数字电子技术机械工业出版社张建华主编(1)(精).ppt
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1、第第2 2章章 逻辑门电路逻辑门电路2.1 2.1 概述概述2.2 2.2 半导体二极管和三极管的半导体二极管和三极管的 开关特性开关特性2.3 2.3 最简单的与、或、非门电路最简单的与、或、非门电路2.4 2.4 TTLTTL 集成逻辑门电路集成逻辑门电路2.5 2.5 CMOSCMOS 集成逻辑门电路集成逻辑门电路2.6 2.6 集成逻辑门的集成逻辑门的应用应用2.7 2.7 本章小结本章小结2.1 概概 述述主要要求:主要要求:了解逻辑门电路的作用和常用类型。了解逻辑门电路的作用和常用类型。理解高电平信号和低电平信号的含义。理解高电平信号和低电平信号的含义。2.1 2.1 概述概述门电
2、路门电路是用以实现逻辑关系的电子电路。是用以实现逻辑关系的电子电路。门门电电路路分立元件门电路分立元件门电路集成门电路集成门电路双极型集成门(双极型集成门(DTL、TTL)MOS集成门集成门 NMOSPMOSCMOS正逻辑:用高电平表示逻辑正逻辑:用高电平表示逻辑1,用低电平表示逻辑,用低电平表示逻辑0负逻辑:用低电平表示逻辑负逻辑:用低电平表示逻辑1,用高电平表示逻辑,用高电平表示逻辑0 在数字系统的逻辑设计中,若采用在数字系统的逻辑设计中,若采用NPN晶体管晶体管和和NMOS管,电源电压是正值,一般采用正逻辑。管,电源电压是正值,一般采用正逻辑。若采用的是若采用的是PNP管和管和PMOS管
3、,电源电压为负值,管,电源电压为负值,则采用负逻辑比较方便。则采用负逻辑比较方便。今后除非特别说明,一律采用正逻辑。今后除非特别说明,一律采用正逻辑。2.1 2.1 概述概述一、正逻辑与负逻辑一、正逻辑与负逻辑VI控制开关控制开关S的断、通情况。的断、通情况。S断开,断开,VO为高电平;为高电平;S接通,接通,VO为低电平。为低电平。2.1 2.1 概述概述二、逻辑电平二、逻辑电平1 10 05V0V0.8V2V高电平下限高电平下限低电平上限低电平上限实际开关为晶体二极实际开关为晶体二极管、三极管以及场效管、三极管以及场效应管等电子器件应管等电子器件逻辑电平高电平高电平UH:n输入高电平输入高
4、电平UIHn输出高电平输出高电平UOH低电平低电平UL:n输入低电平输入低电平UILn输出低电平输出低电平UOL逻辑逻辑“0”和逻辑和逻辑“1”对应的电压范围宽,对应的电压范围宽,因此在数字电路中,对因此在数字电路中,对电子元件、器件电子元件、器件参数精度的要求及其电源的稳定度的要参数精度的要求及其电源的稳定度的要求比模拟电路要低。求比模拟电路要低。2.1 2.1 概述概述主要要求:主要要求:理解二极管、理解二极管、三极管的开关特性。三极管的开关特性。掌握二极管、三极管开关工作的条件。掌握二极管、三极管开关工作的条件。2.2二极管和二极管和三极管的开关特性三极管的开关特性一、二极管伏安特性一、
5、二极管伏安特性2.2 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性门坎电压Uth反向击穿电压二极管的单向导电性:二极管的单向导电性:外加正向电压(外加正向电压(UUthth),二极),二极管导通,导通压降约为管导通,导通压降约为0.7V0.7V;外加反向电压,二极管截止。外加反向电压,二极管截止。uD(V)iD(mA)0.7V0.7V2.2.1 2.2.1 半导体二极管的开关特性半导体二极管的开关特性 利用二极管的单向导电利用二极管的单向导电性,相当于一个受外加电压性,相当于一个受外加电压极性控制的开关。极性控制的开关。当当u uI I=U=UILIL时,时,D D导通
6、,导通,u uO O=0.7=U=0.7=UOLOL 开关闭合开关闭合二、二极管开关特性二、二极管开关特性2.2 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性假定:假定:U UIHIH=V=VCC CC,U UILIL=0=0当当u uI I=U=UIHIH时,时,D D截止,截止,u uo o=V=VCCCC=U=UOHOH 开关断开开关断开 2.2 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性一、双极型三极管结构一、双极型三极管结构2.2.2 2.2.2 双极型三极管的开关特性双极型三极管的开关特性 因有电子和空穴两种载流子参与导电过程,故因
