大连薄膜设备项目商业计划书_范文参考.docx
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1、泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书大连薄膜设备项目大连薄膜设备项目商业计划书商业计划书xxxx 有限责任公司有限责任公司泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书目录目录第一章第一章 行业、市场分析行业、市场分析.9一、半导体薄膜沉积设备的发展情况.9二、半导体设备行业.15三、光伏行业概览.18第二章第二章 项目总论项目总论.21一、项目名称及建设性质.21二、项目承办单位.21三、项目定位及建设理由.22四、报告编制说明.23五、项目建设选址.24六、项目生产规模.24七、建筑物建设规模.24八、环境影响.24九、项目总投资及资金构成.25十、资金筹措方案.25十一、项目预期经济效益规划目标.
2、25十二、项目建设进度规划.26主要经济指标一览表.26第三章第三章 建筑物技术方案建筑物技术方案.29一、项目工程设计总体要求.29二、建设方案.29泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书三、建筑工程建设指标.30建筑工程投资一览表.30第四章第四章 选址方案选址方案.32一、项目选址原则.32二、建设区基本情况.32三、深度融入“一带一路”.34四、项目选址综合评价.35第五章第五章 运营管理模式运营管理模式.36一、公司经营宗旨.36二、公司的目标、主要职责.36三、各部门职责及权限.37四、财务会计制度.40第六章第六章 发展规划发展规划.47一、公司发展规划.47二、保障措施.48第七
3、章第七章 法人治理法人治理.50一、股东权利及义务.50二、董事.53三、高级管理人员.58四、监事.61第八章第八章 项目环保分析项目环保分析.63泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书一、环境保护综述.63二、建设期大气环境影响分析.63三、建设期水环境影响分析.67四、建设期固体废弃物环境影响分析.67五、建设期声环境影响分析.68六、环境影响综合评价.69第九章第九章 组织机构及人力资源组织机构及人力资源.70一、人力资源配置.70劳动定员一览表.70二、员工技能培训.70第十章第十章 原辅材料分析原辅材料分析.72一、项目建设期原辅材料供应情况.72二、项目运营期原辅材料供应及质量管理
4、.72第十一章第十一章 投资计划投资计划.74一、投资估算的依据和说明.74二、建设投资估算.75建设投资估算表.79三、建设期利息.79建设期利息估算表.79固定资产投资估算表.81四、流动资金.81流动资金估算表.82泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书五、项目总投资.83总投资及构成一览表.83六、资金筹措与投资计划.84项目投资计划与资金筹措一览表.84第十二章第十二章 经济效益经济效益.86一、经济评价财务测算.86营业收入、税金及附加和增值税估算表.86综合总成本费用估算表.87固定资产折旧费估算表.88无形资产和其他资产摊销估算表.89利润及利润分配表.91二、项目盈利能力分析.
5、91项目投资现金流量表.93三、偿债能力分析.94借款还本付息计划表.95第十三章第十三章 招标及投资方案招标及投资方案.97一、项目招标依据.97二、项目招标范围.97三、招标要求.97四、招标组织方式.98五、招标信息发布.101第十四章第十四章 项目总结项目总结.102泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书第十五章第十五章 附表附表.104主要经济指标一览表.104建设投资估算表.105建设期利息估算表.106固定资产投资估算表.107流动资金估算表.108总投资及构成一览表.109项目投资计划与资金筹措一览表.110营业收入、税金及附加和增值税估算表.111综合总成本费用估算表.111固
6、定资产折旧费估算表.112无形资产和其他资产摊销估算表.113利润及利润分配表.114项目投资现金流量表.115借款还本付息计划表.116建筑工程投资一览表.117项目实施进度计划一览表.118主要设备购置一览表.119能耗分析一览表.119报告说明报告说明TOPCon 是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触电池技术,与常规电池最大的不同在于,其在电池的背面采用了接触钝化泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书技术,结构包括超薄二氧化硅隧穿层和掺杂多晶硅层(晶硅基底与掺杂多晶硅在背面形成异质结),二者共同形成了钝化接触结构,为电池的背面提供了优异的表面钝化。TOPCon 电池制备过程较 P
7、ERC 电池要复杂,但我国光伏企业在 TOPCon 电池技术上已取得一定积累,很多量产工艺瓶颈和设备瓶颈也获得了突破,未来存在将 TOPCon 技术与 IBC技术相融合升级为 TBC 电池的可能性。根据谨慎财务估算,项目总投资 42419.85 万元,其中:建设投资34344.83 万元,占项目总投资的 80.96%;建设期利息 772.24 万元,占项目总投资的 1.82%;流动资金 7302.78 万元,占项目总投资的17.22%。项目正常运营每年营业收入 70900.00 万元,综合总成本费用57796.94 万元,净利润 9566.93 万元,财务内部收益率 15.28%,财务净现值
8、417.48 万元,全部投资回收期 6.63 年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。通过分析,该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构,改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书第一章第一章 行业、市场分析行业、市场分析一、半导体薄膜沉积设备的发展情况半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况(1)薄膜沉积设备市场规
9、模持续增长根据 MaximizeMarketResearch 数据统计,全球半导体薄膜沉积设备市场规模从 2017 年的 125 亿美元扩大至 2020 年的 172 亿美元,年复合增长率为 11.2%。预计至 2025 年市场规模可达 340 亿美元。(2)薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展,在部分领域已有一定的进步,但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低,半导体薄膜沉积设备行业基本由 AMAT、ASM、Lam、TEL 等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起,我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国
