第3章-半导体三极管放大电路(2+5)改.ppt
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1、第第三三章章 半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础(模电)(模电)返回返回第三章第三章 半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 对你的期望:对你的期望:(1 1)掌握三极管工作原理,输入及输出特性;)掌握三极管工作原理,输入及输出特性;(2)熟悉放大、饱和、截止三种工作状态及特点;)熟悉放大、饱和、截止三种工作状态及特点;(3)了解三极管主要参数及其物理意义;)了解三极管主要参数及其物理意义;(4 4)掌握放大电路组成、原理及分析方法;)掌握放大电路组成、原理及分析方法;(5 5)熟悉放大电路三种基本组态;)熟悉放大电路三种基本组态;第三章第三章 半导体三极管及放
2、大电路基础半导体三极管及放大电路基础 3.1 3.1 半导体三极管半导体三极管3.2 3.2 共射极放大电路共射极放大电路 3.3 3.3 放大电路的分析方法放大电路的分析方法 3.4 3.4 放大电路工作点稳定问题放大电路工作点稳定问题 3.5 3.5 共集电极放大电路与共基极放大电路共集电极放大电路与共基极放大电路3.7 3.7 多级放大电路多级放大电路3.6 3.6 差分放大电路差分放大电路3.1 半导体三极管半导体三极管3.1.1 3.1.1 基本结构及符号基本结构及符号基本结构及符号基本结构及符号NNP基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极NPNNPN型型型
3、型BECB BE EC CPNPPNP型型型型P PP PN N基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极符号:符号:符号:符号:BECIBIEICBECIBIEICNPNNPN型三极管型三极管型三极管型三极管PNPPNP型三极管型三极管型三极管型三极管基区:最薄,基区:最薄,基区:最薄,基区:最薄,掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低发射区:掺发射区:掺发射区:掺发射区:掺杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高发射结发射结发射结发射结集电结集电结集电结集电结B B B BE E E EC C C CN N N NN N N NP P P P基极基极基极基极
4、发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极结构特点:结构特点:结构特点:结构特点:集电区:集电区:集电区:集电区:面积最大面积最大面积最大面积最大3.1.2 电流分配和放大原理电流分配和放大原理1.1.三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件B BEC CN NN NP PEBRBE EC CRC发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏 PNPPNP发射结正偏发射结正偏发射结正偏发射结正偏 V VB B V VE E集电结反偏集电结反偏集电结反偏集电结反偏 V VC C V VE E集电结反偏集电结反
5、偏集电结反偏集电结反偏 V VC C V VB B ICVCCmA ARBIBVCCmA+IE实验线路2.2.各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用I IB B(mA(mA)I IC C(mA(mA)I IE E(mA(mA)0 00.020.020.040.040.060.060.080.080.100.100.0010.0010.700.701.501.502.302.303.103.103.953.950.0010.0010.720.721.541.542.362.363.183.184.054.05结论结论结论结
6、论:1 1)三电极电流关系)三电极电流关系)三电极电流关系)三电极电流关系 I IE E=I IB B+I IC C2 2)I IC C I IB B ,I IC C I IE E 静态静态(直流直流)电流放大系数电流放大系数:动态动态(交流交流)电流放大系数电流放大系数:把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。化的特性称为晶体管的电流放大作用。化的特性称为晶体管的电流放大作用。化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质实质实质实
7、质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化,是变化,是变化,是变化,是CCCSCCCS器件器件器件器件。3)3)当当当当I IB B=0(=0(基极开路基极开路基极开路基极开路)时时时时,I IC C=I ICEOCEO,很小接近于。很小接近于。很小接近于。很小接近于。4)4)要使晶体管起电流放大作用,发射极必须正向偏置,要使晶体管起电流放大作用,发射极必须正向偏置,要使晶体管起电流放大作用,发射极必须正向偏置,要使晶体管起电流放大作用,发射极必须正向偏置,集电极必须反
