VLSI电路与系统CHAP5P1资料.ppt
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1、第五章 数字ASIC设计特点 5.1 信号的分类 静态同步静态同步ASICASIC中的所有信号可以分为以下三种:中的所有信号可以分为以下三种:时钟、控制信号和数据。时钟、控制信号和数据。1.1.简单的时钟信号用于控制所有的边缘敏感触简单的时钟信号用于控制所有的边缘敏感触发器,别无他用。它不受任何其他信号的控制。发器,别无他用。它不受任何其他信号的控制。2.2.控制信号,如控制信号,如“允许允许”和和“复位复位”,用于使,用于使电路元件初始化、使之保持在当前状态、在几个输电路元件初始化、使之保持在当前状态、在几个输入信号间作出选择或使信号通到另外的输出端。若入信号间作出选择或使信号通到另外的输出
2、端。若干控制信号可以全部来自同一个允许产生器,但受干控制信号可以全部来自同一个允许产生器,但受到状态计数器的控制。到状态计数器的控制。3.3.数据信号中含有数据,它可以是数据信号中含有数据,它可以是一些单独一些单独的比特,也可以是总线中的并行数据。的比特,也可以是总线中的并行数据。静态同步静态同步ASICASIC中的所有信号可以分为以下三种:时钟、控中的所有信号可以分为以下三种:时钟、控制信号和数据。制信号和数据。1.1.简单的时钟信号用于控制所有的边缘敏感触发器,别无简单的时钟信号用于控制所有的边缘敏感触发器,别无他用。它不受任何其他信号的控制。他用。它不受任何其他信号的控制。2.2.控制信
3、号,如控制信号,如“允许允许”和和“复位复位”,用于使电路元件初,用于使电路元件初始化、使之保持在当前状态、在几个输入信号间作出选择或使始化、使之保持在当前状态、在几个输入信号间作出选择或使信号通到另外的输出端。若干控制信号可以全部来自同一个允信号通到另外的输出端。若干控制信号可以全部来自同一个允许产生器,但受到状态计数器的控制。许产生器,但受到状态计数器的控制。3.3.数据信号中含有数据,它可以是数据信号中含有数据,它可以是一些单独的比特,也一些单独的比特,也可以是总线中的并行数据。可以是总线中的并行数据。5.2 驱动能力、绝对扇出和相对扇出 一片一片ASICASIC由若干功能单元由若干功能
4、单元(部件或门部件或门)组成,每组成,每一单元有一个或多个输入信号,并产生一个或多一单元有一个或多个输入信号,并产生一个或多个输出信号。个输出信号。每一输出信号受一定强度的驱动,即具有一每一输出信号受一定强度的驱动,即具有一定的定的驱动能力驱动能力,它,它决定于此部件的晶体管结构决定于此部件的晶体管结构。每一输入端在驱动它的部件每一输入端在驱动它的部件(或外部输入端或外部输入端)上加了一定的负载。上加了一定的负载。负载的大小也取决于部件的负载的大小也取决于部件的晶体管结构晶体管结构。单单位位负负载载和和单单位位驱驱动动能能力力是是由由一一个最小尺寸反相器产生的。个最小尺寸反相器产生的。最最小小
5、尺尺寸寸反反相相器器的的输输出出定定义义为为具具有有单单位位驱驱动动能能力力,而而其其输输入入则则定定义义为为在在驱驱动动它它的的任任何何电电路路上上施施加加有有一一单单位位负载。负载。ASICASIC设计中,设计中,“扇出扇出”一词指加到每一连接线上一词指加到每一连接线上的等效单位负载数目。的等效单位负载数目。由被驱动部件和外部输出加成的负载总和是驱动由被驱动部件和外部输出加成的负载总和是驱动部件输出端的部件输出端的“绝对扇出绝对扇出”。ASICASIC设计中,设计中,“扇入扇入”一词仍保持其原来含意,即一词仍保持其原来含意,即连接到一部件上的输入端数目。连接到一部件上的输入端数目。一个一个
6、3 3输入端输入端“与与”门具有的扇入为门具有的扇入为3 3。有些有些CMOSCMOS部件的驱动能力小于一,这时常使用反相部件的驱动能力小于一,这时常使用反相缓冲器增强这种部件的驱动能力。图示出一缓冲器,缓冲器增强这种部件的驱动能力。图示出一缓冲器,它等效于它等效于4 4个反相器并联。此部件的驱动能力为个反相器并联。此部件的驱动能力为4(4(并且并且作为负载也等于作为负载也等于4)4)。另外一个很有用的概念是相对扇出:绝对另外一个很有用的概念是相对扇出:绝对扇出和驱动能力之比。扇出和驱动能力之比。右图给出一个驱动能力为右图给出一个驱动能力为4 4的缓冲器,它连接了的缓冲器,它连接了1212个反
