CH4--双极结型三极管及放大电路基础1.ppt
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1、CH4 双极结型三极管双极结型三极管及放大电路基础及放大电路基础 4-1双极结型晶体管双极结型晶体管(BJT)半半导导体体三三极极管管晶晶体体三三极极管管晶晶体体管管三三极极管管双双极极型型晶晶体体管管(B B J J T T)基基 本本 特特 性性:电电 流流 放放 大大 作作 用用 4.1.1 BJT的基本结构的基本结构1.基本结构基本结构 三个区:三个区:发射区发射载流子(掺杂浓度高);集电区收集载流子(掺杂浓度低、面积大);基 区传送和控制载流子(掺杂浓度非常低、很薄掺杂浓度非常低、很薄)。两个结:发射结JE;集电结JC。三个极:三个极:发射极E;集电极C;基 极B。结构并不对称结构并
2、不对称4.1.1 BJT的基本结构的基本结构1.基本结构基本结构 2.表示符号表示符号 4.1.1 BJT的基本结构的基本结构1.基本结构基本结构 2.表示符号表示符号 3.分类分类 v按工艺分按工艺分:平面型、合金型v按结构分按结构分:PNP型管(多为Ge管)NPN型管(多为Si管)v按材料分按材料分:硅管、锗管v按频率分按频率分:高频管、低频管v按功率分按功率分:大、中、小功率管4.1.1 BJT的基本结构的基本结构1.基本结构基本结构 2.表示符号表示符号 3.分类分类 4.命名方法命名方法 半导体分立元件型号命名方法半导体分立元件型号命名方法GB249-89 电极数:三极管3 A G
3、1 B用途:高频小功率管材料和极性:PNP型,锗材料序号规格号4.1.1 BJT的基本结构的基本结构1.基本结构基本结构 2.表示符号表示符号 3.分类分类 4.命名方法命名方法 5.实物图片实物图片 管脚的判别管脚的判别4.1.2 4.1.2 放大状态下放大状态下BJTBJT的工作原理的工作原理1.三极管具有放大作用的条件三极管具有放大作用的条件 内部条件:内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度;基区很薄。外部条件:外部条件:发射结要正偏;集电结要反偏。发射结要正偏;集电结要反偏。2.放大状态下三极管的偏置放大状态下三极管的偏置 电压和电流的实际方向电压和电流的实际方向如图所示:电压和电
4、流的习惯参考方向:电流的习惯参考方向电流的习惯参考方向与实际方向一致;电压的习惯参考方向电压的习惯参考方向:UBE、UCE。对NPN型管:UBE、UCE都为正值;对PNP型管:UBE、UCE都为负值。4.1.2 4.1.2 放大状态下放大状态下BJTBJT的工作原理的工作原理例例 有有两两个个晶晶体体管管分分别别接接在在放放大大电电路路中中,今今测测得得它它们们管管脚脚的的电电位位如如下下表表所所示示,试试判判别别管管子子的的三三个个管管脚脚,并并说说明明是是硅硅管管还还是锗管?是是锗管?是NPN型还是型还是PNP型?型?管管 脚脚1 12 23 3T T1 1的电位的电位(V)V)5 55.
5、75.71010T T2 2的电位的电位(V)V)-2-2-10-10-2.3-2.3管脚管脚1 12 23 3类类 型型T T1 1C CE EB B硅管硅管NPN型型T T2 2E EC CB B锗管锗管PNP解:解:4.1.2 4.1.2 放大状态下放大状态下BJTBJT的工作原理的工作原理3.BJT内部载流子的传输过程内部载流子的传输过程 以PNP型三极管为例(1).发射区向基区发射空穴发射区向基区发射空穴发射结正偏:发射结正偏:E区区的的多多子子(空空穴穴)扩扩散散到到B区区空穴扩散电流空穴扩散电流Ipe;B区区的的多多子子(电电子子)扩扩散散到到E区区电子扩散电流电子扩散电流Ine
6、。因因为为:发发射射区区杂杂质质浓浓度度要要远大于基区杂质浓度。远大于基区杂质浓度。所以:所以:IpeIneIE=Ipe+IneIpe4.1.2 4.1.2 放大状态下放大状态下BJTBJT的工作原理的工作原理3.BJT内部载流子的传输过程内部载流子的传输过程 以PNP型三极管为例(2).空空穴穴在在基基区区中中的的扩扩散散和和复合复合扩扩散散:由由于于浓浓度度差差,空空穴穴向集电区扩散;向集电区扩散;复复合合:由由于于B区区存存在在电电子子(多子多子)而复合。而复合。因因为为:基基区区很很薄薄,杂杂质质浓浓度度又又很很小小;集集电电区区面面积积又又大大,所所以以:复复合合的的机机会会很很少少
7、,扩扩散运动占优势。散运动占优势。IpcIpb 称其为共共基基极极直直流流电流放大倍数电流放大倍数。其值 越大,放大效果越好。4.1.2 4.1.2 放大状态下放大状态下BJTBJT的工作原理的工作原理3.BJT内部载流子的传输过程内部载流子的传输过程 以PNP型三极管为例(3).集集电电区区收收集集扩扩散散过过来来的的电子电子集电结反偏:集电结反偏:由由E区区扩扩散散到到B区区的的空空穴穴很很容易穿过容易穿过C结结Ipc;存存在在漂漂移移运运动动,从从而而形形成成了了反向饱和电流反向饱和电流ICBO。ICBO随随温温度度变变化化大大,对对三三极管放大性能的影响较大。极管放大性能的影响较大。在
