数字电子技术基础02A第二章门电路资料.ppt
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1、第二章第二章 门电路门电路2.1 2.1 概述概述2.2 2.2 半导体二极管、三极管的开关特性半导体二极管、三极管的开关特性2.3 2.3 分立元器件门电路分立元器件门电路2.4 TTL2.4 TTL集成门电路集成门电路实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。逻辑门电路逻辑门电路 逻辑门电路的分类逻辑门电路的分类二极管门电路二极管门电路三极管门电路三极管门电路双极型双极型PMOS门门CMOS门门逻辑门逻辑门 电路电路分立分立NMOS门门TTL-三极管三极管-三极管三极管HTL 高阈值高阈值ECL 射极耦合射极耦合I2L 集成注入集成注入集成集成单极
2、单极型型高抗高抗干扰能力干扰能力工作速度极高工作速度极高集成度高集成度高功耗小功耗小NMOS门门2.1 2.1 概述概述 高、低电平产生的原理高、低电平产生的原理当当S闭合,闭合,vO=0V当当S断开,断开,vO=+5V一、二极管导通条件及导通时的特点一、二极管导通条件及导通时的特点二极管二极管D D的符号的符号设二极管的外加正向电压为设二极管的外加正向电压为V VF F,正向导通时的管压降为,正向导通时的管压降为V VD D导通条件:导通条件:VF0.7V(Si)/0.2V(Ge)导通时特点:导通时特点:VD0.7V(Si)/0.2V(Ge)相当于开关闭合后有个相当于开关闭合后有个0.7/0
3、.2V的恒压降的恒压降2.2 2.2 半导体二极管、三极管的开关特性半导体二极管、三极管的开关特性2.2.1 2.2.1 二极管的开关特性二极管的开关特性二、二极管截止条件及截止时的特点二、二极管截止条件及截止时的特点截止条件:截止条件:截止时特点:截止时特点:电流电流ID接近于接近于0,相当于开关断开,相当于开关断开加正向电压时加正向电压时VF0.5V(Si)/0.1V(Ge)或加反向电压或加反向电压理想的开关应具有两个工作状态:理想的开关应具有两个工作状态:-要求阻抗越小越好,相当于短路(导通)要求阻抗越小越好,相当于短路(导通)-要求阻抗越大越好,相当于开路(截止)要求阻抗越大越好,相当
4、于开路(截止)在数字电路中,二极管和三极管工作在开关状态,即,不在数字电路中,二极管和三极管工作在开关状态,即,不是是饱和导通,就是反向截止,好象一个开关一样。饱和导通,就是反向截止,好象一个开关一样。当脉冲信号的频率很高时,开关状态的变化速度很快,每当脉冲信号的频率很高时,开关状态的变化速度很快,每秒可达秒可达百万次百万次,这就要求器件的开关转换速度要在微秒甚至纳,这就要求器件的开关转换速度要在微秒甚至纳秒内完成。秒内完成。因此有必要研究一下二极管导通截止之间的转换过程。因此有必要研究一下二极管导通截止之间的转换过程。接通状态接通状态断开状态断开状态1.1.关断特性关断特性:二极管从正向导通
5、到反向截止有一个反向恢复过程:二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复过程vitVF-VRIF-IRt1tstt0.1IRit在在O Ot t1 1期间,期间,vi i VF F,二二极管极管D导通,电路中有电流流过:导通,电路中有电流流过:RLviiD三、二极管的开关特性三、二极管的开关特性当当t t t t1 1 时,时,vi i 突变到突变到 VR R,理想时,二极管应立即截止,电理想时,二极管应立即截止,电路中只有很小的反向电流路中只有很小的反向电流。但实但实际并非如此,见右图:际并非如此,见右图:通常将二极管从导通转为截止通常将二极管从导通转为截止所需的时间称为所需的时间称为反向恢复
6、时间反向恢复时间:tre=ts+tt=ns级级 vitVF-VRIF-IRt1tstt0.1IRit存储时间存储时间渡越时间渡越时间RLviiD 产生反向恢复过程的原产生反向恢复过程的原因是因是电荷存储效应电荷存储效应所引起的。所引起的。反向恢复时间就是反向恢复时间就是存储电荷存储电荷消失所需要的时间消失所需要的时间,一般在,一般在纳秒数量级。纳秒数量级。2.2.开通特性:主要体现在二极管的开通时间开通特性:主要体现在二极管的开通时间开通时间开通时间-二极管从截止转为正向导通所需要的二极管从截止转为正向导通所需要的时间时间 该时间与该时间与反向恢复时间反向恢复时间相比很小,对开关速度影响小,相
