崇左碳化硅项目投资计划书模板.docx
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1、泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书崇左碳化硅项目崇左碳化硅项目投资计划书投资计划书xxxxxx 有限公司有限公司泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书报告说明报告说明碳化硅为第三代半导体材料,碳化硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势。碳化硅具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,广泛应用于新能源汽车、光伏、工控、射频通信等领域。SiCMOSFET 较 IGBT 可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。此外,据 Wolfspeed 研究显示,相同规格的碳化硅基 MOSFET 与硅基 MOSFET 相比,
2、其尺寸可大幅减少至原来的 1/10。在新能源汽车方面,基于上述性能优势,碳化硅可助力新能源汽车实现轻量化及降低损耗,增加续航里程,特斯拉、比亚迪等车企已率先开始应用 SiC 方案。根据谨慎财务估算,项目总投资 8565.26 万元,其中:建设投资6851.92 万元,占项目总投资的 80.00%;建设期利息 153.11 万元,占项目总投资的 1.79%;流动资金 1560.23 万元,占项目总投资的18.22%。项目正常运营每年营业收入 16100.00 万元,综合总成本费用13193.47 万元,净利润 2123.17 万元,财务内部收益率 17.50%,财务净现值 1097.87 万元,
3、全部投资回收期 6.35 年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书通过分析,该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构,改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录目录第一章第一章 行业、市场分析行业、市场分析.9一、乘碳中和之东风,2025 年市场规模有望较 2020 年翻 5 倍.9二、SiC 器件与传统产品价差持续收窄,具备经济效益指日可待.10三、碳化硅较硅更能满足高
4、温、高压、高频等需求,下游应用领域广泛.11第二章第二章 项目背景、必要性项目背景、必要性.14一、工控:SiC 模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方位渗透.14二、直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC 将加速替代.15三、衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高.16四、积极主动融入粤港澳大湾区.18第三章第三章 项目基本情况项目基本情况.20一、项目名称及建设性质.20二、项目承办单位.20三、项目定位及建设理由.21泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书四、报告编制说明.23五、项目建设选址.25六、项目生产规模.25七、建筑物建设规模.25八、环境影响.26九、项目总投资及资金
5、构成.26十、资金筹措方案.27十一、项目预期经济效益规划目标.27十二、项目建设进度规划.27主要经济指标一览表.28第四章第四章 选址可行性分析选址可行性分析.30一、项目选址原则.30二、建设区基本情况.30三、提升企业技术创新能力.33四、强化服务国家一带一路的开放合作.34五、项目选址综合评价.34第五章第五章 建筑物技术方案建筑物技术方案.36一、项目工程设计总体要求.36二、建设方案.36三、建筑工程建设指标.38建筑工程投资一览表.38第六章第六章 建设规模与产品方案建设规模与产品方案.40泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书一、建设规模及主要建设内容.40二、产品规划方案及生产
6、纲领.40产品规划方案一览表.40第七章第七章 运营模式运营模式.42一、公司经营宗旨.42二、公司的目标、主要职责.42三、各部门职责及权限.43四、财务会计制度.46第八章第八章 法人治理法人治理.52一、股东权利及义务.52二、董事.54三、高级管理人员.59四、监事.62第九章第九章 SWOT 分析说明分析说明.65一、优势分析(S).65二、劣势分析(W).67三、机会分析(O).68四、威胁分析(T).69第十章第十章 人力资源配置分析人力资源配置分析.73一、人力资源配置.73劳动定员一览表.73二、员工技能培训.73泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书第十一章第十一章 节能方案说