7、个反相器,给出绝对扇出为相器,给出绝对扇出为1212。该电路结点的相对扇出为该电路结点的相对扇出为3 3。电路中任一结点处的相对扇出为:电路中任一结点处的相对扇出为:CMOSCMOS的扇出没有固定的限制。的扇出没有固定的限制。结点的相对扇出决定着它的若干特性,特别结点的相对扇出决定着它的若干特性,特别是决定其电路延迟。是决定其电路延迟。ASICASIC性能要求给予相对扇出一个上限,它和性能要求给予相对扇出一个上限,它和生产工艺过程有关,通常在生产工艺过程有关,通常在8 8至至1616之间。之间。5.3 电路延迟 CMOSCMOS电路中的延迟基本上是两部分延迟之和:电路中的延迟基本上是两部分延迟
8、之和:传送延迟是由于栅极下面的耗尽层充电和放电需要传送延迟是由于栅极下面的耗尽层充电和放电需要时间产生的。它取决于栅的类型,供电电压,温度和时间产生的。它取决于栅的类型,供电电压,温度和工艺过程参数。通常,温度愈高则载流子的迁移率愈工艺过程参数。通常,温度愈高则载流子的迁移率愈低、电阻愈高,故延迟愈长。供电电压低和驱动输入低、电阻愈高,故延迟愈长。供电电压低和驱动输入的上升时间长也使传送延迟增加。的上升时间长也使传送延迟增加。惰性延迟产生的主要原因是输出电路的电容和驱动惰性延迟产生的主要原因是输出电路的电容和驱动门的内阻抗。惰性延迟和传送延迟一样,也受环境变门的内阻抗。惰性延迟和传送延迟一样,
9、也受环境变化的影响,但是它正比于结点的相对扇出。化的影响,但是它正比于结点的相对扇出。在右图中给出总延迟和在右图中给出总延迟和惰性延迟、传送延迟及相惰性延迟、传送延迟及相对扇出的关系。对扇出的关系。电路延迟的公式还可表达为:的公式还可表达为:电路延迟传送延迟十电路延迟传送延迟十(单位负载的惰性单位负载的惰性延迟延迟x x相对扇出相对扇出)惰惰性性延延迟迟长长的的影影响响除除使使总总电电路路延延迟迟增增大大外外,还还使上升时间和下降时间增大。使上升时间和下降时间增大。5.4 扇入的影响扇入的影响 在选择门的时候,要考虑扇入的影响。一个门的在选择门的时候,要考虑扇入的影响。一个门的扇入和其驱动能力
10、之间有一定关系。扇入和其驱动能力之间有一定关系。让我们考虑让我们考虑2 2输入端和输入端和3 3输入端输入端“与非与非”门的驱动能门的驱动能力问题。力问题。一一个个2 2输输入入端端与与非非门门作作为为负负载载,从从正正电电源源向向源源极极消消耗耗电电流流的的能能力力和和一一反反相相器器的的能能力力相相同同。若若两两个个输输入入都都是是逻逻辑辑0 0,因因为为有有两两个个p p型型晶晶体体管管的的并并联联电电阻阻,故故从从低低至至高高的的源源阻阻抗抗是是基基本本反反相相器器的的一一半半。然然而而,它它的的两两个个输输入入由由逻逻辑辑0 0变变为为逻逻辑辑1 1时时,两两个个串串联联n n型型管
11、管导导通通,其其导导通通电电阻阻是是反反相相器器的的两两倍倍,使使输输出出端端高高电电位位下下降降速速度度比比反反相相器器也慢一倍,即自高向低过渡有两倍的延迟。也慢一倍,即自高向低过渡有两倍的延迟。一个一个3 3输入端与非门作为负载,它的三个输入逻辑输入端与非门作为负载,它的三个输入逻辑1 1时,时,由第三个由第三个n n型晶体管带来的另一串联电阻进一步降低型晶体管带来的另一串联电阻进一步降低3 3输入端输入端“与非与非”门的门的n n型管的通过电流能力型管的通过电流能力(至基本反至基本反相器的三分之一相器的三分之一)。因为因为p p型载流子的迁移率较低,因型载流子的迁移率较低,因此这些门与其
12、此这些门与其“与非与非”门等效电路门等效电路相比,性能较低。为了得到高性能相比,性能较低。为了得到高性能电路,建议:和或非门相比,优先电路,建议:和或非门相比,优先选用:与非门。选用:与非门。2 2输入端输入端“或非或非”门和门和3 3输入端输入端“或非或非”门也存在门也存在相似的关系。相似的关系。5.5 边缘缓慢边缘缓慢 在基本反相器中,电流与输入电压的关系示在基本反相器中,电流与输入电压的关系示于下图中。由图可见,当输入电压在高和低于下图中。由图可见,当输入电压在高和低之间变化时,将有一大电流出现。所以若边之间变化时,将有一大电流出现。所以若边缘缓慢将使大暂态电流出现时间拖长。缘缓慢将使大
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