7、比很小,对开关速度影响小,可以忽略不计。可以忽略不计。一、三极管处于三种工作区的条件一、三极管处于三种工作区的条件截止区:截止区:B、E加正向电压时加正向电压时VF0.5V(Si)/0.1V(Ge)或或加反向电压加反向电压放大区:放大区:发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏饱和区:饱和区:发射结正偏、集电结正偏发射结正偏、集电结正偏临界饱和:临界饱和:UBC=0IB=IC=0 IC=IBUCE=0.10.3V典型值典型值UCE=0.3V2.2.2 2.2.2 三极管的开关特性三极管的开关特性三极管三极管工作在饱和状态的工作在饱和状态的电流条件电流条件为:为:I IB B I IBS B
8、S 二、三极管的动态特性三极管的动态特性(1 1)延迟时间延迟时间t td d 从输入信号从输入信号v vi i正跳变的正跳变的 瞬间开始,到集电极电流瞬间开始,到集电极电流i iC C上升到上升到0.10.1I ICSCS所需的时间所需的时间 (2 2)上升时间上升时间t tr r集电极电流从集电极电流从0.10.1I ICSCS上上升到升到0.90.9I ICSCS所需的时间。所需的时间。(3 3)存储时间存储时间t ts s从输入信号从输入信号v vi i下跳变的下跳变的瞬间开始,到集电极电流瞬间开始,到集电极电流i iC C下降到下降到0.90.9I ICSCS所需的时间。所需的时间。
9、(4 4)下降时间下降时间t tf f集电极电流从集电极电流从0.90.9I ICSCS下降下降到到0.10.1I ICSCS所需的时间。所需的时间。2.3 2.3 基本逻辑门电路基本逻辑门电路2.3.1 2.3.1 二极管与门电路二极管与门电路2.3.3 2.3.3 非门电路非门电路 三极管反相器三极管反相器2.3.2 2.3.2 二极管或门电路二极管或门电路2.3.4 2.3.4 复合逻辑门电路复合逻辑门电路2.3.1 2.3.1 二极管与门电路二极管与门电路二极管与门电路二极管与门电路与逻辑符号及表达式与逻辑符号及表达式 VCC+(5V)R 3kW L D1 D2 D3 A B C VC
10、C+(5V)R 3kW L D1 D2 D3 A B C 0.7V 三个输入端中,只三个输入端中,只要有一个为要有一个为0V,其余为其余为+5V时:时:输入与输出电压关系输入与输出电压关系0V5V5V 输 入输 出VAVBVCVL0V0V0V0V0V+5 V0V+5 V0V0V+5 V+5 V+5 V0V0 V+5 V0V+5 V+5 V+5 V0V0.7V0.7V0.7V0.7V0.7V0.7V0.7V压差大的管子导通VCC+(5V)R 3kW L D1 D2 D3 A B C 5 V 只有当只有当A、B、C三个输入端均为高电三个输入端均为高电平平+5V时:时:5V5V5V 输 入输 出AB
11、CL00000010010001101000101011001111 真真 值值 表表 2.3.2 2.3.2 二极管或门电路二极管或门电路二极管或门电路二极管或门电路或逻辑符号及表达式或逻辑符号及表达式1 1输入端输入端A、B、C都为都为0V 0 V或或逻辑逻辑真真值值表表输 入输 出ABCL00000011010101111001101111011111输 入输 出ABCL000000110101011110011011110111110V0V0V输入端中只要有一个为输入端中只要有一个为+5V4.3 V或或逻辑逻辑真真值值表表输 入输 出ABCL0000001101010111100110
12、1111011111输 入输 出ABCL000000110101011110011011110111110V5V5V二极管与门和或门电路的缺点:二极管与门和或门电路的缺点:(1 1)电电平平偏偏移移:在在多多个个门门串串接接使使用用时时,会会出出现现低低电电平平偏偏离标准数值的情况。离标准数值的情况。(2 2)负载能力差)负载能力差只用于只用于IC内部电路内部电路三极管三极管 反相电路反相电路非逻辑符号及表达式非逻辑符号及表达式2.3.3 2.3.3 非门电路非门电路 三极管反相器三极管反相器当当输入为输入为逻辑逻辑0 0时时:0 vcc1输入A输出L01非逻辑真值表非逻辑真值表 当当输入为输
