光纤通信有源器.ppt
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1、第第5章光纤通信章光纤通信-有源器件有源器件光纤技术专题光纤技术专题专题一:半导体激光器、半导体专题一:半导体激光器、半导体专题一:半导体激光器、半导体专题一:半导体激光器、半导体发发发发光二极管光二极管光二极管光二极管p61p61专题二:光纤激光器专题二:光纤激光器专题二:光纤激光器专题二:光纤激光器专题三:光纤专题三:光纤专题三:光纤专题三:光纤放大器放大器放大器放大器p76p76半导体激光器半导体激光器 半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。其工作原理是,通过一定的激励方式,受激发射作用的器件。其工作原理是,通
2、过一定的激励方式,在半导体物质的能带在半导体物质的能带(导带与价带导带与价带)之间,或者半导体物质的之间,或者半导体物质的能带与杂质能带与杂质(受主或施主受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的能级之间,实现非平衡载流子的粒粒子数反转子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。便产生受激发射作用。半导体激光器半导体激光器 半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器,一般是泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器,一般是由
3、由GaAs(砷化镓砷化镓),InAs(砷化铟砷化铟),InSb(锑化铟锑化铟)等材料制成的等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射。光泵式半导体激光器,一般用平面区域产生受激发射。光泵式半导体激光器,一般用N型型或或P型半导体单晶型半导体单晶(如如GaAs,InAs,InSb等等)做工作物质,以其他做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励。高能电子束激励式半导体激激光器发出的激光作光泵激励。高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用光器,一般也是用N型或者型或者P型半导体单晶型半导体单晶(如如Pb
4、S,CdS,ZnO等等)做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励。做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励。在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质结异质结构的电注入式构的电注入式GaAs二极管激光器。二极管激光器。半导体激光器半导体激光器半导体激光器发展现状半导体激光器发展现状 半导体激光器又称半导体激光器又称激光二极管激光二极管(LD)。进入八十年代,人们吸收了半。进入八十年代,人们吸收了半导体物理发展的最新成果,采用了量子阱导体物理发展的最新成果,采用了量子阱(QW)和应变量子阱和应变量子阱(SL-QW)等等新颖
5、性结构,引进了折射率调制新颖性结构,引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制发射器以及增强调制Bragg发射器发射器最新技术,同时还发展了最新技术,同时还发展了MBE、MOCVD及及CBE等晶体生长技术新工艺,等晶体生长技术新工艺,使得新的外延生长工艺能够精确地控制晶体生长,达到原子层厚度的精使得新的外延生长工艺能够精确地控制晶体生长,达到原子层厚度的精度,生长出优质量子阱以及应变量子阱材料。制作出的度,生长出优质量子阱以及应变量子阱材料。制作出的LD,其阈值电流,其阈值电流显著下降,转换效率大幅度提高,输出功率成倍增长,使用寿命也明显显著下降,转换效率大幅度提高,输出功率成倍增长,使用寿
6、命也明显加长。加长。用于信息技术领域的小功率用于信息技术领域的小功率LD发展极快。例如用于光纤通信及光交发展极快。例如用于光纤通信及光交换系统的换系统的分布反馈分布反馈(DFB)和动态单模和动态单模LD、窄线宽可调谐、窄线宽可调谐DFB-LD、用于光、用于光盘等信息处理技术领域的可见光波长盘等信息处理技术领域的可见光波长(如波长为如波长为670nm、650nm、630nm的红光到蓝绿光的红光到蓝绿光)LD、量子阱、量子阱面发射激光器面发射激光器以及超短脉冲以及超短脉冲LD等都得到实等都得到实质性发展。这些器件的发展特征是:单频窄线宽、高速率、可调谐以及质性发展。这些器件的发展特征是:单频窄线宽
