光纤通信系统课件(Chapter3)光发射机8060.pptx

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1、第第 3 章章 光发射机光发射机 3.1.1 半导体激光器工作原理和基本结构半导体激光器工作原理和基本结构 3.1.2 半导体激光器的主要特性半导体激光器的主要特性 3.1.3 分布反馈激光器分布反馈激光器 3.1.4 发光二极管发光二极管 3.1.5 半导体光源一般性能和应用半导体光源一般性能和应用 返回主目录3.1 光源光源 3.1.1 半导体激光器工作原理和基本结构半导体激光器工作原理和基本结构 一、半导体激光器的工作原理一、半导体激光器的工作原理 受激辐射和粒子数反转分布受激辐射和粒子数反转分布 PN结的能带和电子分布结的能带和电子分布 激光振荡和光学谐振腔激光振荡和光学谐振腔 二、半

2、导体激光器基本结构二、半导体激光器基本结构 3.1.2 半导体激光器的主要特性半导体激光器的主要特性 一、一、发射波长和光谱特性发射波长和光谱特性 二、二、激光束的空间分布激光束的空间分布 三、三、转换效率和输出光功率特性转换效率和输出光功率特性 四、四、频率特性频率特性 五、五、温度特性温度特性 3.1.3 分布反馈激光器分布反馈激光器 一、一、工作原理工作原理 二、二、DFB激光器的优点激光器的优点 3.1.4 发光二极管发光二极管 一、一、工作原理工作原理 二、二、工作特性工作特性 3.1.5 半导体光源一般性能和应用半导体光源一般性能和应用3.1 光源光源 光光源源是光发射机的关键器件

3、，其功能是把电信号转换为光信号。目前光纤通信广泛使用的光源主要有半半导导体体激激光光二二极极管管或或称称激激光光器器(LD)和和发发光光二二极极管管或或称称发发光光管管(LED)，有些场合也使用固体激光器固体激光器。本节首先介绍半半导导体体激激光光器器(LD)的工作原理、基本结构和主要特性，然后进一步介绍性能更优良的分分布布反反馈馈激激光光器器(DFB-LD)，最后介绍可靠性高、寿命长和价格便宜的发光管发光管(LED)。3.1.1 半导体激光器工作原理和基本结构半导体激光器工作原理和基本结构 半半导导体体激激光光器器是向半导体PN结注入电流，实现粒粒子子数数反反转转分分布布，产生受受激激辐辐射

4、射，再利用谐振腔的正正反反馈馈，实现光光放放大大而产生激光振荡激光振荡的。光源光源调制器调制器调制器调制器驱动电路驱动电路驱动电路驱动电路放大器放大器光电二光电二极管极管判决器判决器光纤光纤光纤光纤光纤光纤光纤光纤中继器中继器中继器中继器光发射机光发射机光发射机光发射机将电信号转变为光信号将电信号转变为光信号将电信号转变为光信号将电信号转变为光信号1.受激辐射和粒子数反转分布受激辐射和粒子数反转分布2.有源器件有源器件的物理基础是光和物质相互作用的效应光和物质相互作用的效应。3.在物质的原子中，存在许多能级，最低能级E1称为基态，能量比基态大的能级Ei(i=2,3,4)称为激发态。4.电子在低

5、能级E1的基态和高能级E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式：受激吸收受激吸收受激吸收受激吸收 自发辐射自发辐射自发辐射自发辐射 受激辐射受激辐射受激辐射受激辐射(见图3.1)(1)受激吸收受激吸收 在正常状态下，电子处于低能级E1，在入射光作用下，它会吸收光子的能量跃迁到高能级E2上，这种跃迁称为受受激吸收激吸收。电子跃迁后，在低能级留下相同数目的空穴。E E2 2E E1 1受激吸收跃迁受激吸收跃迁受激吸收跃迁受激吸收跃迁h h (2)自发辐射自发辐射 在高能级E2的电子是不稳定的，即使没有外界的作用，也会自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量转换为光子辐射出去，这种跃迁称为自发辐射

