青海半导体靶材项目招商引资方案_范文参考.docx
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1、泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案青海半导体靶材项目青海半导体靶材项目招商引资方案招商引资方案xxxx 集团有限公司集团有限公司泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案目录目录第一章第一章 项目背景分析项目背景分析.9一、国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲.9二、应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展.11三、构建和完善创新生态.14第二章第二章 项目概述项目概述.15一、项目名称及项目单位.15二、项目建设地点.15三、可行性研究范围.15四、编制依据和技术原则.16五、建设背景、规模.17六、项目建设进度.18七、环境影响.18八、建设投资估算.18九、
2、项目主要技术经济指标.19主要经济指标一览表.19十、主要结论及建议.21第三章第三章 建筑物技术方案建筑物技术方案.22一、项目工程设计总体要求.22二、建设方案.22三、建筑工程建设指标.23泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案建筑工程投资一览表.24第四章第四章 项目选址分析项目选址分析.26一、项目选址原则.26二、建设区基本情况.26三、增强创新基础能力。.28四、项目选址综合评价.29第五章第五章 建设内容与产品方案建设内容与产品方案.30一、建设规模及主要建设内容.30二、产品规划方案及生产纲领.30产品规划方案一览表.30第六章第六章 法人治理法人治理.32一、股东权利及义
3、务.32二、董事.39三、高级管理人员.44四、监事.47第七章第七章 SWOT 分析分析.49一、优势分析(S).49二、劣势分析(W).50三、机会分析(O).51四、威胁分析(T).52第八章第八章 工艺技术设计及设备选型方案工艺技术设计及设备选型方案.57泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案一、企业技术研发分析.57二、项目技术工艺分析.59三、质量管理.60四、设备选型方案.61主要设备购置一览表.62第九章第九章 进度计划进度计划.64一、项目进度安排.64项目实施进度计划一览表.64二、项目实施保障措施.65第十章第十章 原辅材料及成品分析原辅材料及成品分析.66一、项目建设
4、期原辅材料供应情况.66二、项目运营期原辅材料供应及质量管理.66第十一章第十一章 人力资源分析人力资源分析.68一、人力资源配置.68劳动定员一览表.68二、员工技能培训.68第十二章第十二章 项目节能说明项目节能说明.70一、项目节能概述.70二、能源消费种类和数量分析.71能耗分析一览表.71三、项目节能措施.72四、节能综合评价.73泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案第十三章第十三章 投资计划方案投资计划方案.74一、投资估算的依据和说明.74二、建设投资估算.75建设投资估算表.79三、建设期利息.79建设期利息估算表.79固定资产投资估算表.81四、流动资金.81流动资金估算
5、表.82五、项目总投资.83总投资及构成一览表.83六、资金筹措与投资计划.84项目投资计划与资金筹措一览表.84第十四章第十四章 项目经济效益评价项目经济效益评价.86一、基本假设及基础参数选取.86二、经济评价财务测算.86营业收入、税金及附加和增值税估算表.86综合总成本费用估算表.88利润及利润分配表.90三、项目盈利能力分析.91项目投资现金流量表.92四、财务生存能力分析.94五、偿债能力分析.94泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案借款还本付息计划表.95六、经济评价结论.96第十五章第十五章 风险评估分析风险评估分析.97一、项目风险分析.97二、项目风险对策.99第十六章
6、第十六章 总结总结.101第十七章第十七章 附表附件附表附件.103营业收入、税金及附加和增值税估算表.103综合总成本费用估算表.103固定资产折旧费估算表.104无形资产和其他资产摊销估算表.105利润及利润分配表.106项目投资现金流量表.107借款还本付息计划表.108建设投资估算表.109建设投资估算表.109建设期利息估算表.110固定资产投资估算表.111流动资金估算表.112总投资及构成一览表.113项目投资计划与资金筹措一览表.114泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案报告说明报告说明半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一,也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领
7、域,靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至 99.9999%(6N)以上。半导体芯片的制作过程可分为芯片设计、晶圆制造、芯片封装和芯片测试四大环节,其中,在晶圆制造和芯片封装这两个环节中都需要用到金属溅射靶材。其中,靶材在晶圆制造环节主要被用作金属溅镀,常采用 PVD 工艺进行镀膜,通常使用纯度在 5N5 及以上的铜靶、铝靶、钽靶、钛靶以及部分合金靶等;靶材在芯片封装环节常用作贴片焊线的镀膜,常采用高纯及超高纯金属铜靶、铝靶、钽靶等。根据谨慎财务估算,项目总投资 27017.03 万元,其中:建设投资21486.82 万元,占项目总投资的 79.53%;建设期利息 531.35 万元
8、,占项目总投资的 1.97%;流动资金 4998.86 万元,占项目总投资的18.50%。项目正常运营每年营业收入 46200.00 万元,综合总成本费用40059.95 万元,净利润 4464.54 万元,财务内部收益率 8.92%,财务净现值-3817.42 万元,全部投资回收期 7.72 年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案综上所述,本项目能够充分利用现有设施,属于投资合理、见效快、回报高项目;拟建项目交通条件好;供电供水条件好,因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想,有利于行业结构调整。本报告基
9、于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案第一章第一章 项目背景分析项目背景分析一、国产替代国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲技术革新,高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来,靶材是制备功能薄膜的核心原材料,主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域,实现导电或阻挡等功能。2020 年全球靶材市场规模约 188 亿美元,我国靶材市场规模为 46 亿美元。从供给来看,四家日美巨头占据 80%靶材市场,国内溅射靶材主要应用于中低端产品,国产