7、、高速率、可调谐以及短波长化和光电单片集成化等。短波长化和光电单片集成化等。半导体激光器发展现状半导体激光器发展现状 高功率高功率LD 1983年,波长年,波长800nm的单个的单个LD输出功率已超过输出功率已超过100mW,到了,到了1989年,年,0.1mm条宽的条宽的LD则达到则达到3.7W的连续输出,而的连续输出,而1cm线阵线阵LD已达到已达到76W输出,输出,转换效率达转换效率达39%。1992年,美国人又把指标提高到一个新水平:年,美国人又把指标提高到一个新水平:1cm线阵线阵LD连续波输出功率达连续波输出功率达121W,转换效率为,转换效率为45%。现在,输出功率为。现在,输出
8、功率为120W、1500W、3kW等诸多高功率等诸多高功率LD均已面世。高效率、高功率均已面世。高效率、高功率LD及其列阵的及其列阵的迅速发展也为全固化激光器,亦即半导体激光泵浦迅速发展也为全固化激光器,亦即半导体激光泵浦(LDP)的的固体激光器固体激光器的的迅猛发展提供了强有力的条件。迅猛发展提供了强有力的条件。近年来,为适应近年来,为适应EDFA和和EDFL等需要,波长等需要,波长980nm的大功率的大功率LD也有也有很大发展。最近配合光纤很大发展。最近配合光纤Bragg光栅作选频滤波,大幅度改善其输出稳定光栅作选频滤波,大幅度改善其输出稳定性,泵浦效率也得到有效提高。性,泵浦效率也得到有
9、效提高。特点及应用范围特点及应用范围 半导体二极管激光器是实用中最重要的一类激光半导体二极管激光器是实用中最重要的一类激光器。它体积小、寿命长,并可采用简单的注入电流的器。它体积小、寿命长,并可采用简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容,因而方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容,因而可与之单片集成。并且还可以用高达可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点,半导体二极管激光器在激光通信、优点,半导体二极管激光器在激光通信、光存储光存储、光、光陀螺、激光打印、测距
10、以及雷达等方面以及获得了广陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面以及获得了广泛的应用。泛的应用。半导体发光二极管半导体发光二极管 半导体发光二极管半导体发光二极管(light emitting diode,LED)发射的是发射的是自发辐射光(非相干光)。大多采用双异自发辐射光(非相干光)。大多采用双异质结结构,把有源层夹在质结结构,把有源层夹在P P型和型和N N型限制层间,但没型限制层间,但没有光学谐振腔,故无阈值。有光学谐振腔,故无阈值。LEDLED分为正面发光型和侧分为正面发光型和侧面发光型,侧面发光型面发光型,侧面发光型LEDLED的驱动电流较大,输出光的驱动电流较大,输出光功率小,但光束
11、发射角小,与光纤的耦合效率高,功率小,但光束发射角小,与光纤的耦合效率高,故入纤光功率比正面发光型故入纤光功率比正面发光型LEDLED高。高。半导体发光显示器件(半导体发光显示器件(LED)What is LED?Light emitting diodes,commonly called LEDs,are used for dozens of different applications and are found in all kinds of devices(digital clocks,remote controls,light up watches and tell turned on
12、 indicator).Television screenP-N结发光原理 发光二极管的基本结构发光二极管的基本结构球透镜环氧树脂P层有源层N层发光区(a)正面发光型微透镜P型限制层有源层波导层N型限制层(b)侧面发光型LED的光谱特性的光谱特性 发发光光二二极极管管发发射射的的是是自自发发辐辐射射光光,没没有有光光学学谐谐振振腔腔对对波波长长的的选选择择,谱谱线线宽宽,短短波波 长长 LED谱谱 线线宽宽 度度 为为 3050nm。长长波波长长LED的的 谱谱 线线 宽宽度度 为为 6 120nm。LEDLED的输出光功率特性的输出光功率特性正面发光侧面发光电流I/mA 发射光功率 P/mw
