遵义靶材项目招商引资方案范文模板.docx
《遵义靶材项目招商引资方案范文模板.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《遵义靶材项目招商引资方案范文模板.docx(137页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案遵义靶材项目遵义靶材项目招商引资方案招商引资方案xxxxxx 有限公司有限公司泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案目录目录第一章第一章 行业发展分析行业发展分析.8一、趋势难逆,传统光磁记录媒体正转向半导体存储.8二、供给:薄膜电池及 HIT 电池市场规模尚小,国内光伏靶材亦多处于起步阶段.9第二章第二章 项目背景及必要性项目背景及必要性.11一、金属靶材薄膜制备核心材料,磁溅技术发展带动需求提升.11二、靶材在平板显示中的应用.12三、应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展.14第三章第三章 项目概述项目概述.18一、项目名称及建设
2、性质.18二、项目承办单位.18三、项目定位及建设理由.19四、报告编制说明.21五、项目建设选址.22六、项目生产规模.22七、建筑物建设规模.22八、环境影响.22九、项目总投资及资金构成.23十、资金筹措方案.23十一、项目预期经济效益规划目标.23泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案十二、项目建设进度规划.24主要经济指标一览表.24第四章第四章 建筑技术方案说明建筑技术方案说明.27一、项目工程设计总体要求.27二、建设方案.28三、建筑工程建设指标.29建筑工程投资一览表.29第五章第五章 选址方案分析选址方案分析.31一、项目选址原则.31二、建设区基本情况.31三、推动县域经济高
3、质量发展.33四、创新推动数字经济发展.34五、项目选址综合评价.34第六章第六章 SWOT 分析分析.35一、优势分析(S).35二、劣势分析(W).37三、机会分析(O).38四、威胁分析(T).39第七章第七章 发展规划分析发展规划分析.47一、公司发展规划.47二、保障措施.53泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案第八章第八章 环保方案分析环保方案分析.55一、编制依据.55二、环境影响合理性分析.56三、建设期大气环境影响分析.58四、建设期水环境影响分析.59五、建设期固体废弃物环境影响分析.60六、建设期声环境影响分析.60七、建设期生态环境影响分析.61八、清洁生产.62九、环境
4、管理分析.63十、环境影响结论.66十一、环境影响建议.66第九章第九章 人力资源分析人力资源分析.67一、人力资源配置.67劳动定员一览表.67二、员工技能培训.67第十章第十章 节能方案说明节能方案说明.70一、项目节能概述.70二、能源消费种类和数量分析.71能耗分析一览表.71三、项目节能措施.72四、节能综合评价.74泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案第十一章第十一章 工艺技术分析工艺技术分析.75一、企业技术研发分析.75二、项目技术工艺分析.77三、质量管理.78四、设备选型方案.79主要设备购置一览表.80第十二章第十二章 劳动安全生产分析劳动安全生产分析.81一、编制依据.8
5、1二、防范措施.84三、预期效果评价.89第十三章第十三章 投资计划投资计划.90一、编制说明.90二、建设投资.90建筑工程投资一览表.91主要设备购置一览表.92建设投资估算表.93三、建设期利息.94建设期利息估算表.94固定资产投资估算表.95四、流动资金.96流动资金估算表.97五、项目总投资.98泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案总投资及构成一览表.98六、资金筹措与投资计划.99项目投资计划与资金筹措一览表.99第十四章第十四章 经济效益分析经济效益分析.101一、经济评价财务测算.101营业收入、税金及附加和增值税估算表.101综合总成本费用估算表.102固定资产折旧费估算表.