6、。自发辐射。h h E E2 2E E1 1自发发射跃迁自发发射跃迁自发发射跃迁自发发射跃迁 (3)受激辐射受激辐射 在高能级E2的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量产生光辐射，这种跃迁称为受激辐射受激辐射。h h E E2 2E E1 1受激发射跃迁受激发射跃迁受激发射跃迁受激发射跃迁h h h h 受激发射的光子受激发射的光子受激发射的光子受激发射的光子与原光子具有相与原光子具有相与原光子具有相与原光子具有相同的波长、相位同的波长、相位同的波长、相位同的波长、相位和传播方向和传播方向和传播方向和传播方向受激辐射受激辐射和受激吸收受激吸收的区别与联系 受受激

7、激辐辐射射是受受激激吸吸收收的逆过程。电子在E1和E2两个能级之间跃迁，吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件波尔条件，即 E2-E1=hf12 (3.1)式中，h=6.62810-34Js，为普普朗朗克克常常数数，f12为吸收或辐射的光子频率。受激辐射受激辐射和自发辐射自发辐射产生的光的特点很不相同。受受激激辐辐射射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同，这种光称为相干光相干光。自自发发辐辐射射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的，其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种光称为非相干光非相干光。产生受受激激辐辐射射和产生受受激激吸吸收收的物质是不同的。设在单

8、位物质中，处于低能级E1和处于高能级E2(E2E1)的原子数分别为N1和N2。当系统处于热平衡状态热平衡状态时，存在下面的分布 (3.2)式中，k=1.38110-23J/K，为波尔兹曼常数，T为热力学温度。由于(E2-E1)0，T0，所以在这种状态下，总是N1N2。这是因为电子总是首先占据低能量的轨道。受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2，且比例系数(吸收和辐射的概率)相等。如果N1N2，即受受激激吸吸收收大大于于受受激激辐辐射射。当光通过这种物质时，光强按指数衰减，这种物质称为吸收物质吸收物质。如果N2N1，即受受激激辐辐射射大于受受激激吸吸收收，当光通过这种物质时，会产生放大作用

9、，这种物质称为激活物质激活物质。N2N1的分布，和正常状态(N1N2)的分布相反，所以称为粒子粒子(电子电子)数反转分布数反转分布。问题：如何得到粒子数反转分布的状态呢?这个问题将在下面加以叙述。图 3.2 半导体的能带和电子分布(a)本征半导体；(b)N型半导体；(c)P型半导体 2.PN结的能带和电子分布结的能带和电子分布 在半导体中，由于邻近原子的作用，电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带。能量低的能带称为价价带带，能量高的能带称为导导带带，导带底的能量Ec 和价带顶的能量Ev 之间的能量差Ec-Ev=Eg称为禁带宽度禁带宽度或带隙带隙。电子不可能占据禁带。图3.2示出不同半导体的能带

10、和电子分布图。根据量子统计理论，在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布 式中，k为波兹曼常数，T为热力学温度。Ef 称为费费米米能能级级，用来描述半导体中各能级被电子占据的状态。在费米能级，被电子占据和空穴占据的概率相同。(3.3)一般状态下，本征半导体的电子和空穴是成对出现的，用Ef 位于禁带中央来表示，见图3.2(a)。在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体型半导体，见图3.2(b)。在本征半导体中，掺入受主杂质，称为P型型半半导导体体，见图3.2(c)。在P型和N型半导体组成的PN结界面上，由于存在多数载流子(电子或空穴)的梯度，因而产生扩散运动，形成内内部部电电场

11、场，见图3.3(a)。内部电场产生与扩散相反方向的漂移运动，直到P区和N区的Ef 相同，两种运动处于平衡状态为止，结果能带发生倾斜，见图3.3(b)。P区PN结空间电荷区N区内部电场 扩散 漂移 P-N结内载流子运动；图 3.3PN结的能带和电子分布势垒能量EpcP区EncEfEpvN区Env零偏压时P-N结的能带倾斜图；h fh fEfEpcEpfEpvEncnEnv电子，空穴内部电场外加电场正向偏压下P-N结能带图获得粒子数反转分布获得粒子数反转分布获得粒子数反转分布获得粒子数反转分布 增益区的产生：增益区的产生：在PN结上施加正向电压，产生与内部电场相反方向的外加电场，结果能带倾斜减小，