13、0 100 200 300 400 500 LED的的一一般般外外量量子子效效率率小小于于10%,驱驱动动电电流流较较小小时时,P-I特特性性呈呈线线性性,I过过大大时时,由由于于PN结结发发热热产产生生饱饱和和现现象象,使使P-I特特性性曲曲线线斜斜率率减减小小。通通常常LED的的工工作作电电流流为为50100mA,输输出出光光功功率率为为几几mW,由由于发光光束辐射角大,入纤光功率只有几百于发光光束辐射角大,入纤光功率只有几百W。LED光源的特点光源的特点 电压:电压:LED使用低压电源,供电电压在使用低压电源,供电电压在6-24V之间,根据产品之间,根据产品不同而异,它是一个比使用高压电
14、源更安全的电源,特别适不同而异,它是一个比使用高压电源更安全的电源,特别适用于公共场所。用于公共场所。效能:消耗能量较同光效的白炽灯减少效能:消耗能量较同光效的白炽灯减少80%。适用性:很小,每个单元适用性:很小,每个单元LED小片是小片是3-5mm的正方形,所以的正方形,所以可以制备成各种形状的器件,并且适合于易变的环境可以制备成各种形状的器件,并且适合于易变的环境 稳定性:稳定性:10万小时,光衰为初始的万小时,光衰为初始的50%。响应时间:其白炽灯的响应时间为毫秒级,响应时间:其白炽灯的响应时间为毫秒级,LED灯的响应时灯的响应时间为纳秒级。间为纳秒级。对环境污染:无有害金属汞对环境污染
15、:无有害金属汞。颜色:改变电流可以变色,发光二极管方便地通过化学修饰颜色:改变电流可以变色,发光二极管方便地通过化学修饰方法,调整材料的能带结构和带隙,实现红黄绿兰橙多色发方法,调整材料的能带结构和带隙,实现红黄绿兰橙多色发光。如小电流时为红色的光。如小电流时为红色的LED,随着电流的增加,可以依次,随着电流的增加,可以依次变为橙色,黄色,最后为绿色。变为橙色,黄色,最后为绿色。价格:价格:LED的价格比较昂贵,较之于白炽灯,几只的价格比较昂贵,较之于白炽灯,几只LED的价的价格就可以与一只白炽灯的价格相当,而通常每组信号灯需由格就可以与一只白炽灯的价格相当,而通常每组信号灯需由上上30050
16、0只二极管构成。只二极管构成。单色光单色光LED的种类及其发展历史的种类及其发展历史最早应用半导体最早应用半导体P-N结发光原理制成的结发光原理制成的LED光源问世于光源问世于20世纪世纪60年代初。当时所用的材料是年代初。当时所用的材料是GaAsP,发红光,发红光(=650nm),在驱动电流为),在驱动电流为20毫安时,光通量只有千分毫安时,光通量只有千分之几个流明,相应的发光效率约之几个流明,相应的发光效率约0.1流明流明/瓦。瓦。70年代中期,引入元素年代中期,引入元素In和和N,使,使LED产生绿光产生绿光(=555nm),黄光(),黄光(=590nm)和橙光()和橙光(=610nm)
17、,),光效也提高到光效也提高到1流明流明/瓦。瓦。到了到了80年代初,出现了年代初,出现了GaAlAs的的LED光源,使得红色光源,使得红色LED的光效达到的光效达到10流明流明/瓦。瓦。90年代初,发红光、黄光的年代初,发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功,使两种新材料的开发成功,使LED的光效得到大幅度的光效得到大幅度的提高。在的提高。在2000年,前者做成的年,前者做成的LED在红、橙区在红、橙区(=615nm)的光效达到)的光效达到100流明流明/瓦,而后者制成的瓦,而后者制成的LED在绿色区域(在绿色区域(p=530nm)的光效可以达
18、到)的光效可以达到50流明流明/瓦。瓦。单色光单色光LED应用应用最初最初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会效益。以效益。以12英寸的红色交通信号灯为例,在美英寸的红色交通信号灯为例,在美国本来是采用长寿命,低光效的国本来是采用长寿命,低光效的140瓦白炽灯瓦白炽灯作为光源,它产生作为光源,它产生2000流明的白光。经红色滤流明的白光。经红色滤光片后,光损失光片后,光损失90%,只剩下,只剩下200流明
19、的红光。流明的红光。而在新设计的灯中,而在新设计的灯中,Lumileds公司采用了公司采用了18个个红色红色LED光源,包括电路损失在内,共耗电光源,包括电路损失在内,共耗电14瓦,即可产生同样的光效。瓦,即可产生同样的光效。单色光单色光LED应用应用汽车信号灯也是汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。光源应用的重要领域。1987年,我国开始在汽车上安装高位刹车灯,年,我国开始在汽车上安装高位刹车灯,由于由于LED响应速度快(纳秒级),可以及早让响应速度快(纳秒级),可以及早让尾随车辆的司机知道行驶状况,减少汽车追尾尾随车辆的司机知道行驶状况,减少汽车追尾事故的发生。事故的发生。另外,另外,