10、替代需求强烈。产业转移加速靶材国产替代,技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域,纯度要求通常达 5N5 甚至 6N 以上。随着半导体产业加速向国内转移,预计 25年我国半导体靶材市场规模将达到约 6.7 亿美元,21-25 年我国靶材需求增速或达 9.2%。同时随着下游芯片技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展,其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面,日美厂商约占 90%份额,但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破,同时产能也在不断扩张,预计未来 2-3 年我国半导体靶材将新增 10 万块以上产能。泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资
11、方案国产替代+产品迭代,我国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺,可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为 Cu、Al、Mo 和 IGZO 等,纯度和技术要求仅次于半导体,一般在 4N甚至 5N 以上,但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升,预计 25 年我国FDP 靶材市场规模将达 50 亿美元,21-25 年 CAGR 为 18.9%。此外预计OLED 用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看,我国显示面板靶材高度依赖进口,日企在国内市场仍然占据主导地位,国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主,国产
12、替代正逐渐加速。Hit 量产元年开启,靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和 HIT 光伏电池,纯度一般在 4N 以上。随着 HIT 电池和薄膜电池的发展,预计 25 年我国市场规模将接近 38 亿美元,21-25 年CAGR 为 56.1%。供给方面,由于国内薄膜电池及 HIT 电池市场规模尚小,相关靶材企业也较少,多处起步阶段,其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大,此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作,常用材料为钴(3N)/镍/铁合金/铬/碲、硒(4N)/稀土-迁移金属(3N)等,主要包括铬靶、镍靶、钴
13、靶。我国泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案磁记录靶材市场以海外供应为主,中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低,且记录媒体研发重心主要在半导体存储,预计传统机械键盘成长空间有限,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND 领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。二、应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展高纯度化发展芯片制程工艺已经从 130nm 提升至 7nm,晶圆尺寸也已实现了 8 英寸到 12 英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游
14、应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从 130nm 提升至 7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了 8英寸到 12 英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求,对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案1、趋势 1:大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向,但随
15、尺寸增加,靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加,对技术要求就越高。晶圆尺寸越大,可利用效率越高。.12 英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积,得以达到效率最佳化,相对于 8 英寸晶圆而言,12 英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势 2:多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说 110nm 晶圆技术节点以上使用铝导线,110nm 晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作
16、为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线工艺的应用量在逐步增大,因此,铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上,从全球晶圆厂产能建设情况来看,12 寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线由于具有更低的电迁移效应,及更低的电阻,有降低功耗、提高运算速度等作用,泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案应用量在逐步增大。据 SEMI 数据显示,如今 12 英寸晶圆约占 64%,8英寸晶圆占比达 26%,其他尺寸晶圆占比 10%。12 英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可
17、靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出,也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的 110nm 以上工艺以确保可靠性。因此,芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰,因可靠性、抗干扰性、低成本等优势,110nm 以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势 3:高纯化高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料,通常半导体靶材纯度要求通常达 99.9995%(5N5)甚至 99.9999%(6N)以上。在下游应用领域中,半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高,随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来,相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展,同
