BP2812规格书(最新版).pdf
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1、 BP2812 非隔离降压型非隔离降压型 LED 恒流控制器恒流控制器 1 晶丰明源半导体概述 概述 BP2812 是一款高精度的 LED 恒流控制芯片,应用于非隔离的降压型 LED 电源系统,适合全范围的交流电压输入或者 12V600V 的直流电压输入。BP2812 内部集成 600V 功率 MOSFET,只需要很少的外围元件,即可实现优异的恒流特性。BP2812 芯片内带有高精度的电流取样电路,同时采用了专利的恒流控制技术,实现高精度的 LED恒流输出和优异的线性调整率。芯片工作在电感电流临界模式,系统输出电流不随电感量和 LED工作电压的变化而变化,实现优异的负载调整率。BP2812 采
2、用专利的源极驱动技术,芯片工作电流只有 200uA,无需辅助绕组供电,简化设计,降低系统成本。BP2812 具有多重保护功能,包括 LED 短路保护、电流采样电阻短路保护和芯片过温保护。BP2812 采用 SOP-8 封装。典型应用 特点 典型应用 特点 临界模式工作,无需电感补偿 内置 600V 功率 MOSFET 源极驱动,无需辅助绕组供电 高达3%的 LED 电流精度 高达 93%以上的系统效率 LED 短路保护 CS 采样电阻短路保护 芯片过温保护 应用 应用 球泡灯 蜡烛灯 玉米灯 景观灯 ACBP2812SOURCECSLNVCCDRAINGNDCSDRAIN 图 1 典型应用图
3、2 3 5 5 3 Q 6 8 8 7 2 黄R 1 3 7 6 0 3 电2 5 0 7 0 BP2812 非隔离降压型非隔离降压型 LED 恒流控制器恒流控制器 2 晶丰明源半导体定购信息 定购信息 定购型号 定购型号 封装 封装 温度范围 温度范围 包装形式 包装形式 打印 打印 BP2812 SOP8-40 到 105 编带 2,500 颗/盘 BP2812 XXXXXY WXYY 管脚封装 管脚封装 DRAINGNDCSDRAINBP2812XXXXXYWXYYCSLNVCCSOURCE 图 2 管脚封装图 管脚描述 管脚描述 管脚号 管脚号 管脚名称 管脚名称 描述 描述 1 GN
4、D 芯片地 2 LN 线电压补偿输入端 3 VCC 芯片电源端,内置 12.5V 稳压管 4 SOURCE 内部高压 MOSFET 的源极 5,6 DRAIN 内部高压 MOSFET 的漏极 7,8 CS 电流采样端,接电流检测电阻到地 XXXXXY:lot code W:标示 X:年号 YY:周号 BP2812 非隔离降压型非隔离降压型 LED 恒流控制器恒流控制器 3 晶丰明源半导体极限参数(注 1)极限参数(注 1)符号 符号 参数 参数 参数范围 参数范围 单位 单位 VDS 内部高压 MOSFET 漏极到源极峰值电压-0.3600V V ICC_MAX 最大电源电流 5 mA VLN
5、 线补偿电压-0.318 V VSOURCE 内部高压 MOSFET 的源极电压-0.318 V VCS 电流采样端电压-0.36 V PDMAX 功耗(注 2)0.5 W JA PN 结到环境的热阻 150/W TJ 工作结温范围-40 to 150 TSTG 储存温度范围-55 to 150 ESD(注 3)2 KV 注 1注 1:最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内,器件功能正常,但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数,该规范不予保证其精度,但其典
6、型值合理反映了器件性能。注 2:注 2:温度升高最大功耗一定会减小,这也是由 TJMAX,JA,和环境温度 TA所决定的。最大允许功耗为 PDMAX=(TJMAX-TA)/JA或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。注 3:注 3:人体模型,100pF 电容通过 1.5K 电阻放电。推荐工作范围 推荐工作范围 符号 符号 参数 参数 参考范围 参考范围 单位 单位 ILED 输出 LED 电流 135 mA BP2812 非隔离降压型非隔离降压型 LED 恒流控制器恒流控制器 4 晶丰明源半导体电气参数(注 4,5)电气参数(注 4,5)(无特别说明情况下,V(无特别说明情况下,VCC CC=
7、12 V,T=12 V,TA A=25=25 )符号 符号 说明 说明 条件 条件 最小值 最小值 典型值 典型值 最大值 最大值 单位 单位 电源部分电源部分 VCC_CLAMP VCC箝位电压 12.5 V IDD_CLAMP VCC箝位电流 5 mA VCC_ST 芯片启动电压 VCC 上升 7.5 8.3 9.1 V VUVLO_HYS 欠压保护迟滞 VCC下降 1 V IST 启动电流 VCC=VCC_ST-0.5V 70 150 uA IOP 工作电流 200 uA 电流采样部分电流采样部分 VCS_TH 电流检测阈值 390 400 410 mV TLEB 前沿消隐时间 350
8、ns TDELAY 芯片关断延迟 300 ns 线电压补偿线电压补偿 VCS/(VLN-VCC)线电压补偿比例 -40 mV/V 过温保护 过温保护 TSD 热关断温度 150 TSD_HYS 过热保护迟滞 30 高压 MOSFET高压 MOSFET RSW 导通电阻 VCC=12V 10 VDSS 漏极到源极电压 600 V 内部驱动 内部驱动 TOFF_MIN 最小退磁时间 4 us TOFF_MAX 最大退磁时间 130 us TON_MAX 最大开通时间 45 us 注 4:注 4:典型参数值为 25C 下测得的参数标准。注 5:注 5:规格书的最小、最大规范范围由测试保证,典型值由设
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