6、103无形资产和其他资产摊销估算表.104利润及利润分配表.106二、项目盈利能力分析.106项目投资现金流量表.108三、偿债能力分析.109借款还本付息计划表.110第十五章第十五章 风险分析风险分析.112一、项目风险分析.112二、项目风险对策.115第十六章第十六章 项目招标、投标分析项目招标、投标分析.116一、项目招标依据.116二、项目招标范围.116三、招标要求.116四、招标组织方式.119泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案五、招标信息发布.122第十七章第十七章 项目总结项目总结.123第十八章第十八章 附表附表.126主要经济指标一览表.126建设投资估算表.127建设
7、期利息估算表.128固定资产投资估算表.129流动资金估算表.130总投资及构成一览表.131项目投资计划与资金筹措一览表.132营业收入、税金及附加和增值税估算表.133综合总成本费用估算表.133利润及利润分配表.134项目投资现金流量表.135借款还本付息计划表.137泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案第一章第一章 行业发展分析行业发展分析一、趋势难逆,传统光磁记录媒体正转向半导体存储趋势难逆,传统光磁记录媒体正转向半导体存储固态硬盘替代机械硬盘已是大势所趋,传统光磁记录媒体靶材预计将逐步向半导体存储芯片靶材转移。作为新一代硬盘,SSD 在性能、体积、噪音、震动等方面均远胜于 HDD。近
8、几年随着 NAND 闪存技术的不断发展,基于闪存存储的 SSD 性能不断提升,不仅寿命足以支持各类应用场景,其价格也在持续回落恢复到市场所认同的高性价比。但短期来看,HDD 在数据中心等方面的优势依然较为突出,SDD 仍有部分缺陷尚待攻克,受益于全球数据存储需求的高速增长,HDD 与 SSD 在存储容量方面均将保持较快增速,但 SSD 对 HDD 逐步形成侵蚀已成必然。也将带动传统光磁记录媒体靶材预计将逐步向半导体存储芯片靶材转移。此外存储芯片需求的上升预计将带来钴靶、钨靶、钽靶等靶材需求上升。据电子工程世界 2018 年进口靶材免税“天窗”即将到期,或增加 17%关税利好国内厂商一文介绍,存
9、储器芯片靶材使用和逻辑芯片的使用种类有很大区别。逻辑里用量大的是铜、钽、钛、铝、钴、镍铂等,这几种材料占到所有份额的 95%以上,其中铜和钽占采购份额的 85%。铜和钽是逻辑 FAB 里面用量最大的两种产品,若能掌握铜、钽靶材的生产工艺,则主导逻辑 FAB 靶材。存储器芯片则分为两个方向,一个是 DRAM,一个是 NAND。泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案DRAM 厂主要种类是钨、钛、钽、铝、钴、铜,用量最大的是钛靶和铝靶,但单块金额较低。如能掌握钴靶、钨靶、钽靶的研发能力,预测便能掌握较大的 DRAM 份额。铝靶、钛靶的行业壁垒相对较低,使用较为成熟,国内的江丰、有研等在 FAB 采购份额
10、也均占有一定的比例,对于高端的钨、钴、钽靶材供应商主要还是以 nikko、Tosol 和honeywell 等国外企业为主,铜的用量则相对不大。3DNAND 领域主要使用的靶材为钨,其次是钛,再其次是铜和钽的用量,钨靶的采购额占据 3DNAND 工厂的 70%以上份额,钽靶 Tosol 的市场份额还是有很大的竞争力,Nikko 在钽靶方面前期做的不如其他家,但是 Nikko 收购了钽靶的原材料供应商,预计后期 Nikko 竞争力相对较强。此外我国的长江存储 32 层堆栈 3DNAND 闪存量产在即,国产 3D-NAND 加速崛起,钨靶在国内市场需求较大,也是目前我国亟需突破的一款靶材。江丰电子
11、与章源钨业也在高纯钨及靶材方面取得了较大进步。二、供给:薄膜电池及供给:薄膜电池及 HIT 电池市场规模尚小,国内光伏靶材亦多电池市场规模尚小,国内光伏靶材亦多处于起步阶段处于起步阶段国外头部企业一直在增强自身对太阳能电池的开发与供应。JX 日矿金属与爱发科等在行业内处于领先位置。如如 JX 日矿金属目前已拥有了用于形成 CIGS 薄膜太阳能电池吸收层的 In 靶材(4N)和 CuGa 靶泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案材(3N5N)。爱发科在太阳能电池靶材方面也在不断加强产能建设,据 2017 年爱发科电子材料(苏州)有限公司靶材生产技术改造项目环境影响报告表数据显示,技改后爱发科(苏州)
12、共拥有半导体及太阳能电池靶材产能 1200 枚/年。国内薄膜电池及 HIT 电池市场规模尚小,相关企业也较少,多处于起步阶段,其中先导稀材、江丰电子等产能规模相对较大。由于我国薄膜电池及 HIT 电池市场规模尚小,相关上游生产企业也较少,目前国内企业中涉及太阳能电池靶材生产的企业主要有江丰电子、先导稀材、四丰电子、新疆众合等企业,其中江丰电子 2020 年太阳能电池靶材营收仅为 0.216 亿元,占比 1.85%,毛利率为 13.76%,由于太阳能电池靶材要求较低,因此毛利率较其他产品也较低。此外新疆众合的铝靶、四丰电子的非靶材类钨、钼制品也广泛应用于光伏太阳能行业。先导稀材子公司先导薄膜材料