10、产化率虽然由 2016 年的 5%提升至 2020 年的 8%,但总体占比尤其是中高端产品占比较低。(3)各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看,CVD 设备占比 56%,PVD 设备市占率 23%,其次是 ALD 及其他镀膜设备。在半导体制程进入泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书28nm 后,由于器件结构不断缩小且更为 3D 立体化,生产过程中需要实现厚度更薄的膜层,以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下,ALD 技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点,技术优势愈加明显,在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD 技术在
11、半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD 技术在高 k 材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用,广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。(1)ALD 典型应用高介电常数金属栅极(HKMG)工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元,漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入 65nm 及之前,集成电路主要通过沉积 SiO2 薄膜形成栅极介电质减少漏电;随着集成电路尺寸不断缩小,特别是制程 28nm 之后,传统的 SiO2 栅介质层物理厚度缩小至 1 纳米以下,达到了其物理极限,产生明显的量子隧穿效应和多晶
12、硅耗尽效应,导致漏电流急剧增加,器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极(HKMG)工艺,可以解决上述问题,即采用高 k 材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书层,TiN 替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极,高 k 栅氧化层与金属栅极的组合使用,不仅能够大幅减小栅极漏电流,同时因高 k 栅氧化层的等效氧化物厚度较薄,还能有效减低栅极电容。ALD 技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点,自从英特尔在 45nm 技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后,就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。(2)ALD 典型应用电容和电极材料集成电路 2D 存储器
13、件的线宽已接近物理极限,NAND 闪存已进入3D 时代。目前 64 层 3DNAND 闪存已进入量产阶段,128 层闪存也陆续有厂商开始推出,行业预期未来将叠加至 500 层,技术工艺还会持续推进。3DNAND 制造工艺中,增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽,而且需要增加堆叠的层数,使得一些器件结构的深宽比增加至40:1,甚至是 80:1 的极深孔或极深的沟槽,对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD 技术最早应用于 DRAM 存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着 3DNAND 和 DRAM 相关技术的不断发展,等效氧化物厚度进一步下降,3DNAND 和 DRAM 电容呈
14、现高深宽比结构,在这种情况下,高k 电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的 ALD 技术才可以满足。除此之外,新型存储器也在快速发展,与闪存和 DRAM 相泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书比,新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器(FeRAM)为例,其由电容和场效应管构成,其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜,该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求,ALD 技术可以较好地满足技术指标。(3)ALD 典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜,并通过光刻技术形成布线,把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为
15、金属互联的一种,而在铜互连中采用 ALD 的主要驱动力在于随着制程进步、TSV 等先进封装工艺的发展,元件集成度提高、几何构架收缩,导致深宽比的增加,ALD 技术能够沉积尽可能薄的阻挡层,阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散,且作为粘附层促进互连铜的生长,给铜沉积留出最大的空间。3、半导体薄膜沉积设备发展趋势(1)半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升,全球半导体设备市场呈现快速增长态势,拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充,另一方面受益于技术演进带来的增长机遇,包括制程进步、多重曝光与3DNAND 存储技术,
16、全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书长。MaximizeMarketResearch 预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在 2025 年将从 2020 年的 172 亿美元扩大至 340 亿美元,保持年复合13.3%的增长速度。(2)进口替代空间巨大近年来,在国家政策的拉动和支持下,我国半导体产业快速发展,整体实力显著提升,设计、制造能力与国际先进水平不断缩小,但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造 2025对于半导体设备国产化提出明确要求:在 2020 年之前,90-32nm 工艺设备国产化率达到 50%,实现 90nm 光刻机国产化,封测关键设
17、备国产化率达到50%。在 2025 年之前,20-14nm 工艺设备国产化率达到 30%,实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展,国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金,国家集成电路基金首期募资 1,387 亿元,二期募资超过 2,000 亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施,本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机,而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备,将会迎来巨大的进口替代市场空间。(3)薄膜要求提高衍生设备需求泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书在晶圆制造过程中,薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重
