结晶-工程学长概要.ppt
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1、 结晶结晶本章涉及的名记术语2化工单元操作过程之结晶本章培训目标1.熟知结晶过程的基本概念,掌握结晶操作的基本原理。2.会对结晶过程进行简单物料衡算。3.了解晶体生成的过程,能根据结晶操作的影响因素进行主要环节的控制。4.熟知工业上常用的结晶方法,了解结晶设备的基本结构和特点。3化工单元操作过程之结晶11.1 结晶过程的基本原理结晶是使固体物质以晶体状态从气相、溶液或熔融的物质中析出,以达到溶质与溶剂分离的单元操作。4化工单元操作过程之结晶工业生产中,大多数结晶是在溶液中产生的。工业生产中,大多数结晶是在溶液中产生的。主要用于混合物的分离。主要用于混合物的分离。特点:结晶操作可从含杂质量较多的
2、溶液中分离出高纯度的晶体(形成混晶的情况除外)。因沸点相近的组分其熔点可能显著区别,故高熔点混合物、相对挥发度小的物系及共沸物、热敏性物质等难分离物系,可考虑采用结晶操作加以分离。结晶操作能耗低,对设备要求不高,一般无“三废”排放。此外,结晶产品的外观优美,生产操作弹性较大,是很多产品进行大规模生产的最好、紧经济的方法,也是小规模制备某些纯净物质的最方便的方法。5化工单元操作过程之结晶 结晶过程的基本原理溶解与结晶溶解性一种物质溶解在另一种物质中的能力叫溶解性一种物质溶解在另一种物质中的能力叫溶解性。溶解性的大小与溶质和溶剂的性质有关。相似相溶理论认为,溶溶解性的大小与溶质和溶剂的性质有关。相
3、似相溶理论认为,溶质能溶解在与它结构相似的溶剂中。质能溶解在与它结构相似的溶剂中。如油脂分子和有机溶剂的分如油脂分子和有机溶剂的分子都属于非极性分子,两种分子结构相似,因此可以互溶;而水子都属于非极性分子,两种分子结构相似,因此可以互溶;而水分子是极性分子,大多数无机物分子也是极性分子,因此这些无分子是极性分子,大多数无机物分子也是极性分子,因此这些无机物一般溶于水。机物一般溶于水。6化工单元操作过程之结晶溶解与结晶结晶在一定条件下,一种晶体作为溶质可以溶解在某种溶剂之中而形成溶液。在固体溶质溶解的同时,溶液中同时进行着一个相反的过程,即已溶解的溶质粒子撞击到固体表面时,又重新变成固体而从溶剂
4、中析出,这个过程叫结晶。溶解与结晶是可逆过程。当固体物质与其溶液接触时,如溶液尚未饱和,则固体溶解;当溶液恰好达到饱和时,固体与溶液达到相平衡状态,溶解与结晶速度相等,此时溶质在溶剂中的溶解量达到最大限度,如果溶质量超过此极限,则有晶体析出。7化工单元操作过程之结晶11.1.2 溶解度曲线结晶过程是溶质由液相转移到固体的传质过程,因此遵循传质的一般规律。8化工单元操作过程之结晶(1 1)溶解度)溶解度定义:在一定条件下,某些物质在水(或其他溶剂)里达到定义:在一定条件下,某些物质在水(或其他溶剂)里达到饱和状态时所溶解的数量,叫做这种物质的饱和状态时所溶解的数量,叫做这种物质的溶解度溶解度。通
5、常用通常用100kg100kg溶剂中溶解的溶质数表示。溶剂中溶解的溶质数表示。浓度超过溶解度的溶液称为过饱和溶液。浓度超过溶解度的溶液称为过饱和溶液。显然,溶质可以继续溶解于未饱和溶液中,直至浓度达到显然,溶质可以继续溶解于未饱和溶液中,直至浓度达到溶解度为止。而过饱和溶液可析出过多的溶质成为饱和溶液,溶解度为止。而过饱和溶液可析出过多的溶质成为饱和溶液,即结晶只能在过饱和溶液中进行。即结晶只能在过饱和溶液中进行。9化工单元操作过程之结晶溶解度曲线(2 2)溶解度曲线)溶解度曲线定义:一种物质在一定溶剂中的溶解度主要随温度而变化。定义:一种物质在一定溶剂中的溶解度主要随温度而变化。以溶解度为纵
6、坐标,温度为横坐标,绘制出溶解度与温度的以溶解度为纵坐标,温度为横坐标,绘制出溶解度与温度的变化关系曲线,即为溶解度曲线。变化关系曲线,即为溶解度曲线。不同无机盐在水中的溶解度曲线10化工单元操作过程之结晶11.1.2 11.1.2 溶解度曲线溶解度曲线(2 2)溶解度曲线(例图)溶解度曲线(例图)大多数固体物质的溶解度随温度的升高而明显增大,有些物质的溶解度受温度变化的影响较小,曲线比较平坦,还有一部分物质的溶解度曲线中间有折点,折点表明物质的组成发生变化。溶解度曲线上各点表示溶液里溶质的量达到了对应温度下的溶解度,这种溶液不能再溶解更多的溶质,是饱和溶液。在曲线下方的区域,表示在某一温度时