13、在清远拥有新型显示及 HIT 异质结太阳能用靶材 160 吨,在合肥具有 750 吨太阳能靶材产能。此外由于HIT 电池用 ITO 靶材与面板用技术互通,隆华科技等部分显示面板靶材企业也已开始布局相关产业龙头。如隆华科技司已向 HIT 电池龙头隆基送样并开展联合测试开发项目,目前已经通过隆基认证,与下游企业的紧密合作也将助力公司光伏用 ITO 靶材业务的高速增长,确立先发优势,高筑行业壁垒。泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案第二章第二章 项目背景及必要性项目背景及必要性一、金属靶材金属靶材薄膜制备核心材料,磁溅技术发展带动需求提升薄膜制备核心材料,磁溅技术发展带动需求提升溅射靶材是溅射法制备薄
14、膜的主要材料之一。溅射工艺是制备电子薄膜的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在高真空中经过加速聚集而形成高速离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面。被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。从结构上看,靶材主要由“靶坯”和“背板”两部分构成。其中靶坯是高速离子束流轰击的目标材料,属于溅射靶材的核心部分,涉及高纯金属、晶粒取向调控。背板起到主要起到固定溅射靶材的作用,涉及焊接工艺。由于高纯度金属强度较低,因此溅射靶材需要在专用的机台内完成溅射过程。机台内部为高电压、高真空环境,因此背板也需要具备良好的导电、导热性能。磁控溅
15、射技术优势突出,推动溅射靶材需求不断提升,溅射靶材已成为目前市场应用量最大的 PVD 镀膜材料。目前行业内主流镀膜工艺为物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)两种,其中 PVD 方法具体来看包括溅射和蒸镀两类,CVD 方法则包括化学气相沉积和原子层沉积两类。溅射镀膜工艺则凭借着其可重复性好、膜厚可控制,可泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案在大面积基板材料上获得厚度均匀的薄膜,所制备的薄膜具有纯度高、致密性好、与基板材料的结合力强等优点发展迅速,已成为制备薄膜材料的主要技术之一,各种类型的溅射薄膜材料已得到广泛的应用,因此,对溅射靶材这一具有高附加值的功能材料需求逐年增加,溅射靶材亦已成
16、为目前市场应用量最大的 PVD 镀膜材料。二、靶材在平板显示中的应用靶材在平板显示中的应用若根据工艺的不同,FPD 行业用靶材也可大致分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射用靶材主要为 Cu、Al、Mo 和 IGZO 等材料。IGZO为 TFT 激活层,一般用于手机 LTPOOLED 技术和大尺寸 OLED 技术。IGZO 也可以被用于 LCD 的制造和 X-ray 探测器的制造。在国内的 LCD生产中,BOEB18 和 B19 用 IGZO 作为 TFT 激活层。在老旧产线中,京东方也利用 IGZO 来替代 a-Si 以生产精度更高的 X-ray 探测器。ITO 和IZO 为透明导电电极。其中
17、 ITO 被广泛的运用于 OLED 和 LCD 的制造中,而 IZO 时而会被用于顶发射 OLED 的阴极来使用。Cu、Al、Mo 和Ti 等金属则做为金属走线,被广泛的运用于 Array 的 TFT 生产中,其中钼或者合金材料靶材常作为 OLED 器件的阴极使用,此外铝靶也可作为阴极使用。蒸镀用靶材一般为 Ag 和 Mg 两种金属。Ag 和 Mg 合金一般用于小尺寸 OLED 面板产线中的阴极制作。除此以外,Ag 也可以作为顶发射泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案OLED 器件中的阳极反射层使用。其中薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)是当前的主流平面显示技术,金属溅射靶材则是制造 TF
18、T-LCD 过程中最关键的材料之一。薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有轻薄、功耗低、成本低等优点,目前 TFT-LCD 大约占 80%以上的显示面板市场份额。这类显示面板是由大量的液晶显示单元阵列组成(如 4K 分辨率的屏幕含有 800 多万个显示单元阵列),而每一个液晶显示单元,都由一个单独的薄膜晶体管(TFT)所控制和驱动。薄膜晶体管阵列的制作原理,是在真空条件下,利用离子束流去轰击固体,使固体表面的原子电离后沉积在玻璃基板上,经过反复多次的“沉积+刻蚀”,一层层(一般为 712 层)地堆积制作出薄膜晶体管阵列。这种被轰击的固体,即用溅射法沉积薄膜的原材料,就被称作溅射靶材。除 L
19、CD 外,近年来快速发展的 OLED 面板产业靶材需求增长也十分明显。OLED 典型结构是在氧化铟锡(ITO)玻璃上制作一层几十纳米厚的发光材料,ITO 透明电极作为器件的阳极,钼或者合金材料作为器件的阴极。从阴阳 2 极分别注入电子和空穴,在一定电压驱动下,被注入的电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层并复合,形成激子并使发光分子产生单态激子,单态激子衰减发光。泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案平板显示制造中主要使用的靶材为钼铝铜金属靶材和氧化铟锡(ITO)靶材,部分平板显示企业也会用到钛靶、钽靶、铌靶、铬靶以及银靶等。其中钼靶材和 ITO 靶材合计需求占比在 60%70%左右