12、扩散增强。电子运动方向与电场方向相反，便使N区的电子向P区运动，P区的空穴向N区运动，最后在PN结形成一个特殊的增益区增益区。增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，结果获得粒粒子数反转分布子数反转分布，见图3.3(c)。在电子和空穴扩散过程中，导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合，产生自发辐射光自发辐射光。非辐射复合因晶格缺陷和杂质引起的复合及在异质结结构边界处的界面复合。但在晶体结构良好的一般激光器中，上述这些复合小到可以忽略的程度。更本质的非辐射复合是由俄歇（Auger）过程产生的复合。二个电子与一个空穴相碰撞，二个电子与一个空穴相碰撞，一个电子与空穴复合，另一个一个电子与空穴复合，另一个

13、电于获得能量激发到导带内高电于获得能量激发到导带内高能级处。（能级处。（CCCH）两个重空穴与一个电子相碰撞，两个重空穴与一个电子相碰撞，电子与一个重空穴复合，另一电子与一个重空穴复合，另一个重空穴被激发到高能带上，个重空穴被激发到高能带上，即自旋分裂能带。（即自旋分裂能带。（CHHS）两个重空穴与一个电子相碰撞，两个重空穴与一个电子相碰撞，电子与一个重空穴复合，另一电子与一个重空穴复合，另一个重空穴被激发到高能带上，个重空穴被激发到高能带上，即轻空穴带。（即轻空穴带。（CHHL）被激发的载流子以热的形式把能量传给晶格被激发的载流子以热的形式把能量传给晶格而返回到非激发状态。而返回到非激发状态

14、。俄歇过程中，系统的能量守恒定律与动量守俄歇过程中，系统的能量守恒定律与动量守恒定律必须成立。恒定律必须成立。直接带隙直接带隙间接带隙间接带隙 3.激光振荡和光学谐振腔激光振荡和光学谐振腔激光振荡的产生：激光振荡的产生：粒粒子子数数反反转转分分布布（必要条件)+激活物质置于光学谐振腔中，对光的频率和方向进行选择=连续的光放大和激光振荡输出。基本的光光学学谐谐振振腔腔由两个反射率分别为R1和R2的平行反射镜构成(如图3.4所示)，并被称为法布里-珀罗(FabryPerot,FP)谐振腔。由于谐振腔内的激活物质具有粒子数反转分布，可以用它产生的自发辐射光自发辐射光作为入射光。图 3.4 激光器的构

15、成和工作原理 (a)激光振荡；(b)光反馈 式中，th 为阈值增益系数，为谐振腔内激活物质的损耗系数，L为谐振腔的长度，R1，R21为两个反射镜的反射率 激光振荡的相位条件为激光振荡的相位条件为 式中，为激光波长，n为激活物质的折射率，q=1,2,3 称为纵模模数。在谐振腔内开始建立稳定的激光振荡的阈值条件为阈值条件为 th=+(3.4)L=q(3.5)4.半导体激光器基本结构半导体激光器基本结构 半导体激光器的结构多种多样，基本结构是图3.5示出的双异质结(DH)平面条形结构。这种结构由三层三层不同类型半导体材料构成，不同材料发射不同的光波长。图中标出所用材料和近似尺寸。结构中间中间有一层厚

16、0.10.3 m的窄带隙P型半导体，称为有源层有源层；两侧两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层限制层。三层半导体置于基片基片(衬底)上，前后两个晶体解理面作为反射镜构成法布里-珀罗(FP)谐振腔。DH激光器工作原理激光器工作原理 由于限制层的带隙比有源层宽，施加正正向向偏偏压压后，P层的空穴空穴和N层的电子电子注入有源层有源层。P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电电子子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。同理，注入到有源层的空穴空穴也不可能扩散到N层。这样，注入到有源层的电子和空穴被限制在厚0.10.3 m的有源层内形成粒粒子子数数反反转转分分布布，这时只要很小的外