7、明节能方案说明.76一、项目节能概述.76二、能源消费种类和数量分析.77能耗分析一览表.77三、项目节能措施.78四、节能综合评价.79第十二章第十二章 工艺技术及设备选型工艺技术及设备选型.80一、企业技术研发分析.80二、项目技术工艺分析.83三、质量管理.84四、设备选型方案.85主要设备购置一览表.86第十三章第十三章 原辅材料供应、成品管理原辅材料供应、成品管理.87一、项目建设期原辅材料供应情况.87二、项目运营期原辅材料供应及质量管理.87第十四章第十四章 项目投资分析项目投资分析.89一、投资估算的依据和说明.89二、建设投资估算.90建设投资估算表.94三、建设期利息.94
8、建设期利息估算表.94固定资产投资估算表.96泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书四、流动资金.96流动资金估算表.97五、项目总投资.98总投资及构成一览表.98六、资金筹措与投资计划.99项目投资计划与资金筹措一览表.99第十五章第十五章 经济效益分析经济效益分析.101一、基本假设及基础参数选取.101二、经济评价财务测算.101营业收入、税金及附加和增值税估算表.101综合总成本费用估算表.103利润及利润分配表.105三、项目盈利能力分析.106项目投资现金流量表.107四、财务生存能力分析.109五、偿债能力分析.109借款还本付息计划表.110六、经济评价结论.111第十六章第十六
9、章 招投标方案招投标方案.112一、项目招标依据.112二、项目招标范围.112三、招标要求.113四、招标组织方式.115泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书五、招标信息发布.117第十七章第十七章 项目综合评价项目综合评价.118第十八章第十八章 附表附录附表附录.120建设投资估算表.120建设期利息估算表.120固定资产投资估算表.121流动资金估算表.122总投资及构成一览表.123项目投资计划与资金筹措一览表.124营业收入、税金及附加和增值税估算表.125综合总成本费用估算表.126固定资产折旧费估算表.127无形资产和其他资产摊销估算表.128利润及利润分配表.128项目投资现金
10、流量表.129泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书第一章第一章 行业、市场分析行业、市场分析一、乘碳中和之东风,乘碳中和之东风,2025 年市场规模有望较年市场规模有望较 2020 年翻年翻 5 倍倍2020 年全球 SiC 器件市场规模达 11.84 亿美元,预计到 2025 年有望增长至 59.79 亿美元,对应 CAGR 为 38.2%。根据测算,在碳中和趋势下,受益于 SiC 在新能源汽车、光伏、风电、工控等领域的持续渗透,SiC 功率器件市场规模有望从 2020 年的 2.92 亿美元增长至 2025年的 38.58 亿美元,对应 CAGR 为 67.6%;5G、国防驱动 GaN-on
11、-SiC 射频器件加速渗透,逐步取代硅基 LDMOS,SiC 射频器件市场规模有望从2020 年的 8.92 亿美元增长至 2025 年的 21.21 亿美元,对应 CAGR 为18.9%。下游 SiC 功率及射频器件高速增长的需求也将带动 SiC 材料市场规模快速成长,按照 SiC 材料在 SiC 器件中价值量占比 50%计算(根据 CASA),预计将由 2020 年的 5.92 亿美元增长至 2025 年的 29.90 亿美元,对应 CAGR 为 38.2%。从下游领域来看,新能源汽车为 SiC 市场的核心驱动力。新能源汽车逐步向 800V 架构时代迈进,SiC 相比于 IGBT 在耐高压
12、、耐高温、频率、损耗、质量体积等方面优势更加明显。同时随着全球产能开出及良率提升,SiC 价格下探将驱动其在新能源车中的逆变器、OBC 等部件中加速渗透。根据 Wolfspeed 测算,2020 年全球 SiC 器件市场规模中,新能源汽车领域占比约为 22.51%,随着 SiC 在主逆变器和 OBC 中泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书的加速渗透,预计到 2025 年占比将提升至 50.26%,为第一大驱动力。此外,基于 SiC 较 IGBT 的性能优势,随着 SiC 器件及模块成本的下降,预计 SiC 在光伏、风电等新能源发电领域渗透率也将逐步提升,预计市场规模占比到 2025 年提升至 8
13、.84%;工控市场规模占比到 2025年提升至 5.43%。二、SiC 器件与传统产品价差持续收窄,具备经济效益指日可待器件与传统产品价差持续收窄,具备经济效益指日可待SiC 器件价格持续下降,与硅基器件价差已缩小至 2-3 倍。SiCSBD方面,根据 Mouser 数据显示,公开报价方面,650V 的 SiCSBD2020 年底与 Si 器件的价差在 3.8 倍左右;1200V 的 SiCSBD 的平均价与 Si 器件的差距在 4.5 倍左右。根据 CASAResearch,实际成交价低于公开报价。2020 年,650V 的 SiCSBD 的实际成交价格约 0.7 元/A;1200V 的Si
