BFS520晶体管产品规格书.pdf
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1、 BFS520 高频低噪声宽带晶体管BFS520 高频低噪声宽带晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 BFS520 NPN TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 1.简述:1.简述:本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中,如电视调谐器、卫星电视接收器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和光纤传输中的中继放大器
2、等产品;集电极-基极击穿电压:BVCEO=15V,集电极电流:IC=70mA,耗散功率:PC=300mW,特征频率:fT=9GHz;封装形式:SOT323,本体印字(Marking):32W 或者 N28 或者 N2 或者 N2t。2.极限参数2.极限参数(Tamb=25):参数名称 符号 额定值 单位 集电极-基极击穿电压 BVCBO 20 V 集电极-发射极击穿电压 BVCEO 15 V 发射极-基极击穿电压 BVEBO 2.5 V 集电极电流 IC 70 mA 耗散功率 PT 300 mW 最高结温 TJ 150 储存温度 Tstg-65+150 3.电参数及规格3.电参数及规格(Tam
3、b=25):参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集电极截止电流 ICBO VCB=6V,IE=0-0.05 A 直流电流放大系数 hFE VCE=6V,IC=20mA 60 120 250 特征频率 fT VCE=6V,IC=20mA-9-GHz 反馈电容 Cre IC=iC=0,VCB=6V,f=1MHz-0.4-pF 集电极电容 Cc IE=ie=0,VCB=6V,f=1MHz-0.5-pF 发射极电容 Ce IC=iC=0,VEB=0.5V,f=1MHz-1.0-pF 插入功率增益 S212 VCE=6V,IC=20mA,f=900MHz13 14-dB VCE=6V
4、,IC=5mA,f=900MHz-1.1 1.6 dB VCE=6V,IC=20mA,f=900MHz-1.6 2.1 dB 噪声系数 NF VCE=8V,IC=5mA,f=2GHz-1.9-dB VCE=6V,IC=20mA,f=900MHz-15-dB 最大单边功率增益 GUM VCE=6V,IC=20mA,f=2GHz-9-dB 输出电压 VO 270 mV 输出功率在 1dB 的增益压缩 PL1 VCE=6V,IC=20mA,RL=50 f=900MHz-17-dBm 二阶互调失真 d2 VCE=6V,IC=20mA,VO=75mV,f(p+q)=900MHz-50-dB Emitte
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