17、加电流，就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。另一方面，有源层的折射率比限制层高，产生的激光被限制在有有源源区区内，因而电/光转换效率很高，输出激光的阈阈值值电电流流很低，很小的散热体就可以在室温连续工作。图 3.6 DH激光器工作原理(a)双异质结构；(b)能带；(c)折射率分布；(d)光功率分布 3.1.2 半导体激光器的主要特性半导体激光器的主要特性 1.发射波长和光谱特性发射波长和光谱特性 半导体激光器的发发射射波波长长等于禁禁带带宽宽度度Eg(eV)，由式(3.1)得到 h f=Eg(3.6)不同半导体材料有不同的禁带宽度禁带宽度Eg，因而有不同的发射波长发射波长。镓铝砷-镓砷(Ga

18、AlAs-GaAs)材料适用于0.85 m波段 铟镓砷磷-铟磷(InGaAsP-InP)材料适用于1.31.55 m波段式中，f=c/，f(Hz)和(m)分别为发射光的频率和波长，c=3108 m/s为 光 速，h=6.62810-34JS为 普 朗 克 常 数，1eV=1.610-19 J，代入上式得到 图3.7是GaAlAs-DH激光器的光谱特性。在直流驱动下，发发射射光光波波长长只有符合激光振荡的相相位位条条件件式(3.5)的波长存在。这些波长取决于激激光光器器纵纵向向长长度度L，并称为激光器的纵模纵模。驱动电流变大驱动电流变大，纵模模数变小纵模模数变小，谱线宽度变窄，谱线宽度变窄。这种

19、变化是由于谐振腔对光光波波频频率率和方方向向的选择，使边边模模消消失失、主模增益主模增益增加而产生的。当驱动电流足够大时，多多纵纵模模变为单单纵纵模模，这种激光器称为静态单纵模激光器静态单纵模激光器。图3.7(b)是300 Mb/s数字调制的光谱特性，由图可见，随着调制电流增大，纵模模数增多，谱线宽度变宽。图 3.7 GaAlAs-DH激光器的光谱特性 (a)直流驱动;(b)300 Mb/s数字调制 0799 800 801 802Im/mA40353025I=100mAPo=10mWI=85mAPo=6mWI=8 0mAPo=4mWI=75mAPo=2.3mWL=250mW=12 mT=30

20、0K830 828 832 830 828 832 830 828 826832 830 828 826 824836 834 832 830 828 826 824 822 820(a)(b)2.激光束的空间分布激光束的空间分布 激光束的空间分布用近场近场和远场远场来描述。近场近场是指激光器输出反射镜面上的光强分布；远场远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布。图3.8是GaAlAs-DH激光器的近场图和远场图，近场和远场是由谐振腔(有源区)的横向尺寸，即平行于PN结平面的宽度w和垂直于结平面的厚度t所决定，并称为激光器的横模横模。由图3.8可以看出，平行于结平面的谐振腔宽度w由宽变窄，场图呈

21、现出由多横模变为单横模；垂直于结平面的谐振腔厚度t很薄，这个方向的场图总是单横模单横模。图 3.8 GaAlAs-DH条形激光器的近场和远场图样 3.-9典型半导体激光器的远场辐射特性和远场图样 (a)光强的角分布；(b)辐射光束 图3.9为典型半导体激光器的远场辐射特性，图中和分别为平行于结平面和垂直于结平面的辐射角，整个光束的横截面呈椭圆形。3.转换效率和输出光功率特性转换效率和输出光功率特性 激光器的电/光转换效率用外微分量子效率d表示，其定义是在阈值电流以上，每对复合载流子产生的光子数光子数(3.7a)由此得到(3.7b)式中，P和I分别为激光器的输出光功率和驱动电流，Pth 和Ith

