ON4832晶体管产品规格书.pdf
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1、 ON4832 NPN 微波低噪声晶体管ON4832 NPN 微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 ON4832 NPN TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 1.1.简述:简述:本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益、低噪声系数、较宽的转换频率、低漏电流、金材质引出结构,具有较高的可靠性;主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中,如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和 光纤传输中的中继放大器等产品
2、;集电极-发射极击穿电压:BVCEO=15V,最大集电极电流:IC=120mA,集电极耗散功率:PC=400mW,特征频率:fT=9GHz;采用 4 引脚(宽集电极引脚与双发射极引脚)的 SOT143B 和 SOT143R 表面贴塑封。2.2.封装形式和引脚定义:封装形式和引脚定义:型号型号(Model)ON4832 ON4832/X ON4832/XR 封装形式(Package)SOT143B SOT143B SOT143R 本体激光标示(Marking)WMG WMM WMR 引脚(Pin)1 collector collector collector 引脚(Pin)2 base emit
3、ter emitter 引脚(Pin)3 emitter base base 引脚(Pin)4 emitter emitter emitter 3.极限参数(Tamb=25):极限参数(Tamb=25):参数名称 参数名称 符号 符号 额定值 额定值 单位 单位 集电极-基极击穿电压 BVCBO 20 V 集电极-发射极击穿电压 BVCEO 15 V 发射极-基极击穿电压 BVEBO 2.5 V 集电极电流 IC 120 mA 耗散功率 PT 400 mW 最高结温 TJ 150 储存温度 Tstg-65+150 Lead-freeLead-free 4 4312312SOT143R 4 43
4、12312SOT143B Top view ON4832 NPN 微波低噪声晶体管ON4832 NPN 微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 4.电参数及规格电参数及规格(除非标注,否则都是在 T(除非标注,否则都是在 TJ=25条件下)=25条件下):参数名称 参数名称 符号 符号 测试条件 测试条件 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 单位 集电极截止电流 ICBO VCB=6V,IE=0-0.05 A 直流电流放大系数 hFE VCE=6V,IC=20mA 60 120 250 特征频率 fT IC=40mA VCE=8V,f=1MHz,Tamb=25-9
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- ON4832 晶体管 产品 规格书
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