单片后道新设备工艺参数固化——技术创新评价表.doc

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1、亚光微波 JCBC11030325技术创新评价表项目名称单片后道新设备工艺参数固化项目等级承接单位一中心完成日期11.24技术创新总结一、 HighMax SHM-200贴膜机工艺使用UV膜进行贴膜，由于使用6工作台， 在对4英寸晶圆贴膜时。UV膜粘附在工作台上，造成贴膜完成后取件困难，甚至由于UV膜粘连在工作台上使得在取件时晶圆破裂。故需要在工作台上覆盖UV离型膜，防止UV膜粘附在工作台面。 二、 DAD322切割机砷化镓切割工艺使用4英寸砷化镓晶圆对切割机进行试运行。划片道宽度160um，晶圆厚度100um，UV膜厚度100um。主轴转速30000 r/min，刀片高度75um，进刀速度2

2、mm/s，试验结果如下：刀片型号ZH05-SD3000-N1-50 BBY方向边缘宽度Y方向芯片尺寸X方向芯片边缘宽度X方向芯片尺寸X方向最大划痕+崩边宽度Y方向最大划痕+崩边宽度60922609205842599216492157425092360923664243922609247342529215692160457292160920543860919629226038589205492066486091960919553860919599205337最大值72923649247348平均值57.4920.759.592160.241.2最小值43919549195337误差范围29410

3、52011芯片正面：技术创新总结芯片背面：芯片侧边：使用此种刀片，刀痕宽度为41um左右，但崩边较严重，长行程运行后发现有数处裂纹，但芯片尺寸误差范围在5um内，即芯片尺寸符合要求。X方向与Y方向崩边情况不同为晶圆本身晶向所至，故X方向崩边会大于Y方向崩边。技术创新总结刀片型号NBC-ZH 226J-SE 27HABBY方向边缘宽度Y方向芯片尺寸X方向芯片边缘宽度X方向芯片尺寸X方向最大划痕+崩边宽度Y方向最大划痕+崩边宽度59921669233632589226592440315492165923433156922649244031609216892439325992066924383357

4、921659244133559226492439345892165924403458921659254331最大值60922689254334平均值57.4921.265.3923.939.932.2最小值54920649233631误差范围624273芯片正面：芯片背面：技术创新总结芯片侧边：使用此种刀片，刀痕宽度为32um左右，但崩边大为改善，长行程运行后没有发现裂纹和背崩的情况。芯片尺寸误差范围在2um内，即芯片尺寸符合要求。X方向与Y方向崩边情况不同为晶圆本身晶向所至，故X方向崩边会大于Y方向崩边。较前一种刀片崩边减小了70%。故今后采取NBC-ZH 226J-SE 27HABB刀片，主轴转速30000 r/min，刀片高度75um，进刀速度2mm/s，即可对砷化镓晶圆进行切割。对于硅片，则采取100mm/s的进刀速度。石英基片，采取5mm/s的进刀速度均可达到较好的切割效果。三、 DCS1440晶圆清洗机 我们对切割后的4英寸晶圆进行了清洗，喷水时间设定为喷淋30s，吹干30s，工作盘转速1200r/min。对清洗后的晶圆在100倍显微镜下观察，可以达到验收要求。评审结论 评审组长：申请人许庆宪审核批准