22、 分别为相应的阈值，h f 和e分别为光子能量和电子电荷。图3.10是典型激光器的光功率特性曲线。当IIth 时，发出的是受激辐射光受激辐射光，光功率随驱动电流的增加而增加。图 3.10 典型半导体激光器的光功率特性 (a)短波长AlGaAs/GaAs (b)长波长InGaAsP/InP 4.频率特性频率特性 在直接光强调制下，激光器输出光功率光功率P和调制频率调制频率f 的关系为 P(f)=(3.8a)(3.8b)式中，和分别称为弛弛豫豫频频率率和阻阻尼尼因因子子，Ith 和I0分别为阈值电流和偏置电流；I是零增益电流，高掺杂浓度的LD，I=0，低掺杂浓度的LD,I=(0.70.8)Ith；

23、sp为有源区内的电子寿命，ph为谐振腔内的光子寿命。图 3.11 半导体激光器的直接调制频率特性 图3.11示出半导体激光器的直接调制频率特性。弛豫频率fr 是调制频率的上限，一般激光器的fr 为12 GHz。在接近fr 处，数字调制要产生弛豫振荡，模拟调制要产生非线性失真。Ith=I0 exp(3.9)5.温度特性温度特性 对于线性良好的激光器，输出光功率特性如式(3.7b)和图3.10所示。激光器输出光功率随温度而变化有两个原因（1）激光器的阈阈值值电电流流Ith 随温温度度升高而增增大大（2）外微分量量子子效效率率d随温温度度升高而减小减小。温度升高时，Ith 增大，d减小，输出光功率明

24、显下降，达到一定温度时，激光器就不激射了。当以直流电流驱动激光器时，阈值电流随温度的变化更加严重。当对激光器进行脉冲调制时，阈值电流随温度呈指数变化，在一定温度范围内，可以表示为 式中，I0为常数，T为结区的热力学温度，T0为激光器材料的特征温度。GaAlAs GaAs 激光器T0=100150 K InGaAsP-InP 激光器T0=4070 K 所所以以长长波波长长InGaAsP-InP激光器输出光光功功率率对温温度度的变化更加敏感。外微分量子效率随温度的变化不十分敏感。图3.12示出脉冲调制的激光器，由于温度升高引起阈值电流增加和外微分量子效率减小，造成的输出光功率特性P-I曲线的变化。

25、图 3.12 P-I曲线随温度的变化 3.1.3 分布反馈激光器分布反馈激光器 分分布布反反馈馈(DFB)激光器用靠近有有源源层层沿长度方向制作的周期性结构(波纹状)衍衍射射光光栅栅实现光反馈。这种衍衍射射光光栅栅的折射率周期性变化，使光沿有源层分布式反馈。分布反馈激光器分布反馈激光器的要求：（1）谱线宽度谱线宽度更窄 （2）高速率脉冲调制下保持动态单纵模特性动态单纵模特性 （3）发射光波长光波长更加稳定，并能实现调谐 （4）阈值电流阈值电流更低 （5）输出光功率光功率更大 图 3.13 分布反馈(DFB)激光器 (a)结构；(b)光反馈 如图3.13所示，由有源层有源层发射的光，一部分在光栅

26、波纹峰光栅波纹峰反射(如光线a)，另一部分继续向前传播，在邻近的光栅波纹峰光栅波纹峰反射(如光线b)。光栅周期=m(3.10)ne 为材料有效折射率，B为布喇格波长，m为衍射级数。在普通光栅的DFB激光器中，发生激激光光振振荡荡的有两个阈阈值值最低、增益相同的纵模纵模，其波长为(3.11)DFB激光器与F-P激光器相比，具有以下优优点点：单纵模激光器单纵模激光器 谱线窄，谱线窄，波长稳定性好波长稳定性好 动态谱线好动态谱线好 线性好线性好 3.1.4 发光二极管发光二极管LD LD 和和和和LEDLED的区别的区别的区别的区别 LD发射的是受激辐射光受激辐射光 LED发射的是自发辐射光自发辐射