7、,溶液里溶质的质量小于此温度下的温解度,还能继续溶解更多的溶质,这种溶液叫做不饱和溶液。过饱和曲线(1)过饱和溶液和过饱和度11化工单元操作过程之结晶当溶液浓度正好等于溶质的溶解度时,即液固达到平衡状态当溶液浓度正好等于溶质的溶解度时,即液固达到平衡状态时,该溶液称为时,该溶液称为饱和溶液饱和溶液;当溶液浓度低于溶质溶解度时,该溶液为当溶液浓度低于溶质溶解度时,该溶液为不饱和溶液不饱和溶液;若溶液浓度大于溶解度,则形成若溶液浓度大于溶解度,则形成过饱和溶液。过饱和溶液。关于饱和溶液的几个概念:关于饱和溶液的几个概念:11.1.3 过饱和曲线(1)过饱和溶液和过饱和度12化工单元操作过程之结晶p
8、饱和温度:饱和温度:不饱和溶液经过冷却降温而达到饱和时的温度称为不饱和溶液经过冷却降温而达到饱和时的温度称为饱和温饱和温度。度。p并不是所有的饱和溶液在冷却后都能自发地把多余的溶质分离出来。并不是所有的饱和溶液在冷却后都能自发地把多余的溶质分离出来。如果饱和溶液纯净、无杂质,在无搅拌和振荡条件下冷却,则溶液降如果饱和溶液纯净、无杂质,在无搅拌和振荡条件下冷却,则溶液降到饱和温时,即成为饱和溶液,但不会有晶体析出,结果成为过饱和到饱和温时,即成为饱和溶液,但不会有晶体析出,结果成为过饱和溶液。溶液。p过饱和度:过饱和度:常以过饱和溶液的浓度与同温度的饱和溶液的浓度差表示常以过饱和溶液的浓度与同温
9、度的饱和溶液的浓度差表示过饱和度过饱和度。即同一温度下,过饱和溶液与饱和溶液的浓度差。p过饱和溶液的性质不稳定,如果轻微振动或在其中加入一小颗粒溶质过饱和溶液的性质不稳定,如果轻微振动或在其中加入一小颗粒溶质时,多余的溶质就会以晶体的形式析出,直到溶液变为饱和溶液为止。时,多余的溶质就会以晶体的形式析出,直到溶液变为饱和溶液为止。因此溶液的过饱和度是结晶析出过程的推动力因此溶液的过饱和度是结晶析出过程的推动力。11.1.3 过饱和曲线(2)过饱和曲线13化工单元操作过程之结晶p自发地析出晶体的过饱和溶液的浓自发地析出晶体的过饱和溶液的浓度与温度关系的曲线称为过饱和,度与温度关系的曲线称为过饱和
10、,也称超溶解度曲线。它与溶解度曲也称超溶解度曲线。它与溶解度曲线大致相平行。线大致相平行。p如图,这两条曲线把图形分成三个如图,这两条曲线把图形分成三个区域。区域。过饱和曲线溶解度曲线 稳定区稳定区 溶解曲线下方为稳定尚未达到饱和,溶解曲线下方为稳定尚未达到饱和,没有结晶的可能。没有结晶的可能。介稳区介稳区 两曲线之间为介稳区。在此区域中不能自发两曲线之间为介稳区。在此区域中不能自发的析出晶体,如果在溶液中加入晶种(少量溶质的析出晶体,如果在溶液中加入晶种(少量溶质晶体的小颗粒),或受某些外部因素的诱发,会晶体的小颗粒),或受某些外部因素的诱发,会析出晶核且逐渐成长。析出晶核且逐渐成长。不稳区
11、不稳区 过饱和曲线以上为不稳定区。溶液处过饱和曲线以上为不稳定区。溶液处于这个区域内,将自发地析出大量细小晶于这个区域内,将自发地析出大量细小晶体。体。11.2 结晶过程的物料衡算对总量进行物料衡算,则14化工单元操作过程之结晶结晶器F,wFWEM,wM(11-1)(11-1)对溶质进行物料衡算,则对溶质进行物料衡算,则(11-2)(11-2)联解上述方程,得联解上述方程,得(11-3)(11-3)其中 F-加入原料量,kg/h E-获得的结晶量,kg/h W-蒸发的溶剂,kg/h M-母液的量,kg/h WF-原料液的质量分数 WM-母液的质量分数 R-水合盐与无水盐的分子量之比,称为结晶水