20、LED灯在室外红、绿、蓝全彩广告显示灯在室外红、绿、蓝全彩广告显示屏得到了广泛的应用。屏得到了广泛的应用。360LED环型显示器环型显示器一个城市,仅一个世贸中心西部第一高:市民游人共同关注的标志位置都市新地标:国内外大品牌汇集的中心区域解放碑CBD:巧妙融合了经济和文化于一体视觉新融点:唯一人流与车流结合的大彩屏高端受众体:吸收的远非人车流量且有质量品牌彰显体:真正四量拨千斤的大品牌载体世贸大厦世贸大厦LED鸟瞰图鸟瞰图白色LED照明灯地砖灯礼品灯手电筒光纤激光器的发展现状光纤激光器的发展现状激光器和光纤激光器的基本原理激光器和光纤激光器的基本原理几种实用型光纤激光器几种实用型光纤激光器激光
21、器的基本原理激光器的基本原理激光器的基本原理激光器的基本原理是光受激辐射的放是光受激辐射的放大大激光器的三个组成激光器的三个组成部分:泵浦源,工部分:泵浦源,工作作物质物质,谐振腔,谐振腔短脉冲激光器的产短脉冲激光器的产生:锁模技术生:锁模技术非轴向模非轴向模轴向模轴向模光谐振腔的选模作用光谐振腔的选模作用光纤激光器的基本原理光纤激光器的基本原理光纤激光器的基本光纤激光器的基本结构光纤激光器中结构光纤激光器中的工作的工作物质物质是掺杂是掺杂光纤,光纤环是谐光纤,光纤环是谐振腔,一般采用半振腔,一般采用半导体激光器泵浦导体激光器泵浦光纤激光器的优点光纤激光器的优点短脉冲光纤激光器:短脉冲光纤激光
22、器:高速短脉冲光纤激高速短脉冲光纤激光器,超短脉冲光光器,超短脉冲光纤激光器纤激光器掺铒光纤掺铒光纤隔离器隔离器波分复用器波分复用器980nm980nm泵浦泵浦几种实用的光纤激光器几种实用的光纤激光器大功率双掺杂光纤激光器大功率双掺杂光纤激光器窄线宽光纤激光器窄线宽光纤激光器短脉冲光纤激光器短脉冲光纤激光器大功率光纤激光器大功率光纤激光器实现大功率输出实现大功率输出的主要技术的主要技术 采用包层泵浦技采用包层泵浦技术,采用特种光术,采用特种光纤作为增益介质,纤作为增益介质,同时采用特种材同时采用特种材料制造光纤料制造光纤大功率光纤激光大功率光纤激光器的应用器的应用 激光加工,激光激光加工,激光
23、医疗和军事医疗和军事大功率双掺杂光纤激光器大功率双掺杂光纤激光器 1英国英国SPI公司的大功率公司的大功率光纤激光器光纤激光器redPOWERTM 高功率高功率光纤激光模块光纤激光模块-1550nm 输出最大可达输出最大可达 4W,波,波长长1.5 mredPOWERTM 紧凑激紧凑激光模块光模块(2W-10W)最大输出可达最大输出可达10W,波,波长长1m大功率双掺杂光纤激光器大功率双掺杂光纤激光器 2俄罗斯俄罗斯IPG公司的大功公司的大功率光纤激光器率光纤激光器YLR-SM Series100W to 1.5kW output Optical Power1060 to 1080nm Wav
24、elength Range100khrs Estimated Pump Diode MTBF光纤激光器打标系统光纤激光器打标系统大功率双包层光纤大功率双包层光纤激光器打标系统的激光器打标系统的光路图光路图JDS Uniphases Continuous Wave(CW)Fiber Laser Marking(FLM)System 光纤激光器打标系统的应用光纤激光器打标系统的应用 1激光雕刻,右图为激光雕刻,右图为激光雕刻的示意图激光雕刻的示意图下图为激光雕刻的下图为激光雕刻的图形图形光纤激光器打标系统的应用光纤激光器打标系统的应用 2光纤激光器可以用于光纤激光器可以用于材料的改性,右图为材料的
25、改性,右图为示意图示意图下图为材料改性的例下图为材料改性的例子子光纤激光器打标系统的应用光纤激光器打标系统的应用 3大功率光纤激光大功率光纤激光器可以用于激光器可以用于激光切割和剥离。右切割和剥离。右图为示意图图为示意图下图为剥离出来下图为剥离出来的图形的图形连续激光和脉冲激光打标的比较连续激光和脉冲激光打标的比较下图左图为连续打标系统的效果,右图下图左图为连续打标系统的效果,右图为脉冲激光打标系统的效果。为脉冲激光打标系统的效果。光纤激光器和其它激光器比较光纤激光器和其它激光器比较和二氧化碳激光器比较和二氧化碳激光器比较可以有更高峰值功率脉可以有更高峰值功率脉冲激光,可以加工的材冲激光,可以
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- 光纤通信 有源
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