7、有电子和空穴两种载流子参与导电过程,故称为双极型三极管。称为双极型三极管。NPNNPN型型PNPPNP型型2.2 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性二、双极型三极管输入特性二、双极型三极管输入特性 双极型三极管的应用中,通常是通过双极型三极管的应用中,通常是通过b,eb,e间的电流间的电流i iB B控制控制c,ec,e间的电流间的电流i iC C实现其电路功能的。因此,以实现其电路功能的。因此,以b,eb,e间的回路作为间的回路作为输入回路,输入回路,c,ec,e间的回路作为输出回路间的回路作为输出回路。输入回路实质是一个输入回路实质是一个PNPN结结,其输
8、入特性基本等同于,其输入特性基本等同于二极管的伏安特性。二极管的伏安特性。2.2 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性三、双极型三极管输出特性三、双极型三极管输出特性放大区:发射结正偏,集电结反偏;放大区:发射结正偏,集电结反偏;u ubebeuuT T,u ubcbc00;起放大作用。;起放大作用。截止区:发射结、集电极均反偏,截止区:发射结、集电极均反偏,u ubcbc0V0V,u ubebe0V0V;一般地,;一般地,u ubebe0.7VVVT T,u ubcbcVVT T;深度饱和状态下,;深度饱和状态下,饱和压降饱和压降U UCEs CEs 约为约为
9、0.2V0.2V。2.2 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性四、双极型三极管开关特性四、双极型三极管开关特性 利用三极管的饱和与截利用三极管的饱和与截止两种状态,合理选择电路止两种状态,合理选择电路参数,可产生类似于开关的参数,可产生类似于开关的闭合和断开的效果,用于输闭合和断开的效果,用于输出高、低电平,即开关工作出高、低电平,即开关工作状态。状态。当当u uI I=U=UILIL时,三极管截止,时,三极管截止,u uO O=V=Vcccc=U=UOHOH 开关断开开关断开假定:假定:U UIHIH=V=VCC CC,U UILIL=0=0当当u uI I=
10、U=UIHIH时,三极管深度饱和,时,三极管深度饱和,u uo o=U=USEsSEs=U=UOLOL 开关闭合开关闭合 MOS管是金属管是金属氧化物氧化物半导体场效应管的简称。半导体场效应管的简称。(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)由于只有多数载流子参与导电,故也称为由于只有多数载流子参与导电,故也称为单极型三极管单极型三极管。2.2 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性一、一、MOS管结构管结构2.2.3 MOS2.2.3 MOS管的开关特性管的开关特性NMOSNMOS管电路符号管电路符号P
11、MOSPMOS管电路符号管电路符号2.2 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性半导体二极管和三极管的开关特性二、二、MOS管开关特性管开关特性NMOSNMOS管的基本开关电路管的基本开关电路当当u uI I=U=UILIL时,时,MOSMOS管截止,管截止,u uO O=V=VDDDD=U=UOHOH 开关断开开关断开当当u uI I=U=UIHIH时,时,MOSMOS管导通,管导通,u uo o=0=U=0=UOLOL 开关闭合开关闭合 选择合适的电路参数,则可以保证选择合适的电路参数,则可以保证2.3 2.3 最简单的与、或、非门电路最简单的与、或、非门电路一、二极管与门一、二极管与门Y
12、=AB二、二极管或门二、二极管或门Y=A+B2.3 2.3 最简单的与、或、非门电路最简单的与、或、非门电路主要要求:主要要求:了解了解 TTL 非门的组成和工作原理。非门的组成和工作原理。了解了解 TTL 集成逻辑门的主要参数和使用常识。集成逻辑门的主要参数和使用常识。2.4TTL 集成逻辑门集成逻辑门 掌握掌握集电极开路门和三态门的逻辑功能和应用集电极开路门和三态门的逻辑功能和应用。掌握掌握 TTL 基本门的逻辑功能和主要外特性。基本门的逻辑功能和主要外特性。A R1 4kW W T1 T2 T4 T5 R4 R3 1KW W 130W W+Vcc R2 1.6KW W Y D1 D2 输