8、偏。集电极必须反偏。集电极必须反偏。集电极必须反偏。共集电极:共集电极:集电极作为公共端,用集电极作为公共端,用CC表示;表示;共发射极:共发射极:发射极作为公共端,用发射极作为公共端,用CE表示。表示。共基极:共基极:基极作为公共端,用基极作为公共端,用CB表示表示。3、三极管三种组态、三极管三种组态3.1.3 特性曲线特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线,是管子内即管子各电极电压与电流的关系曲线,是管子内部载流子运动的外部表现,反映了晶体管的性能,是部载流子运动的外部表现,反映了晶体管的性能,是分析放大电路的依据。分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线:为什么要研究特性曲线:为什么
9、要研究特性曲线:为什么要研究特性曲线:1 1 1 1)直观地分析管子的工作状态)直观地分析管子的工作状态)直观地分析管子的工作状态)直观地分析管子的工作状态 2 2 2 2)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路电路电路电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路共发射极
10、电路输入回路输入回路输出回路输出回路 测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路ICVCCmA AVUCEUBERBIBVCCV+1.1.输入特性输入特性输入特性输入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1V特点特点特点特点:非线性非线性非线性非线性死区电压:死区电压:死区电压:死区电压:硅管硅管硅管硅管0.50.50.50.5V V,锗管锗管锗管锗管0.10.10.10.1V V。正常工作时发射结电压:正常工作时发射结电压:正常工作时发射结电压:正常工作时发射结电压:NPNNPN型硅管型硅管型硅管型硅管 U UBE
11、 BE 0.60.7V 0.60.7VPNPPNP型锗管型锗管型锗管型锗管 U UBE BE 0.2 0.2 0.3V 0.3V2.输出特性输出特性IB=020 A40 A60 A80 A100 A36IC(mA )1234UCE(V)9120放大区放大区输出特性曲线通常分三个工作区:输出特性曲线通常分三个工作区:输出特性曲线通常分三个工作区:输出特性曲线通常分三个工作区:(1)(1)放大区放大区放大区放大区放大区放大区曲线基本平行部分曲线基本平行部分条件:条件:发射结正偏,发射结正偏,集电结反偏。集电结反偏。特点:特点:VCE较大较大 iC=iB I IB B=0=02020 A A4040
12、 A A6060 A A8080 A A100100 A A3 36 6I IC C(mmA A )1 12 23 34 4U UCECE(V)(V)9 912120 0饱饱饱饱和和和和区区区区(2)饱和区)饱和区饱和区饱和区iC受受vCE显著控制的显著控制的 区域。区域。特点:特点:该区域内该区域内vCE的数值较小。的数值较小。一般一般vCE0.7 V(硅管硅管)。饱和压降饱和压降 VCES=0.3V Si0.1V GeICS iB 外电路决定外电路决定条件:发射结正偏,集电结正偏(或零偏)。条件:发射结正偏,集电结正偏(或零偏)。(2 2)截止区)截止区)截止区)截止区I IB B=0=0
13、 以下区域为以下区域为以下区域为以下区域为截止区,有截止区,有截止区,有截止区,有 I IC C 0 0 。在截止区发射结处于反向偏置,集电结处于反在截止区发射结处于反向偏置,集电结处于反在截止区发射结处于反向偏置,集电结处于反在截止区发射结处于反向偏置,集电结处于反向偏置,晶体管工作于截止状态。向偏置,晶体管工作于截止状态。向偏置,晶体管工作于截止状态。向偏置,晶体管工作于截止状态。I IB B=0=02020 A A4040 A A6060 A A8080 A A100100 A A3 36 6I IC C(mmA A )1 12 23 34 4U UCECE(V)(V)9 912120
14、0截止区截止区截止区截止区ICEOBJT能实现电流控制作用及放大作用。能实现电流控制作用及放大作用。内部条件:内部条件:BJT结构结构外部条件:外加电压极性外部条件:外加电压极性发射结加正向电压,集电结加反向电压。发射结加正向电压,集电结加反向电压。双极型性器件双极型性器件:两种载流子(自由电子、空穴)参与导电。两种载流子(自由电子、空穴)参与导电。结论:结论:NPN、PNP型三极管分别处于放大区时,其三型三极管分别处于放大区时,其三个极电位有何关系?个极电位有何关系?测量测量BJTBJT三个电极对地电位如图所示,三个电极对地电位如图所示,试判断试判断BJTBJT的工作区域的工作区域?放大放大