8、在三三极极管管的的内内部部有有两两种种载载流流子子流流动动,故故又又称称为为双双极极型型晶晶体管体管。称其为共共基基极极直直流流电流放大倍数电流放大倍数。其值 越大,放大效果越好。4.1.2 4.1.2 放大状态下放大状态下BJTBJT的工作原理的工作原理4.电流分配关系电流分配关系 IE=Ipe;IC=Ipc+ICBO IB=Ipb-I-ICBO 定义:共射极直流电流放大定义:共射极直流电流放大倍数倍数 称其为共共基基极极直直流流电流放大倍数电流放大倍数。其值 越大,放大效果越好。I ICEOCEO穿透电流穿透电流;ICBO反向饱和电流。反向饱和电流。4.1.2 4.1.2 放大状态下放大状
9、态下BJTBJT的工作原理的工作原理5.放大电路的三种组态放大电路的三种组态(连接方式连接方式)利用利用BJT组成放大电路,组成放大电路,其中一个电极作为其中一个电极作为信号输入信号输入端,一个电极作为端,一个电极作为信号输出信号输出端,一个电极作为端,一个电极作为输入、输输入、输出回路的共同端出回路的共同端。根据共同。根据共同端的不同,端的不同,BJT有有三种连接三种连接方式方式(组态组态):共基极接法共基极接法CB共发射极接法共发射极接法CE共集电极接法共集电极接法CC共共发射发射极极接法电路如图接法电路如图为什么称为共射为什么称为共射极极接法接法?信号源信号源负负 载载共射极电路以基极为
10、输入共射极电路以基极为输入端,集电极为输出端,以端,集电极为输出端,以发射极作为输入、输出回发射极作为输入、输出回路的共同端。路的共同端。4.1.2 4.1.2 放大状态下放大状态下BJTBJT的工作原理的工作原理6.电压电压放大作用放大作用 设设T T的的=49静态工作情况:静态工作情况:加加EB、EC使使得得发发射射结结正正偏偏;集电结反偏。集电结反偏。动态工作情况:动态工作情况:在基极输入端加入一个待放在基极输入端加入一个待放大的信号大的信号uI:设设uI=20mViE=1mAiB=iE/(1+)=20AiC=iB=0.98mAuO=-iCRL=-0.98V电压放大倍数为:电压放大倍数为
11、:AV=uO/uI=-49式中式中“-”表示输出电压与输表示输出电压与输入电压反相。入电压反相。注注意意放放大大是是对对变变化化量量(电电压、电流压、电流)而言的。而言的。形成静态电流形成静态电流IE=2mAIB=40AIC=1.94mA电路起到了电路起到了电压放大作用。电压放大作用。4.1.3 BJT4.1.3 BJT的共射极特性曲线的共射极特性曲线 BJT BJT 的特性曲线是用来表示各极电压和的特性曲线是用来表示各极电压和电流之间相互关系的,它反映了晶体管的性电流之间相互关系的,它反映了晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。能,是分析放大电路的重要依据。最常用的是最常用的是共发射极接法
12、共发射极接法时的时的输入特性输入特性曲线曲线和和输出特性曲线输出特性曲线。实验电路如图所示:实验电路如图所示:4.1.3 BJT4.1.3 BJT的共射极特性曲线的共射极特性曲线1.共射极输入特性曲线共射极输入特性曲线 共射极共射极输入特性曲线是指当输入特性曲线是指当集集-射射uCE为常数时,输入回为常数时,输入回路中基极电流路中基极电流iB和基和基-射极电射极电压压uBE之间的关系曲线:之间的关系曲线:iB=f(uBE)uCE=常数常数 u uCECE1V1V时,时,和二极管的伏安特性一样。和二极管的伏安特性一样。4.1.3 BJT4.1.3 BJT的共射极特性曲线的共射极特性曲线2.共射极
13、输出特性曲线共射极输出特性曲线 共射极共射极输出特性曲线是指当输出特性曲线是指当基极电流基极电流i iB B为常数时,输出为常数时,输出回路中集电极电流回路中集电极电流i iC C和集和集-射射极电压极电压u uCECE之间的关系曲线:之间的关系曲线:i iC C=f(uf(uCECE)i)iE E=常数常数 4.1.3 BJT4.1.3 BJT的共射极特性曲线的共射极特性曲线2.共射极输出特性曲线共射极输出特性曲线 通常把晶体管的输出特性曲线分为通常把晶体管的输出特性曲线分为三个区域:三个区域:放大区放大区曲线中接近水平的部分是放大区。曲线中接近水平的部分是放大区。【条件条件】集电结反偏,发
14、射结正偏集电结反偏,发射结正偏。【特点特点】i iC C与与i iB B成线性关系:成线性关系:i iC C=iiB B所以放大区又称所以放大区又称线性区线性区。截止区截止区i iB B00的曲线以下的区域称为截止区。的曲线以下的区域称为截止区。只要只要U UBEBE U Uthth时,时,T T截止。截止。为了使为了使T T可靠截止,常使可靠截止,常使U UBEBE00。【条件条件】发射结反偏,集电结反偏。发射结反偏,集电结反偏。【特点特点】i iB B=0=0,i iC C=I=ICEOCEO00饱和区饱和区当当u uCECE IICSCS/I ICSCS是集电极饱和是集电极饱和(最大最大
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