13、入级输入级中间级中间级输出级输出级2.4 TTL2.4 TTL集成门电路集成门电路TTLTTL非门典型电路非门典型电路一、一、7474系列门电路系列门电路推拉式输出级作用:推拉式输出级作用:降低功耗,提高带降低功耗,提高带负载能力负载能力TTLTTL与非门典型电路与非门典型电路区别:区别:T T1 1改为改为多发射极三极管多发射极三极管。2.4 TTL2.4 TTL集成门电路集成门电路TTLTTL或非门典型电路或非门典型电路区别:有各自的输入级和倒相级,并联使用共同的输出级。区别:有各自的输入级和倒相级,并联使用共同的输出级。2.4 TTL2.4 TTL集成门电路集成门电路二、二、74S74S
14、系列门电路系列门电路 74S74S系系列列又又称称肖肖特特基基系系列列。采采用用了了抗抗饱饱和和三三极极管管,或或称称肖肖特特基基晶晶体体管管,是是由由普普通通的的双双极极型型三三极极管管和和肖肖特特基基势势垒垒二二极极管管SBDSBD组组合合而而成成。SBDSBD的的正正向向压压降降约约为为0.3V0.3V,使使晶晶体体管管不不会会进进入入深深度度饱饱和和,其其U Ubebe限限制制在在0.3V0.3V左左右右,从从而而缩缩短短存存储储时时间间,提提高了开关速度。高了开关速度。抗饱和三极管2.4 TTL2.4 TTL集成门电路集成门电路三、三、TTLTTL系列门电路系列门电路74:标准系列;
15、:标准系列;74H:高速系列;:高速系列;74S:肖特基系列;:肖特基系列;74LS74LS:低功耗肖特基系列;:低功耗肖特基系列;74LS74LS系列成为功耗延迟积较系列成为功耗延迟积较小的系列。小的系列。74LS74LS系列产品具有最佳的综合性能,是系列产品具有最佳的综合性能,是TTLTTL集成集成电路的主流,是应用最广的系列。电路的主流,是应用最广的系列。性能比较好的门电路应该是工作性能比较好的门电路应该是工作速度既快,功耗又小速度既快,功耗又小的的门电路。因此,通常用功耗和传输延迟时间的乘积门电路。因此,通常用功耗和传输延迟时间的乘积(简称功耗简称功耗延迟积延迟积)来评价门电路性能的优
16、劣。功耗来评价门电路性能的优劣。功耗延迟积越小,门延迟积越小,门电路的综合性能就越好。电路的综合性能就越好。74AS:先进肖特基系列;:先进肖特基系列;74ALS74ALS:先进低功耗肖特基系列。:先进低功耗肖特基系列。2.4 TTL2.4 TTL集成门电路集成门电路与与门门Y=AB=AB或或门门Y=A+B=A+B异异或或门门2.4 TTL2.4 TTL集成门电路集成门电路四、四、TTLTTL门电路的重要参数门电路的重要参数1.1.电压传输特性电压传输特性:输出电压跟随输入电压变化的关系曲线。:输出电压跟随输入电压变化的关系曲线。测试电路测试电路电压传输特性电压传输特性低电平输入电压低电平输入
17、电压U UILIL,maxmax0.8V0.8V高电平输入电压高电平输入电压U UIHIH,minmin2V2V低电平输出电压低电平输出电压U UOLOL,maxmax0.5V0.5V高电平输出电压高电平输出电压U UOHOH,minmin2.7V2.7V74LS74LS系列门电路标准规定:系列门电路标准规定:2.4 TTL2.4 TTL集成门电路集成门电路 实实际际应应用用中中,由由于于外外界界干干扰扰、电电源源波波动动等等原原因因,可可能能使使输输入入电电平平U UI I偏偏离离规规定定值值。为为了了保保证证电电路路可可靠靠工工作作,应应对对干干扰的幅度有一定限制,称为噪声容限。扰的幅度有
18、一定限制,称为噪声容限。2.2.输入输入噪声容限噪声容限 高电平噪声容限高电平噪声容限是指在保证输出低电平的前提下,允是指在保证输出低电平的前提下,允许叠加在输入高电平上的最大噪声电压许叠加在输入高电平上的最大噪声电压(负向干扰负向干扰),用,用U UNHNH表示:表示:低电平噪声容限低电平噪声容限是指在保证输出高电平的前提下,允许是指在保证输出高电平的前提下,允许叠加在输入低电平上的最大噪声电压叠加在输入低电平上的最大噪声电压(正向干扰正向干扰),用,用U UNLNL表表示:示:U UNL NL=U=UIL,maxIL,maxU UILILU UNH NH=U=UIHIHU UIH,minI
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- 数字 电子技术 机械工业 出版社 张建华 主编
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