BFG197晶体管产品规格书.pdf
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1、 BFG197 NPN 微波低噪声晶体管BFG197 NPN 微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 BFG197 NPN TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 1.1.简述:简述:本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及 低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中,如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和 光纤传输中的中继放大器
2、等产品;集电极-发射极击穿电压:BVCEO=15V,集电极电流:IC=70mA,耗散功率:PC=300mW,特征频率:fT=9GHz。2.2.封装形式和引脚定义:封装形式和引脚定义:型号型号(Model)BFG197 BFG197/X BFG197A/XR 封装形式(Package)SOT143B SOT143B SOT143R 本体激光标示(Marking)V5 V13 V35 引脚(Pin)1 collector collector collector 引脚(Pin)2 base emitter emitter 引脚(Pin)3 emitter base base 引脚(Pin)4 emi
3、tter emitter emitter 3.极限参数(Tamb=25):极限参数(Tamb=25):参数名称 参数名称 符号 符号 额定值 额定值 单位 单位 集电极-基极击穿电压 BVCBO 20 V 集电极-发射极击穿电压 BVCEO 10 V 发射极-基极击穿电压 BVEBO 2.5 V 集电极电流 IC 100 mA 耗散功率 PT 350 mW 最高结温 TJ 150 储存温度 Tstg-65+150 Lead-freeLead-free 4 4312312SOT143R 4 4312312SOT143B Top view BFG197 NPN 微波低噪声晶体管BFG197 NPN
4、 微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 4.电参数及规格(Tamb=25):电参数及规格(Tamb=25):参数名称 参数名称 符号 符号 测试条件 测试条件 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 单位 集电极截止电流 ICBO VCB=5V,IE=0-0.05 A 直流电流放大系数 hFE VCE=5V,IC=50mA 50 120 250 特征频率 fT VCE=5V,IC=50mA-8-GHz 反馈电容 Cre IC=iC=0,VCB=8V,f=1MHz-0.85-pF 集电极电容 CC IE=ie=0,VCB=8V,f=1MHz-1.5-pF 发射极电容
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