13、入为逻辑逻辑1 1时时:1 0输入A输出L0110非逻辑真值表非逻辑真值表 2.3.4 DTL2.3.4 DTL复合门电路复合门电路 VCC+(5V)R 3kW D1 D2 D3 A B C 1、DTL与非门电路与非门电路 2、DTL或非门电路或非门电路2.4 TTL2.4 TTL集成门电路集成门电路 集成逻辑门电路是把门电路的所有元器件及集成逻辑门电路是把门电路的所有元器件及连接导线制作在一块半导体硅片上,构成集成逻连接导线制作在一块半导体硅片上,构成集成逻辑门。辑门。若这种电路的输入级和输出级都采用半导体若这种电路的输入级和输出级都采用半导体三极管,则称为三极管三极管,则称为三极管三极管集
14、成逻辑门电路三极管集成逻辑门电路(Transistor Transistor Logic),即),即TTL门门电路。电路。集成电路的特点:体积小,重量轻,功耗小,价集成电路的特点:体积小,重量轻,功耗小,价格低,可靠性等。格低,可靠性等。分类门/片元器件/片SSI(Small Scale Integrated circuit)11210100MSI(Medium Scale Integrated circuit)1399100999LSI(Large Scale Integrated circuit)1009999100099999VLSI(Very Large Scale Integrate
15、d circuit)10000100000 集成电路根据一块芯片上所集成的门数多少或集成电路根据一块芯片上所集成的门数多少或元件多少可分为小、中、大和超大规模集成电路。元件多少可分为小、中、大和超大规模集成电路。逻辑门和触发器是目前常用的逻辑门和触发器是目前常用的SSI译码器、译码器、数据选择器、数据选择器、加法器、加法器、计数器、计数器、移位寄存器等组移位寄存器等组件是常用的件是常用的MSI。常见的常见的LSI、VLSI有只读存储器、有只读存储器、随机存取存储器、随机存取存储器、微处理微处理器、高速乘法累加器、器、高速乘法累加器、通用和专用数字信号处理器等。通用和专用数字信号处理器等。集成逻
16、辑门集成逻辑门是最基本的数字集成电路,是组是最基本的数字集成电路,是组成数字逻辑的基础。成数字逻辑的基础。常用的集成门电路,大多采用双列直插式封常用的集成门电路,大多采用双列直插式封装(装(Dual-In-line Package,缩写成缩写成DIP)。)。集成门电路外形图集成门电路外形图槽口槽口1 2 3 3 4 6 714 13 12 11 10 9 8管脚编号管脚编号 集成芯片表面有一个缺口(引脚编号的参考标集成芯片表面有一个缺口(引脚编号的参考标志),如果将芯片插在实验板上且缺口朝左边,则志),如果将芯片插在实验板上且缺口朝左边,则引脚的排列规律为:左下管脚为引脚的排列规律为:左下管脚
17、为1引脚,其余以逆引脚,其余以逆时针方向从小到大顺序排列。时针方向从小到大顺序排列。一般引脚数为:一般引脚数为:14、16、20等。等。槽口槽口1 2 3 3 4 6 714 13 12 11 10 9 8管脚编号管脚编号 绝大多数情况下,电源从芯片左上角的引脚接绝大多数情况下,电源从芯片左上角的引脚接入,地接右下引脚。入,地接右下引脚。一块芯片中可集成若干个(一块芯片中可集成若干个(1、2、4、6等)同等)同样功能但又各自独立的门电路,每个门电路则具有样功能但又各自独立的门电路,每个门电路则具有若干个(若干个(1、2、3等)输入端。等)输入端。输入端数有时称为扇入(输入端数有时称为扇入(Fa
18、n-in)数。数。(a)7404(六反相器六反相器)(b)7400(四四2输入与非门输入与非门)2.4.1 TTL2.4.1 TTL与非门的工作原理与非门的工作原理D4kR2R11.6k1kR3130R4ABC+VCC+5VuOuIT4T1T2T3Y一、组成一、组成输入级:输入级:T T1 1,R,R1 1中间级:中间级:T T2 2,R,R2 2,R,R3 3输出级:输出级:T T3 3,T,T4 4,R,R4 4,D,D输入级输入级中间级中间级输出级输出级是保护二极管,为是保护二极管,为防止输入电压过低防止输入电压过低而设置而设置多发射极三极管多发射极三极管T1T1作用作用:实现实现“与与
19、”的功能的功能ABCbc+VCCABCbcABCT1bc 输入级由多发射极输入级由多发射极三极管三极管T1和基极电组和基极电组R1组成,它实现了输入变组成,它实现了输入变量量A、B、的与运算。的与运算。(1)输入级输入级 中间级(中间级(倒相级倒相级)是放大级,由是放大级,由T2、R2和和R3组成,组成,T2的集电极的集电极C2和发射极和发射极E2可以分提供可以分提供两个相位相反的电压信两个相位相反的电压信号,号,以满足输出级的需以满足输出级的需要。要。(2)中间级中间级 输出级由输出级由T3、T4、D和和R4组成,其中其中组成,其中其中D、T3作为由作为由T4组成的反组成的反相器的有源负载。