20、。但由于各家企业所采用的溅射工艺不同,其所选的溅射靶材也有区别。如,京东方用铜靶、铝靶、钼靶和钼铌靶,韩国三星用钽靶、钛靶,但不用钼铌靶,中电熊猫用钛靶,但不用钼靶、钽靶等。以 8.5 代液晶显示面板生产线为例,一条 8.5 代线每年靶材的大致消耗 120 套铝靶、110 套铜靶、60 套钼靶、5 套钼铌 10 靶。此外据新材料产业新型显示产业的 ITO 靶材市场探讨,目前国内单条 8.5 代线 ITO 靶材年需求量约 40 吨,6 代线 ITO 靶材年需求量约 20 吨。三、应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发
21、展高纯度化发展芯片制程工艺已经从 130nm 提升至 7nm,晶圆尺寸也已实现了 8 英寸到 12 英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从 130nm 提升至 7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了 8英寸到 12 英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求,对电极和连接器件的布线金
22、属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势 1:大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向,但随尺寸增加,靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加,对技术要求就越高。晶圆尺寸越大,可利用效率越高。.12 英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积,得以达到效率最佳化,相对于 8 英寸晶圆而言,12 英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势 2:多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使
23、用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说 110nm 晶圆技术节点以上使用铝导线,110nm 晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线工艺的应用量在逐步增大,因此,铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上,从全球晶圆厂产能建设情况来看,12 寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线由于具有更低的电迁移效应,及更低的电阻,有降低功耗、提高运算速度等作用,应用量在逐步增大。据 S
24、EMI 数据显示,如今 12 英寸晶圆约占 64%,8英寸晶圆占比达 26%,其他尺寸晶圆占比 10%。12 英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出,也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的 110nm 以上工艺以确保可靠性。因此,芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰,因可靠性、抗干扰性、低成本等优势,110nm 以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势 3:高纯化高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料,通常半导体靶材纯度要求通常达 99.9995%(5N5)甚至 99.99
25、99%(6N)以上。在下游应用领域中,半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高,随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来,相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展,同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提泓域咨询/遵义靶材项目招商引资方案出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关,为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求,所需要的溅射靶材纯度不断攀升,通常半导体靶材纯度要求通常达 99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内,美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒,依托先进的
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 遵义 项目 招商引资 方案 范文 模板
限制150内