第四章光检测与光接收机课件.ppt
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1、光检测器及光接收机光检测器及光接收机光纤通信第四章光纤通信第四章王立王立 湖南文理学院电信学院通信工程教研室湖南文理学院电信学院通信工程教研室湖南文理学院电信学院通信工程教研室湖南文理学院电信学院通信工程教研室光源光源调制器调制器调制器调制器驱动电路驱动电路驱动电路驱动电路放大器放大器光电二光电二极管极管判决器判决器光纤光纤光纤光纤光纤光纤光纤光纤中继器中继器中继器中继器光接收机是光纤通信系统的重要组成光接收机是光纤通信系统的重要组成光接收机是光纤通信系统的重要组成光接收机是光纤通信系统的重要组成部分,其作用是将光信号转换回电信部分,其作用是将光信号转换回电信部分,其作用是将光信号转换回电信部
2、分,其作用是将光信号转换回电信号,恢复光载波所携带的原信号。号,恢复光载波所携带的原信号。号,恢复光载波所携带的原信号。号,恢复光载波所携带的原信号。光接收机光接收机光接收机光接收机本章重点本章重点n n两种常用光检测器的工作原理及工作特性两种常用光检测器的工作原理及工作特性n n光接收机的组成及各部分的功能光接收机的组成及各部分的功能n n光接收机的性能指标光接收机的性能指标n n光接收机的噪声分析光接收机的噪声分析4.1 光检测器光检测器4.2 光接收机光接收机4.3 光接收机的噪声分析光接收机的噪声分析4.4 光接收机的灵敏度光接收机的灵敏度4.5 光接收机的性能评估光接收机的性能评估第
3、四章第四章 光检测器及光接收机光检测器及光接收机n n光接收机的首要部件是光接收机的首要部件是光光检测器器n n光检测器的作用光检测器的作用是:检测出入射在其上是:检测出入射在其上面的光功率,且将光功率转化相应的电面的光功率,且将光功率转化相应的电流流n n适合通信用的光检测器适合通信用的光检测器:光电二极管:光电二极管(主主要有要有 Pin光电二极管和雪崩光电二极管光电二极管和雪崩光电二极管)4.1 光检测器光检测器4.1.1 光电二极管的作用光电二极管的作用光纤通信中对光检测器的最重要的几点要求:光纤通信中对光检测器的最重要的几点要求:n n对所用光源的波长范围内有较高的响应度或灵对所用光
4、源的波长范围内有较高的响应度或灵敏度敏度n n较小的噪声较小的噪声n n响应速度快响应速度快n n对温度变化不敏感对温度变化不敏感n n与光纤尺寸匹配与光纤尺寸匹配n n工作寿命长工作寿命长光电二极管:尺寸小、灵敏度高、响应速度快、光电二极管:尺寸小、灵敏度高、响应速度快、材料合适材料合适4.1.2 PN光电二极管光电二极管工作原理工作原理工作原理工作原理:入射光从入射光从入射光从入射光从P P侧侧侧侧进入,在耗尽区光吸收产进入,在耗尽区光吸收产进入,在耗尽区光吸收产进入,在耗尽区光吸收产生的电子空穴对在内建生的电子空穴对在内建生的电子空穴对在内建生的电子空穴对在内建电场作用下分别向左右两电场
5、作用下分别向左右两电场作用下分别向左右两电场作用下分别向左右两侧运动,产生光电流。侧运动,产生光电流。侧运动,产生光电流。侧运动,产生光电流。响应时间响应时间响应时间响应时间:由于光生电流:由于光生电流:由于光生电流:由于光生电流包含了漂移分量和扩散分包含了漂移分量和扩散分包含了漂移分量和扩散分包含了漂移分量和扩散分量,扩散的速度比漂移的量,扩散的速度比漂移的量,扩散的速度比漂移的量,扩散的速度比漂移的速度慢很多,使检测器输速度慢很多,使检测器输速度慢很多,使检测器输速度慢很多,使检测器输出的电流脉冲的拖尾延长,出的电流脉冲的拖尾延长,出的电流脉冲的拖尾延长,出的电流脉冲的拖尾延长,限制了光电