20、相器的有源负载。T3与与T4组成推拉式输出结构,组成推拉式输出结构,具有较强的负载能力。具有较强的负载能力。(3)输出级输出级二、工作原理二、工作原理D4kR2R11.6k1kR3130R4ABC+VCC+5VuOuIT4T1T2T3Y(1)(1)当输入端当输入端ABCABC中中至少至少有有 一个为低电平一个为低电平0.3V0.3V时时低电平低电平(0.3V)深饱和深饱和T1深度饱和,则深度饱和,则0.3V1VuIT1T2T3T4uO高电平高电平(3.6V)截止截止截止截止导通导通T4截止,截止,T3导通导通3.6V3.6V二、工作原理二、工作原理D4kR2R11.6k1kR3130R4ABC
21、+VCC+5VuOuIT4T1T2T3Y(2)(2)当输入端当输入端ABCABC都为都为高电高电 平平3.6V3.6V时时高电平高电平(3.6V)倒置倒置3.6V2.1VuIT1T2T3T4uO4.3V3.6V3.6V1.4V假设假设T1发射结度正向导通,则发射结度正向导通,则T1发射结反偏,集电结正偏,发射结反偏,集电结正偏,工作在工作在倒置状态倒置状态,即集电极和,即集电极和发射极颠倒使用,此时电流放发射极颠倒使用,此时电流放大系数大系数i在在0.02左右左右假设假设T2饱和导通,则饱和导通,则1V二、工作原理二、工作原理D4kR2R11.6k1kR3130R4ABC+VCC+5VuOuI
22、T4T1T2T3Y(2)(2)当输入端当输入端ABCABC都为都为高电高电 平平3.6V3.6V时时高电平高电平(3.6V)倒置倒置3.6V2.1VuIT1T2T3T4uO低电平低电平(0.3V)饱和饱和饱和饱和截止截止4.3V3.6V3.6V1.4V1V故故T2饱和的假设成立且饱和的假设成立且T3和和D截止截止对于对于T4的情况的情况由于由于T3和和D截止,故截止,故故故T4深度饱和,输出为低电平深度饱和,输出为低电平(2)(2)当输入端当输入端ABCABC都为都为高电平高电平3.6V3.6V时时(1)(1)当输入端当输入端ABCABC中中至至少少有一个为低电平有一个为低电平0.3V0.3V
23、时时输出为高电平输出为高电平3.6V3.6V输出为低电平输出为低电平0.3V0.3V综上:综上:故输入输出满足关系:故输入输出满足关系:该电路为该电路为TTLTTL与非门电路与非门电路(1)(1)当采用多发射极三极管加快了存储电荷的消散过程。当采用多发射极三极管加快了存储电荷的消散过程。TTLTTL与非门提高工作速度的原理与非门提高工作速度的原理()采用了推拉式输出级,输出阻抗比较小,可迅速给负采用了推拉式输出级,输出阻抗比较小,可迅速给负载电容充放电。载电容充放电。自学自学2.4.2 TTL2.4.2 TTL与非门传输延迟时间与非门传输延迟时间t tpdpd导导通通延延迟迟时时间间tPHL从
24、从输输入入波波形形上上升升沿沿的的中中点点到到输输出出波波形形下下降降沿沿的中点所经历的时间。的中点所经历的时间。截止延迟时间截止延迟时间tPLH从输入波形下降沿的中点到输出波形上升沿从输入波形下降沿的中点到输出波形上升沿的中点所经历的时间。的中点所经历的时间。与非门的传输延迟时间与非门的传输延迟时间tpd是是tPHL和和tPLH的平均值。即的平均值。即 一般一般TTL与非门传输延迟时间与非门传输延迟时间tpd的值为的值为几纳秒十几个纳秒几纳秒十几个纳秒。2.4.3 TTL2.4.3 TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力与非门的电压传输特性及抗干扰能力1电压传输特性曲线:电压传输特性曲线:V
25、o=f(Vi)特性曲线分为特性曲线分为AB、BC、CD、DE四段:四段:AB段:段:VI0.6VVB11.3VT2、T4截止截止,而,而T3、D导通输出导通输出电压为高电平电压为高电平3.6V,基本不变,基本不变BC段:段:VI0.61.3VT2已经开始导通已经开始导通,但,但VB21.3V,故,故T4截止,截止,T2处于处于放大状态放大状态,R2上的电流随着上的电流随着VI的的而线性而线性,即即R2上的压降随着上的压降随着VI的的而线性而线性,因此输出,因此输出VO将随着将随着VI的的而线而线性性CD段:段:1.3VVI1.4V,T4已经导通并已经导通并迅速饱和,迅速饱和,T3迅速截止,故迅
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