）”，取回测试数据并保存。注：在此栏中进行的测试无判停功能。如在4156界面上发现测试已完成，可在4156上手动停止。否则测试会在测完所有“NO.of sampling”后才停止。ESSUNESSUNESSUNESSUN 文件名称：文件管理控制程序 冯程程 保密等级：一般受控 页码：第 11 页共 12页 5.3.2 TDDB半自动半自动半自动半自动测试测试测试测试 对探针台进行校准。并选取测试die，对map文件进行保存。在“半自动测试”栏中点击“连接Cascade”，连接探针台GPIB。输入测试wafer的map文件路径。在“Vgstr”下的数据框中设置测试stress电压，

10、可设置多个值，以“，”隔开，设置“Time interval”、“I compliance”、“No.of sampling”，含义与之前手动测试相同。设置“NO.DIE”，此数值为每个stress条件测试DUT数量。设定Stop Condition：“Name”为判停的对象，阈值为判停标准。“Event”为判停事件，“EVENT NO.”为判停事件发生的次数。点击“开始测试”，开始半自动测试。下方的“NOW”栏中会显示当前测试的Vgstr和当前测试DUT序号。5.4 结束测试结束测试结束测试结束测试 ESSUNESSUNESSUNESSUN 文件名称：文件管理控制程序 冯程程 保密等级：一般受控 页码：第 12 页共 12页 6、流程图流程图流程图流程图 无 7、相关文件相关文件相关文件相关文件 无 8、记录表单记录表单记录表单记录表单 无