6、转换速度。限制了光电转换速度。限制了光电转换速度。限制了光电转换速度。1)1)设法加宽耗尽层,使得照射光子尽可能被吸收,负偏设法加宽耗尽层,使得照射光子尽可能被吸收,负偏设法加宽耗尽层,使得照射光子尽可能被吸收,负偏设法加宽耗尽层,使得照射光子尽可能被吸收,负偏压有助于加宽耗尽层。由于负偏压产生的电场与内建压有助于加宽耗尽层。由于负偏压产生的电场与内建压有助于加宽耗尽层。由于负偏压产生的电场与内建压有助于加宽耗尽层。由于负偏压产生的电场与内建电场方向一致,使得耗尽层电场增强,加强了漂移运电场方向一致,使得耗尽层电场增强,加强了漂移运电场方向一致,使得耗尽层电场增强,加强了漂移运电场方向一致,使
7、得耗尽层电场增强,加强了漂移运动,动,动,动,NN区电子向正极运动并被中和,区电子向正极运动并被中和,区电子向正极运动并被中和,区电子向正极运动并被中和,P P区的空穴向负电区的空穴向负电区的空穴向负电区的空穴向负电极运动并被中和,这样耗尽层被加宽。极运动并被中和,这样耗尽层被加宽。极运动并被中和,这样耗尽层被加宽。极运动并被中和,这样耗尽层被加宽。2)2)减少减少减少减少P P区和区和区和区和NN区的厚度来减少载流子的扩散时间,减少区的厚度来减少载流子的扩散时间,减少区的厚度来减少载流子的扩散时间,减少区的厚度来减少载流子的扩散时间,减少P P区和区和区和区和NN区被收的光能区被收的光能区被
8、收的光能区被收的光能3)3)降低半导体的掺杂浓度来加宽耗尽层。降低半导体的掺杂浓度来加宽耗尽层。降低半导体的掺杂浓度来加宽耗尽层。降低半导体的掺杂浓度来加宽耗尽层。这种结构就是常用的这种结构就是常用的这种结构就是常用的这种结构就是常用的PINPIN光电二极管光电二极管光电二极管光电二极管提高响应速度采用的办法提高响应速度采用的办法4.1.3 PIN光电二极管光电二极管 一一 结构结构及及工作原理工作原理n n在在在在PNPN结间插入一层非掺杂或轻掺杂半导体材料,以增大结间插入一层非掺杂或轻掺杂半导体材料,以增大结间插入一层非掺杂或轻掺杂半导体材料,以增大结间插入一层非掺杂或轻掺杂半导体材料,以
9、增大耗尽区宽度耗尽区宽度耗尽区宽度耗尽区宽度ww,达到减小扩散运动的影响,提高响应度的达到减小扩散运动的影响,提高响应度的达到减小扩散运动的影响,提高响应度的达到减小扩散运动的影响,提高响应度的要求。由于要求。由于要求。由于要求。由于PNPN结中间插入的半导体材料近似为本征半导结中间插入的半导体材料近似为本征半导结中间插入的半导体材料近似为本征半导结中间插入的半导体材料近似为本征半导体体体体(Intrinsic)(Intrinsic),因此这种结构称为因此这种结构称为因此这种结构称为因此这种结构称为PINPIN光电二极管光电二极管光电二极管光电二极管。I I区高阻抗区高阻抗区高阻抗区高阻抗,电
10、电电电压基本都落在压基本都落在压基本都落在压基本都落在I I区区区区PINPIN光电二极管及反偏时各层的场分布光电二极管及反偏时各层的场分布光电二极管及反偏时各层的场分布光电二极管及反偏时各层的场分布二二 主要工作特性(主要工作特性(1 1)1 截止波长吸收系数截止波长吸收系数n n对一给定的探测区材料就有一个能够探测的最低对一给定的探测区材料就有一个能够探测的最低对一给定的探测区材料就有一个能够探测的最低对一给定的探测区材料就有一个能够探测的最低频率或最大波长,而对波长大于这个极限波长的频率或最大波长,而对波长大于这个极限波长的频率或最大波长,而对波长大于这个极限波长的频率或最大波长,而对波
