常用晶体管简介.ppt

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1、常用晶体管简介Ben准备知识：PN结共价键单晶本征半导体材料搀杂特定原子，在晶格的某些位置代替原来的原子多空穴-P型半导体；多电子-N型半导体PN结结构：特殊的材料接触结构空穴与电子的“渗透”，形成 N P的接触电场（固定压降一般为0.6v）即P接正电压，N接负，接触电场削弱，结导通V1比较稳定，可作为稳压，通过工艺可以调节为几伏到几千伏V2处为正向导通，硅管约为0.6V齐纳击穿：高掺杂，结宽小，较小的反向电压强结内反向电场，共价键的电子被拉出，载流子迅速增加雪崩击穿：结宽宽时，由于载流子穿过结的路程长，被电场加速撞出共价键形成新的电子空穴对，载流子又去装另外的共价键形成的链式反应双极型三极管

2、（Bipolarity Junction Transistor）划时代集成度与性能NPN以及PNP宝贵的电流放大作用BE结正偏，BC结反偏(),E结会有从B到E的 ，同时C会反向导通形成 从C经过B流向E。所以基极电流与集电极电流叠加形成了发射极电流。共发射极电流放大倍数共发射极接法测试原理及输出特性基极和发射极作为输入回路，发射极和集电极作为输入回路，输入输出回路公用了发射极。横轴：BJT的CE极间电压四条曲线：不同的基极电流纵轴：集电极电流截止区：Ib减小到一定值饱和状态：Uce减小到一定值（Uce接近或小于Ube）放大区：Ube大于门限电压Ubeo后，出于放大区共发射极输入特性当Uce=

3、0，输入特性与二极管相似，此时集电极与发射极等效并联。BJT等效于两个并联的二极管。当Uce1时，特性曲线右移，Ube增加。BJT的参数共发射极放大系数BJT极间反向电流（Icbo，Iceo，Iebo，Iebr）集电极到基极的反向电流，集电极到发射极的泄露电流，发射极到基极的反向电流，集电极到发射极的穿透电流有外接r的情况下。高频电路阻抗变换以及极间隔离场效应晶体管（Field Effection Transistor）有别于BJT的少子运动，FET为数目多几个数量级的自由电子（多子）栅极电压Ugs是G与S间的反向电压；漏极电压Uds，漏极为正，源极为负（N沟道）两个PN结都加上了反压，且漏极

4、电位高于源极电位，所以Eg+Ed大于EgPN结方向电压增加，耗尽层变厚，且漏极耗尽层最宽，源极最窄通过改变栅极反向偏压，改变耗尽层宽度，改变沟道宽度和直流电阻，从而控制沟道电流。形成放大作用【偏置电压Eg，交流小信号Us，漏极电阻Rd，直流电源Ed。新号变化，Ugs使得Id改变。Rd两端电压成比例改变。当Eg，Ed，Rd选取合适的值时，电路具有BJT一样的电压放大功能。典型特性:输出特性曲线；转移特性曲线截止区：Ggs=-5v，Id=0，两个PN结反向偏置电压都很大，导致N沟道宽度接近零。Up为刚刚截止的夹断电压。可变电阻区：曲线直，不同的Ugs对应不同斜率，Ugs越负，电阻值越大。线性放大区

5、：Ugs高于栅极电压，随着Uds增加到-Up时，出现预夹断。Uds出现了恒流特性。击穿区转移特性曲线：Id=Idss(1-Ugs/Up)2MOSFET晶体管多子器件栅极与管子其他部分绝缘，靠栅源极间电场来控制载流子的运动搀杂浓度较低的P型硅片衬底扩散出两个高掺杂浓度的N型半导体区域引出两个欧姆接触的S，D。SGD之间为SiO绝缘体Ugs=0，等效于共阳极二极管，B为阳极，SD为阴极，不论SD两端加什么电压都不会有电流产生。当GS之间接上正压，Ugs被施加到衬底与栅极之间，会产生与P+衬底垂直的电场，当电场超过一定强度，会吸引较多的电子到P型硅的表面，在N+岛间形成到导电的N沟道。这样S、D、N沟道一起与P衬底形成PN结，当漏极源极之间加正压为PN结反向截止，产生耗尽区，把它们与衬底隔离，并在不断的漏源极间的正压下形成漏极电流Id。将刚开始出现N沟道的Ugs成为开启电压Ut增强型MOSFET转移特性以及输出特性当0UgsUt,导电沟道建立，Id0，外加正栅极电压越大，沟道越宽，沟道电阻越小，Id越大。在恒流区内，Id受控于Ugs耗尽型MOSFETUgs为零一样有耗尽区，当Ugs负到一定值，形成夹断电压Ut