扫描隧道原子力显微镜.ppt
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1、100nmHIV作为本征值问题的量子化作为本征值问题的量子化EUO透射率透射率a/nm0.10.20.510.0D0.101Va 压电陶瓷上的压电陶瓷上的电压反应了表面电压反应了表面的起伏的起伏 压电陶瓷压电陶瓷压电陶瓷精度:压电陶瓷精度:1nm/V样品必须是导体,至少是半导体样品必须是导体,至少是半导体真空环境真空环境二维像二维像原子力显微镜原子力显微镜AFM1982年年,Gerd Binnig 和和Heinrich Rohrer悬臂悬臂长长:100200m宽宽:1040m厚厚:0.320m弹性系数弹性系数:0.005Nm-1共振频率共振频率:10kHZ探针探针由由Si 或或Si3N4经经光
2、刻技术制成光刻技术制成检测系统检测系统光反射法、光干涉法、隧道电流法、电容检测法等光反射法、光干涉法、隧道电流法、电容检测法等检测系统检测系统 AFM对样品扫描的精确控制是靠扫描器来实现的扫描器对样品扫描的精确控制是靠扫描器来实现的扫描器中装有中装有压电转换器压电转换器压电装置在压电装置在X,Y,Z三个方向上精确控三个方向上精确控制样品或探针位置。制样品或探针位置。钛锆酸铅钛锆酸铅Pb(Ti,Zr)O3制成的压电陶瓷材料制成的压电陶瓷材料 1mv1000V的电压信号转换成十几分之一纳米到几微米的位的电压信号转换成十几分之一纳米到几微米的位移。移。灵敏度灵敏度探测器探测器激光器激光器悬臂悬臂分子
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