11、长大于这个极限波长的光波就不能被探测到。光波就不能被探测到。光波就不能被探测到。光波就不能被探测到。n n光子能量光子能量光子能量光子能量h h 大于半导体材料的禁带宽度大于半导体材料的禁带宽度大于半导体材料的禁带宽度大于半导体材料的禁带宽度E Eg g时,价时,价时,价时,价带上的电子可以吸收光子而跃迁到导带,否则不带上的电子可以吸收光子而跃迁到导带,否则不带上的电子可以吸收光子而跃迁到导带,否则不带上的电子可以吸收光子而跃迁到导带,否则不论入射光多强,光电效应都不会发生。所以,任论入射光多强,光电效应都不会发生。所以,任论入射光多强,光电效应都不会发生。所以,任论入射光多强,光电效应都不会
12、发生。所以,任何一种材料制作的光电二极管都有上何一种材料制作的光电二极管都有上何一种材料制作的光电二极管都有上何一种材料制作的光电二极管都有上截止波长截止波长截止波长截止波长 CC:在在在在短波长段,材料的短波长段,材料的短波长段,材料的短波长段,材料的吸收吸收吸收吸收吸收系数吸收系数吸收系数吸收系数变得很大,因此变得很大,因此变得很大,因此变得很大,因此光子在接近光检测器的表光子在接近光检测器的表光子在接近光检测器的表光子在接近光检测器的表面就被吸收了,电子空面就被吸收了,电子空面就被吸收了,电子空面就被吸收了,电子空穴对的寿命极短,结果载穴对的寿命极短,结果载穴对的寿命极短,结果载穴对的寿
13、命极短,结果载流子在由光检测器电路收流子在由光检测器电路收流子在由光检测器电路收流子在由光检测器电路收集以前就已经复合了。集以前就已经复合了。集以前就已经复合了。集以前就已经复合了。SiSi:C C=1.06=1.06 mm,使用范围:使用范围:使用范围:使用范围:0.51.0 0.51.0 mmGeGe:C C=1.6=1.6 mm,使用范围:使用范围:使用范围:使用范围:1.11.6 1.11.6 mmInGaAsInGaAs:C C=1.6=1.6 mm,使用范围:使用范围:使用范围:使用范围:1.11.6 1.11.6 mm二二 主要工作特性主要工作特性(2)2 量子效率和响应度量子效
14、率和响应度n n入射光功率入射光功率入射光功率入射光功率Pin中含有大量光子,能转换为光电流的光子中含有大量光子,能转换为光电流的光子中含有大量光子,能转换为光电流的光子中含有大量光子,能转换为光电流的光子数和入射总光子数之比称为数和入射总光子数之比称为数和入射总光子数之比称为数和入射总光子数之比称为量子效率量子效率量子效率量子效率.n n光生电流光生电流光生电流光生电流I I0 0与入射光功率与入射光功率与入射光功率与入射光功率P Pinin之比称为之比称为之比称为之比称为响应度响应度响应度响应度n n RR0 0=I=I0 0/P/Pininnn响应度与量子效率的关系响应度与量子效率的关系
15、产生的电子空穴对的个数产生的电子空穴对的个数产生的电子空穴对的个数产生的电子空穴对的个数入射的光子数入射的光子数入射的光子数入射的光子数二二 主要工作特性主要工作特性3 3)为了得到较高的量子效率,必须加大耗尽区的厚度,为了得到较高的量子效率,必须加大耗尽区的厚度,为了得到较高的量子效率,必须加大耗尽区的厚度,为了得到较高的量子效率,必须加大耗尽区的厚度,使得使得使得使得可以吸收大部分的光子。可以吸收大部分的光子。可以吸收大部分的光子。可以吸收大部分的光子。3 响应时间响应时间 响应时间响应时间响应时间响应时间:由光功率输入转化为光电流输出,有由光功率输入转化为光电流输出,有由光功率输入转化为