18、时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关,为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求,所需要的溅射靶材纯度不断攀升,通常半导体靶材纯度要求通常达 99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内,美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒,依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位,议价能力强,国内溅射靶材的高纯金属原料多数也依靠日美进口。但经过多年的靶材技术开发,近年来部分企业已在部分金属提纯
19、方面已取得了重大突破,已开始逐步实现国产替代。三、构建和完善创新生态构建和完善创新生态深化科技体制改革,推动各类创新主体协同互动、创新要素顺畅对接和创新资源高效配置。推动产学研深度融合,完善科技成果转化机制,培育新型研发机构。改进科技项目组织管理方式,实行“揭榜挂帅”等制度。加强知识产权保护,建立健全知识产权管理体系,构建收益分配机制,完善权益分享机制。推进创新型城市建设。完善覆盖科技创新全链条的创新创业服务体系,培育研究开发、技术转移等科技服务机构,开展创业投资与科技保险融合发展试点。加大对科技型中小企业重大创新技术、产品和服务采购力度。鼓励企业加大研发投入,落实企业投入基础研究税收优惠政策
20、,鼓励建立研发准备金制度。弘扬科学精神,做好科普工作,营造鼓励创新创业的社会氛围。泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案第二章第二章 项目概述项目概述一、项目名称及项目单位项目名称及项目单位项目名称:青海半导体靶材项目项目单位:xx 集团有限公司二、项目建设地点项目建设地点本期项目选址位于 xxx(以选址意见书为准),占地面积约 63.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、可行性研究范围可行性研究范围依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况,按照项目的建设要求,对项目的实施在技术、经济
21、、社会和环境保护等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证。研究、分析和预测国内外市场供需情况与建设规模,并提出主要技术经济指标,对项目能否实施做出一个比较科学的评价,其主要内容包括如下几个方面:1、确定建设条件与项目选址。2、确定企业组织机构及劳动定员。3、项目实施进度建议。泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案4、分析技术、经济、投资估算和资金筹措情况。5、预测项目的经济效益和社会效益及国民经济评价。四、编制依据和技术原则编制依据和技术原则(一)编制依据(一)编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035 年远景目标纲要;2、中国制造 2025;3、建设项目经济评
22、价方法与参数及使用手册(第三版);4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。(二)技术原则(二)技术原则1、坚持科学发展观,采用科学规划,合理布局,一次设计,分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势,合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则,根据行业的现有格局和未来发展方向,优化设备选型和工艺方案,使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则,产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金,将先进性与实用性有机结合,做到投入少、产出多,效益最大化。泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案5、严格遵守“三同时”设计原则,对项目可能产生的污染源进行综合
23、治理,使其达到国家规定的排放标准。五、建设背景、规模建设背景、规模(一)项目背景(一)项目背景芯片制程工艺已经从 130nm 提升至 7nm,晶圆尺寸也已实现了 8 英寸到 12 英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从 130nm 提升至 7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了 8英寸到 12 英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片
24、高精度、小尺寸的需求,对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。(二)建设规模及产品方案(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积 42000.00(折合约 63.00 亩),预计场区规划总建筑面积 80921.19。其中:生产工程 54527.76,仓储工程泓域咨询/青海半导体靶材项目招商引资方案13577.26,行政办公及生活服务设施 9837.19,公共工程2978.98。项目建成后,形成年产 xx 吨半导体靶材的生产能力。六、项目建设进度项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xx 集团有限公
25、司将项目工程的建设周期确定为 24 个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、环境影响环境影响本项目的建设符合国家政策,各种污染物采取治理措施后对周围环境影响较小,从环保角度分析,本项目的建设是可行的。八、建设投资估算建设投资估算(一)项目总投资构成分析(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资 27017.03 万元,其中:建设投资 21486.82万元,占项目总投资的 79.53%;建设期利息 531.35 万元,占项目总投资的 1.97%;流动资金 4998.86
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