27、光 LED的结构和LD相似，大多是采用双双异异质质结结(DH)芯芯片片，把有源层夹在P型和N型限制层中间，不同的是LED不需要光学谐振腔，没有阈值。图 3.14两类发光二极管(LED)(a)正面发光型；(b)侧面发光型 发光二极管的类型发光二极管的类型发光二极管的类型发光二极管的类型：正面发光型正面发光型LED和和侧面发光型侧面发光型LED 发光二极管的特点发光二极管的特点发光二极管的特点发光二极管的特点：输出光功率较小；谱线宽度较宽；调制频率较低；性能稳定，寿命长；输出光功率线性范围宽；制造工艺简单，价格低廉；适用于小容量短距离系统 发光二极管的主要工作特性发光二极管的主要工作特性发光二极管

28、的主要工作特性发光二极管的主要工作特性：(1)光谱特性。发光二极管发射的是自自发发辐辐射射光光，没有谐振腔对波长的选择，谱线较宽谱线较宽。(2)光束的空间分布。在垂直于发光平面上，正正面面发发光光型型LED辐射图呈朗朗伯伯分分布布，即P()=P0 cos，半功率点辐射角120。侧侧面面发发光光型型LED，120，2535。由于大，LED与光纤的耦合效率一般小于 10%。(3)输出光功率特性。发光二极管实际输出的光子数远远小于有源区产生的光子数，一般外微分量子效率d小于10%。两种类型发光二极管的输出光功率特性示于图3.16。驱驱动动电电流流I较较小小时时，P-I曲线的线线性性较较好好；I过大时

29、，由于PN结发热产生饱和现象，使P-I 曲线的斜率减小。LED的的P_I特性曲线特性曲线原理：由正向偏置电压产生的注入电流进行自发辐射而发光原理：由正向偏置电压产生的注入电流进行自发辐射而发光4 3 2 1 0 50 100 150 02570电流电流/mA输出功率输出功率/mW 式中，f 为调制频率，P(f)为对应于调制频率 f 的输出光功率，e为少数载流子(电子)的寿命。定义 fc 为发光二极管的截止频率，当 f=f c=1/(2e)时，|H(fc)|=，最高调制频率应低于截止频率。(4)频率特性。发光二极管的频率响应可以表示为|H(f)|=(3.12)图3.17示出发光二极管的频率响应，

30、图中显示出少数载流子的寿命e和截止频率截止频率 fc 的关系。对有源区为低掺杂浓度的LED，适当增增加加工工作作电电流流可以缩缩短短载流子寿命载流子寿命，提高提高截止频率截止频率。图 3.17 发光二极管(LED)的频率响应 3.1.5 半导体光源一般性能和应用半导体光源一般性能和应用半导体光源的一般性能表：半导体光源的一般性能表：3.1和表3.2列出半导体激光器(LD)和发光二极管(LED)的一般性能。LED通常和多多模模光光纤纤耦合，用于1.3 m(或0.85 m)波长的小容量短距离系统。因为LED发发光光面面积积和光光束束辐辐射射角角较大，而多模SIF光纤或G.651规范的多模GIF光纤

31、具有较大的芯径和数值孔径，有利于提高耦合效率耦合效率，增加入纤功率入纤功率。LD通常和G.652或或G.653规范的单单模模光光纤纤耦合，用于1.3 m或1.55 m大容量长距离系统。分分布布反反馈馈激激光光器器(DFB-LD)主要和G.653或G.654规范的单模光纤或特殊设计的单模光纤耦合，用于超大容量的新型光纤系统。表表3.1 半导体激光器半导体激光器(LD)和发光二极管和发光二极管(LED)的一般性能的一般性能-2050 -2050-2050 -2050工作温度工作温度 /C寿命寿命 t/h30120 30120 2050 2050辐射角辐射角50150 301005002000 50

32、01000调制带宽调制带宽 B/MHz0.10.3 0.10.213 13入纤功率入纤功率 P/mW15 13510 510输出功率输出功率 P/mW100150 100150工作电流工作电流 I/mA2030 3060阀值电流阀值电流 Ith/mA50100 6012012 13谱线宽度谱线宽度1.3 1.551.3 1.55工作波长工作波长LEDLD谢谢观看/欢迎下载BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES.BY FAITH I BY FAITH