16、光电流输出,有由光功率输入转化为光电流输出,有一定时间迟后,其值取决与光检器电路的上升时一定时间迟后,其值取决与光检器电路的上升时一定时间迟后,其值取决与光检器电路的上升时一定时间迟后,其值取决与光检器电路的上升时间、载流子通过耗尽区的间、载流子通过耗尽区的间、载流子通过耗尽区的间、载流子通过耗尽区的渡越时间、载流子扩散渡越时间、载流子扩散渡越时间、载流子扩散渡越时间、载流子扩散时间时间时间时间。主要决定于载流子通过耗尽区的主要决定于载流子通过耗尽区的主要决定于载流子通过耗尽区的主要决定于载流子通过耗尽区的渡越时间。渡越时间。渡越时间。渡越时间。由渡越时间限制的上截止频率由渡越时间限制的上截止
17、频率由渡越时间限制的上截止频率由渡越时间限制的上截止频率二二 主要工作特性(主要工作特性(4 4)二二 主要工作特性(主要工作特性(5 5)4 线性饱和线性饱和n n当入射光功率太大时,光生电流与光功率不成正当入射光功率太大时,光生电流与光功率不成正当入射光功率太大时,光生电流与光功率不成正当入射光功率太大时,光生电流与光功率不成正比,产生非线性失真。比,产生非线性失真。比,产生非线性失真。比,产生非线性失真。5 暗电流暗电流n n在无光照射时仍有电流流过,这部分电流称为暗在无光照射时仍有电流流过,这部分电流称为暗在无光照射时仍有电流流过,这部分电流称为暗在无光照射时仍有电流流过,这部分电流称
18、为暗电流电流电流电流.反向电压越大,暗电流越大。反向电压越大,暗电流越大。反向电压越大,暗电流越大。反向电压越大,暗电流越大。4.1.4 雪崩雪崩光电二极管光电二极管APD PIN:PIN:1 1个光子最多产生一对电子个光子最多产生一对电子个光子最多产生一对电子个光子最多产生一对电子-空穴对空穴对空穴对空穴对,无增益无增益无增益无增益 APD:APD:利用电离碰撞利用电离碰撞利用电离碰撞利用电离碰撞,1 1个光子产生多对电子个光子产生多对电子个光子产生多对电子个光子产生多对电子-空穴对空穴对空穴对空穴对,有增益有增益有增益有增益 工作过程:工作过程:工作过程:工作过程:入射光入射光入射光入射光
19、-一对一对一对一对电子电子电子电子-空穴对空穴对空穴对空穴对(一次光生电流一次光生电流一次光生电流一次光生电流)-)-与晶格碰撞电离与晶格碰撞电离与晶格碰撞电离与晶格碰撞电离-多多多多对对对对电子电子电子电子-空穴对空穴对空穴对空穴对(二次光生电流)二次光生电流)二次光生电流)二次光生电流)吸收吸收吸收吸收外电场加速外电场加速外电场加速外电场加速增加了一个附加增加了一个附加增加了一个附加增加了一个附加层,倍增区或增层,倍增区或增层,倍增区或增层,倍增区或增益区,以实现碰益区,以实现碰益区,以实现碰益区,以实现碰撞电离产生二次撞电离产生二次撞电离产生二次撞电离产生二次电子空穴对。电子空穴对。电子
20、空穴对。电子空穴对。耗尽层仍为耗尽层仍为耗尽层仍为耗尽层仍为I I层,起产生一层,起产生一层,起产生一层,起产生一次电子空穴次电子空穴次电子空穴次电子空穴对的作用。对的作用。对的作用。对的作用。1 1、倍增系数、倍增系数、倍增系数、倍增系数 GG=I Ip p /I/I0 0 I IP P-平均输出电流,平均输出电流,平均输出电流,平均输出电流,I I0 0-一次光生电流一次光生电流一次光生电流一次光生电流 I IP P GG I I0 0 GGRPRPinin 倍增系数倍增系数倍增系数倍增系数GG与外加偏压、波长、温度有关。与外加偏压、波长、温度有关。与外加偏压、波长、温度有关。与外加偏压、