18、要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂,薄膜性能参数精细化要求也随之提高,如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高,台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的 ALD 设备因此被引入产线。(4)先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展,单位面积集成的电路规模不断扩大,芯片内部立体结构日趋复杂,所需要的薄膜层数越来越多,对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在 90nmCMOS 工艺大约需要 40 道薄膜沉积工序。在3nmFinFET 工艺产线,则超过 100 道薄膜沉积工序,涉及的薄膜材料由6 种增加到近 2
19、0 种,对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前,半导体行业的薄膜沉积设备中,PVD 设备与 CVD 设备均已初步实现国产化,而 ALD 设备作为先进制程所必须的工艺设备,在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向 14 纳米甚至更小的方向升级时,与 PVD 设备和 CVD 设备相比,ALD 设备的必要性更加凸泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书显。目前,基于供应链安全考虑,国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势,以及国产化进程加快的背景下,国产半导体 ALD 设备迎
20、来前所未有的发展契机。二、半导体设备行业半导体设备行业1、半导体设备发展基本情况及特点半导体设备主要包括前道工艺设备和后道工艺设备,前道工艺设备为晶圆制造设备,后道工艺设备包括封装设备和测试设备,其他类型设备主要包括硅片生长设备等。其中晶圆前道工艺设备整体占比超过 80%,是半导体设备行业最核心的组成部分。前道工艺主要包括七大步骤分别为热处理(氧化/扩散/退火)、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗与抛光、金属化。薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄膜,匀胶工艺系把光刻胶涂抹在薄膜上,光刻和显影工艺系把光罩上的图形转移到光刻胶,刻蚀工艺系把光刻胶上图形转移到薄膜,去除光刻胶后,即完成图形从
21、光罩到晶圆的转移。制造芯片的过程需要数十层光罩,集成电路制造主要是通过薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环,把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。因此,半导体制造过程可以理解为循环进行“加减泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书法”。薄膜沉积作为“加法工艺”,与光刻和“减法工艺”刻蚀,共同构成了半导体制造过程中不可或缺的生产工艺。从晶圆厂的投资构成来看,刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。其中,薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的 16%,占晶圆制造设备投资总额的 21%。2、全球半导体设备行业发展情况2013 年以来,随着全球半导体行业整体景气度的提升,半导体设备
22、市场也呈增长趋势。根据 SEMI 统计,全球半导体设备销售额从 2013年的约 318 亿美元增长至 2020 年的 712 亿美元,年均复合增长率约为12.20%。由于半导体专用设备行业对制造工艺和标准要求严格,行业进入的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒较高,全球半导体设备市场集中度较高。目前全球前十大半导体设备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。根据 VLSIResearch 数据,2020 年全球半导体设备前十名厂商合计实现销售收入 708 亿美元,市占率为 76.63%。中国半导体设备厂商因发展起步较晚,目前尚未进入全球行业前列。3、中国半导体设备行业发展概况(1)中国大陆成为全球第一大
23、半导体设备需求市场泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书从需求端分析,根据 SEMI 统计数据,2013-2020 年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到 27.59%,2020 年在全球半导体市场大幅下跌的态势下依然逆势增长,在中国大陆的销售额达到 187.2 亿美元,发展势头良好。(2)顶尖设备仍依赖进口2020 年中国大陆已经成为最大的半导体设备市场,但全球前十五名设备商中尚没有中国企业。中国半导体设备明显落后于美国、荷兰、日本等国。据中国电子专用设备工业协会数据统计,2020 年国产半导体设备销售额约为 213 亿元,自给率约为 17.5%,其中集成电路设备自给率仅有 5%左右,技术
24、含量最高的集成电路前道设备则自给率更低,与不断增长的需求市场形成了较大的缺口,国产化率增长空间巨大。中国半导体设备大量依赖进口不仅严重影响我国半导体的产业发展,也对我国电子信息安全造成重大隐患,中国半导体设备国产替代、自主可控需求迫切。(3)半导体设备发展趋势向好集成电路尺寸及线宽的缩小、产品结构的立体化及生产工艺的复杂化等因素都对半导体设备行业提出了更高的要求和更多的需求。尺寸缩减趋势重点推动光刻设备的进步,3D 结构化趋势重点推动刻蚀、薄膜设备的进步。两因素共同推动了集成电路整体结构的复杂化,进泓域咨询/大连薄膜设备项目商业计划书而推动化学机械研磨、清洗、离子注入、检测等其他设备的进步,并
25、为半导体核心装备的发展提供了广阔的市场空间。除此之外,功率器件、光电子等领域市场的发展和市场需求的提升,也将不断刺激半导体设备市场需求。受多个下游市场需求增长的共同驱动,半导体设备市场预计将持续保持增长势头,市场前景良好。2021 年 7 月,SEMI 发布半导体制造设备年中总预测,预测原始设备制造商全球半导体制造设备销售额相比 2020 年的 711 亿美元,2021 年增长 34%至 953 亿美元,2022 年将创下超过 1,000 亿美元的新高。三、光伏行业概览光伏行业概览1、光伏产业链情况光伏产业链从上到下依次为:晶体硅料的生产和硅棒、硅锭、硅片的加工制作;光伏电池片的生产加工;光伏
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