12、含量的特性系数(无水结晶时R=1)11.3 结晶过程的操作与控制晶格构成晶体的微观粒子(分子、原子或离子)按一定的集合规则排列,由此形成的最小单元称为晶格 晶体可以按晶格空间结构的区别分为不同的晶系。同一物质在不同的条件下可形成不同的晶系,或为两种晶系的混合物。15化工单元操作过程之结晶晶晶体体按按其其晶晶格格结结构构可可分分为为七七种种晶晶系系 16化工单元操作过程之结晶11.3 结晶过程的操作与控制晶习晶习微观粒子的规则排列可以按不同方向发展,即各晶面以下同的速率生产,从而形成不同外形的晶体,这种习性以及最终形成的晶体外形称为晶习。同一晶系的晶体在不同结晶条件下的晶习不同,改变结晶条件也会
13、使晶习改变,从而得到不同的晶体外形。因此控制结晶操作的条件以改善晶习,获得理想的晶体外形区别于其他分离操作。晶体从溶液中析出一般可分三个阶段:17化工单元操作过程之结晶11.3.1 结晶生成过程过饱和溶液的形成过饱和溶液的形成晶核的生成晶核的生成晶体的成长阶段晶体的成长阶段过饱和溶液析出过量的溶质过饱和溶液析出过量的溶质产生晶核,然后晶核长大形成产生晶核,然后晶核长大形成宏观的晶体。宏观的晶体。在溶液中,晶核形成进入成在溶液中,晶核形成进入成长阶段后,还有新晶核继续形长阶段后,还有新晶核继续形成。成。结晶过程后两个阶段通常结晶过程后两个阶段通常同时进行。同时进行。结晶生成过程晶核形成有两种情况
14、:18化工单元操作过程之结晶一次成一次成一次成一次成核核二次成核二次成核二次成核二次成核一次成核一次成核是过饱和溶液达到不稳区后自发形成晶核。是过饱和溶液达到不稳区后自发形成晶核。二次成核二次成核是过饱和溶液在介稳区内受到搅拌、外来物质、电是过饱和溶液在介稳区内受到搅拌、外来物质、电磁波辐射等外界因素诱发而形成晶核。磁波辐射等外界因素诱发而形成晶核。工业结晶通常加入一定数量的晶种以诱发晶核。工业结晶通常加入一定数量的晶种以诱发晶核。成核速率随溶液的过饱和度的增大而增大,在生产中常常不希望产生过成核速率随溶液的过饱和度的增大而增大,在生产中常常不希望产生过量的晶核,以免使产品的粒度大小及分布不合
15、格,所以,量的晶核,以免使产品的粒度大小及分布不合格,所以,控制晶核生成控制晶核生成速率速率是结晶操作重点解决的问题。是结晶操作重点解决的问题。(1 1)晶核的生成)晶核的生成19化工单元操作过程之结晶11.3.1 结晶生成过程(2 2)晶体的成长)晶体的成长晶核在过饱和溶液中将不断成长。晶核在过饱和溶液中将不断成长。晶体长大的过程实质上是溶液中过剩溶质向晶核表面粘附,而使晶体扩大的过程。晶体长大的过程实质上是溶液中过剩溶质向晶核表面粘附,而使晶体扩大的过程。晶体成长分为两步晶体成长分为两步首先以浓度差为推动力,使溶液中过剩的溶质从溶液主体首先以浓度差为推动力,使溶液中过剩的溶质从溶液主体扩散
16、到晶体表面;扩散到晶体表面;其次到达晶面的溶质的分子或离子以某种方式嵌入晶格,其次到达晶面的溶质的分子或离子以某种方式嵌入晶格,而组成有规则的结构,使晶体增大,同时放出结晶热;而组成有规则的结构,使晶体增大,同时放出结晶热;第二个过程称为表面反应过程。第二个过程称为表面反应过程。晶体成长过程是溶质的扩散过和和表面反应过程串联的联合过。表面反应过程的晶体成长过程是溶质的扩散过和和表面反应过程串联的联合过。表面反应过程的速度一般很快。速度一般很快。扩散过程是晶体成长速率的控制步骤。扩散过程是晶体成长速率的控制步骤。通常,晶体成长速率随溶液的过饱和度或冷度的增加而增大。通常,晶体成长速率随溶液的过饱
17、和度或冷度的增加而增大。结晶操作的影响因素晶核的生成和晶体的成长速率大小,对结晶产品的质量有很大的影响。晶体的成核速率是决定晶体产品粒度分布的首要因素。成核速率过恰快,将导致晶体产品细碎,粒度分布范围宽,产品质量低劣,影响结晶器的生产强度。反之,如果成核速度远远小于晶体成长速率,溶液中晶核数量较小,随后析出的溶质都供长大,产品的颗粒较大且均匀。如果两者相近,最形成的晶核成长时间长,后来形成的晶核成长时间短,结果是产品的粒度大小参差不一。晶体颗粒本身的质量也受到这两种速率的影响。晶体成长速率快,有可能导致若干晶体颗粒聚结,形成晶簇,将杂质包藏其中,严重影响了产品的纯度。结晶操作影响因素主要考虑晶
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