21、波长、温度有关。2 2、过剩噪声因子、过剩噪声因子、过剩噪声因子、过剩噪声因子F F 在在在在APDAPD中,每个光生载流子不会经历相同的倍增过程,中,每个光生载流子不会经历相同的倍增过程,中,每个光生载流子不会经历相同的倍增过程,中,每个光生载流子不会经历相同的倍增过程,具有随机性,这将导致倍增增益的波动,这种波动是额外具有随机性,这将导致倍增增益的波动,这种波动是额外具有随机性,这将导致倍增增益的波动,这种波动是额外具有随机性,这将导致倍增增益的波动,这种波动是额外的倍增噪声的主要根源。通常用过剩噪声因子的倍增噪声的主要根源。通常用过剩噪声因子的倍增噪声的主要根源。通常用过剩噪声因子的倍增
22、噪声的主要根源。通常用过剩噪声因子F F来表征这来表征这来表征这来表征这种倍增噪声。种倍增噪声。种倍增噪声。种倍增噪声。F F又可近似表为:又可近似表为:又可近似表为:又可近似表为:F FGGx x x x被称为被称为被称为被称为过剩噪声指数。过剩噪声指数。过剩噪声指数。过剩噪声指数。二二 APD的工作特性(的工作特性(1)二二 APD的工作特性(的工作特性(2)3、响应度和量子效率响应度和量子效率 响应度提高响应度提高G倍,量子效率与倍增无关倍,量子效率与倍增无关4、暗电流、暗电流 随倍增因子随倍增因子G的增大而增大的增大而增大5、线性饱和、线性饱和 主要是由于反向偏压不能保持恒定主要是由于
23、反向偏压不能保持恒定三三 光检测器的比较(光检测器的比较(1)参数参数参数参数符号符号符号符号单位单位单位单位SiSiGeGeInGaAsInGaAs波长范围波长范围波长范围波长范围 nmnm40011004001100800165080016501100170011001700响应度响应度响应度响应度R RA/WA/W0.40.60.40.60.40.50.40.50.750.950.750.95暗电流暗电流暗电流暗电流I ID DnAnA11011050500505000.52.00.52.0上升时间上升时间上升时间上升时间 r rnsns0.51.00.51.00.10.50.10.50
24、.050.50.050.5带宽带宽带宽带宽B BGHzGHz0.30.70.30.70.53.00.53.01.02.01.02.0偏置电压偏置电压偏置电压偏置电压V VB BV V5 55105105 5SiSi、GeGe、InGaAsInGaAs pinpin光电二极管的通用工作特性参数光电二极管的通用工作特性参数光电二极管的通用工作特性参数光电二极管的通用工作特性参数光检测器的比较(光检测器的比较(2)参数参数参数参数符号符号符号符号单位单位单位单位SiSiGeGeInGaAsInGaAs波长范围波长范围波长范围波长范围 nmnm40011004001100800165080016501
25、100170011001700雪崩增益雪崩增益雪崩增益雪崩增益MM2040020400502005020010401040暗电流暗电流暗电流暗电流I ID DnAnA0.110.11505005050010501050M=10M=10上升时间上升时间上升时间上升时间 r rnsns0.120.120.50.80.50.80.10.50.10.5增益带宽积增益带宽积增益带宽积增益带宽积MM B BGHzGHz1004001004002102102025020250偏置电压偏置电压偏置电压偏置电压V VB BV V1504001504002040204020302030SiSi、GeGe、InGa
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