14、CSBD 价格约 1.2 元/A,较上年下降了 20%-30%,实际成交价与 Si 器件价差已经缩小至 2-2.5 倍之间。SiCMOSFET 实际成交价格方面,根据CASAResearch,650V 的 SiCMOSFET 价格 0.9 元/A;1200V 的 SiCMOSFET价格 1.4 元/A,较 2019 年下降幅度达 30%-40%,与 Si 器件价差也缩小至 2.5-3 倍之间,基本达到甜蜜点,将加速 SiCMOS 器件的市场渗透。综上,目前 SiCMOSFET 单价约为 IGBT 单价的 3-4 倍,目前主逆变器中的 IGBT 成本约为 1500 元,若全部替换为 SiCMOS
15、FET,考虑到器件节约,成本将增加 3000-4000 元左右。以当前成本来看,根据宁德时泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书代、松下、LG 新能源等的电池成本数据,电动车动力电池度电单价约为 750 元,到 2025 年有望降至 560 元;根据特斯拉、小鹏等在售车型的电池容量,当前电动车平均电池容量约为 55kwh,在百公里电耗逐步下降及续航里程不变的情况下,到 2025 年平均电池容量有望降至43kwh,则 2022/2025E 电池包的价格为 41250/24000 元。根据丰田的实验数据,采用全碳化硅模块可使续航里程提升 5-10%,假设这将节约电池成本 5-10%。根据测算,若仅考虑
16、电池成本节约,当 SiCMOSFET 成本下降到 IGBT 器件成本的 2 倍左右时,将具备经济效益。若考虑使用SiC 带来的冷却系统节约、外围器件节约、整体空间节约等,当SiCMOSFET 成本下降到 IGBT 成本的 2-2.5 倍时采用 SiC 方案就将具备经济效益。三、碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求,下游应用领域碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求,下游应用领域广泛广泛碳化硅属于第三代半导体材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。碳化硅为第三代半导体材料典型代表,相较于硅材料等前两代半导体材料,其禁带宽度更大,在击穿电场强度、饱和电子漂移
17、速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面有显著优势。基于这些优良特性,碳化硅衬底在使用极限性能上优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书用需求。因此,碳化硅材料制备的射频器件及功率器件可广泛应用于新能源汽车、光伏、5G 通信等领域,是半导体材料领域中具备广阔前景的材料之一。碳化硅用于制作功率及射频器件,产业链包括衬底制备、外延层生长、器件及下游应用。根据电化学性质不同,碳化硅晶体材料分为半绝缘型衬底(电阻率高于 105cm)和导电型衬底(电阻率区间1530mcm)。不同于传统硅基器件,碳化硅器件不可直接制作于衬底上,需先使用化学气相沉积法在衬底表面
18、生成所需薄膜材料,即形成外延片,再进一步制成器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片,可制成 HEMT 等微波射频器件,适用于高频、高温工作环境,主要应用于 5G 通信、卫星、雷达等领域。在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片,可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅 MOSFET 等功率器件,适用于高温、高压工作环境,且损耗低,主要应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域。国内外厂商积极布局碳化硅,产业链日趋完善。以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底制备、外延层生长、器件及模组制造三大环节。伴随更多厂商布局碳化硅赛道,产业链
19、加速走向成熟。目前,碳化硅行业企业形成两种商业模式,第一种覆盖完整产业链各泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书环节,同时从事碳化硅衬底、外延、器件及模组的制作,例如Wolfspeed、Rohm;第二种则只从事产业链的单个环节或部分环节,如-仅从事衬底及外延的制备,英飞凌则只负责器件及模组的制造。当前,国内的碳化硅生产厂商大多属于第二种商业模式,聚焦产业链部分环节。泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书第二章第二章 项目背景、必要性项目背景、必要性一、工控:工控:SiC 模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方位渗透位渗透轨道交通方面,碳化硅器件应用于轨
20、道交通牵引变流器能极大发挥碳化硅器件高温、高频和低损耗特性,提高牵引变流器装置效率,符合轨道交通大容量、轻量化和节能型牵引变流装置的应用需求,从而提升系统的整体效能。根据 Digitimes,2014 年日本小田急电铁新型通勤车辆配备了三菱电机 3300V、1500A 全碳化硅功率模块逆变器,开关损耗降低 55%、体积和重量减少 65%、电能损耗降低 20%至 36%。智能电网方面,相比其他电力电子装置,电力系统要求更高的电压、更大的功率容量和更高的可靠性,碳化硅器件突破了硅基功率半导体器件在大电压、高功率和高温度方面的限制所导致的系统局限性,并具有高频、高可靠性、高效率、低损耗等独特优势,在
21、固态变压器、柔性交流输电、柔性直流输电、高压直流输电及配电系统等应用方面推动智能电网的发展和变革。此外碳化硅功率器件在风力发电、工业电源、航空航天等领域也已实现成熟应用。综上,2020 年全球 SiC 功率器件市场规模为 2.92 亿美元,受新能源车、光伏、工控等需求驱动,预计到 2025 年将增长至 38.58 亿美元,对应 CAGR 为 67.6%。2025泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书年新能源车、新能源发电、工控占 SiC 功率器件市场规模比重分别为77.88/13.71/8.41%。二、直流充电桩:大功率充电占比提升,直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC 将加速替代将加速替代大功
22、率直流充电桩需求旺盛,SiC 协力实现高效快充。政策方面,2020 年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一;2020 年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设,提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高,一个 150kW 的直流充电器可以在大约 15 分钟内为电动汽车增加 200 公里续航,随电动汽车渗透率进一步提高,直流电充电方案需求将同步提升。Yole 预计 2020-2025 年,全球 200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过 30%的 CAGR 增长,高于平均的 15.6%。SiC 器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗
23、等优势,可被广泛应用于电动车直流充电方案中 AD-DCPFC、DC-DC 以及闸门驱动器等环节中,实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET 可简化直流充电桩 AC/DC 及 DC/DC 电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在 DC/DC 中,使用 4 颗1200VSiCMOSFET 替代 8 颗 650V 硅基 MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥 LLC 电路简化为单相全桥 LLC 电路,所用器件数量减少50%,提升电路整体效率。同样在 AC/DC 中,使用 SiCMOSFET 可将三相泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书Vienna 整流器拓扑电路简化为两相
24、结构,器件数量减少 50%实现效率提升。同时,SiCMOSFET 的整体损耗也更小。综上,SiC 方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。SiC 二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌,在48kHz 下,采用 SiC 二极管替代 Si 二极管,可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率,可实现最多 80%输出功率的提升。三、衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟,主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录(2021 年版),碳化硅衬
25、底可分为两类,一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,经 GaN 外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”,去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率(电阻率 1530mcm)的导电型碳化硅衬底,经 SiC 外延生长可进一步制成 SiC 二极管、SiCMOSFET 等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标,在 PVT 法下,相较半绝缘型衬底其生产难度更低,但在生产过程中,电阻率易发生分布不均情况,仍需更好扩径及掺杂控制技术。泓域咨询/崇左碳化硅项目投资计划书国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在
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