15、截止截止饱和饱和3.1.4 主要参数主要参数1.1.1.1.电流放大系数电流放大系数电流放大系数电流放大系数,直流电流放大系数直流电流放大系数直流电流放大系数直流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数当晶体管接成发射极电路时,当晶体管接成发射极电路时,当晶体管接成发射极电路时,当晶体管接成发射极电路时,表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数,晶体表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数,晶体表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数,晶体表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数,晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。管的参数也
16、是设计电路、选用晶体管的依据。管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。注意:注意:注意:注意:和和和和 的含义不同,但在特性曲线近于平行等的含义不同,但在特性曲线近于平行等的含义不同,但在特性曲线近于平行等的含义不同,但在特性曲线近于平行等距并且距并且距并且距并且I ICE0 CE0 较小的情况下,两者数值接近。较小的情况下,两者数值接近。较小的情况下,两者数值接近。较小的情况下,两者数值接近。常用晶体管的常用晶体管的常用晶体管的常用晶体管的 值在值在值在值在20 20020 200之间。之间。之间。之间。例:在例:在例:在例:在U UCECE=6 V=6 V时,时,时,时,在在在在 Q Q1
17、 1 点点点点I IB B=40=40 A,A,I IC C=1.5mA=1.5mA;在在在在 Q Q2 2 点点点点I IB B=60=60 A,A,I IC C=2.3mA=2.3mA。在以后的计算中,一般作近似处理:在以后的计算中,一般作近似处理:在以后的计算中,一般作近似处理:在以后的计算中,一般作近似处理:=。I IB B=0=02020 A A4040 A A6060 A A8080 A A100100 A A3 36 6I IC C(mmA A )1 12 23 34 4U UCECE(V)(V)9 912120 0QQ1 1QQ2 2在在在在 Q Q1 1 点,有点,有点,有点
18、,有由由由由 Q Q1 1 和和和和Q Q2 2点,得点,得点,得点,得二、二、极间反向电流极间反向电流 (1)(1)(1)(1)集集集集-基极反向截止电流基极反向截止电流基极反向截止电流基极反向截止电流 I ICBOCBO I ICBOCBO是由少数载流子的是由少数载流子的是由少数载流子的是由少数载流子的漂移运动所形成的电流,漂移运动所形成的电流,漂移运动所形成的电流,漂移运动所形成的电流,受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。温度温度温度温度I ICBOCBO ICBO A+EC(2)(2)(2)(2)集集集集-射极反向截止电流射极反向截止电流射极反向截止电流射极
19、反向截止电流(穿透电流穿透电流穿透电流穿透电流)I ICEOCEO AICEOIB=0+I ICEOCEO受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。温度温度温度温度I ICEOCEO ,所以所以所以所以I IC C也相应增加。也相应增加。也相应增加。也相应增加。三极管的三极管的三极管的三极管的温度特性较差。温度特性较差。温度特性较差。温度特性较差。三、三、极限参数:极限参数:1 集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM过流区过流区IC ICM时,管时,管子性能将显著下子性能将显著下降,甚至会损坏降,甚至会损坏三极管。三极管。2 集电极最大允许损耗集电极最大允许损耗PCM
20、集电结上允许损耗功率最大值。集电结上允许损耗功率最大值。PCMICVCE 3 反向击穿电压:反向击穿电压:V(BR)CEOb开路时开路时c、e间的击穿电压间的击穿电压安安 全全工作区工作区3.1.5 3.1.5 温度对晶体管参数的影响温度对晶体管参数的影响若若T ICBOICEO2.对对VBE的影响:的影响:若若T (1oC)VBE(2.2mV)3.对对 的影响:的影响:若若T (1oC)(0.5%1%)1.对对ICBO的影响:的影响:1 1、BJTBJT必须工作在安全工作区必须工作在安全工作区 2 2、要依使用要求:要依使用要求:小功率还是大功率,低频还是高频,小功率还是大功率,低频还是高频
21、,值大小值大小等要求等要求3 3、注意对应型号选用。、注意对应型号选用。4 4、要特别注意、要特别注意温度温度对三极管的影响对三极管的影响 。3.1.6 3.1.6 三极管的选择及注意事项三极管的选择及注意事项例:例:思考题思考题 1、可否用两个二极管背靠背地相联以构成一个可否用两个二极管背靠背地相联以构成一个BJT?2、BJT符号中的箭头方向代表什么?符号中的箭头方向代表什么?3、能否将能否将BJT的的e、c两电极交换使用?两电极交换使用?4、要使、要使BJT具有放大作用,具有放大作用,Je和和Jc的偏置电压应如何连接?的偏置电压应如何连接?5、如何判断、如何判断BJT 的三种组态?的三种组
22、态?6、有哪几个参数确定、有哪几个参数确定BJT的安全工作区的安全工作区第三章第三章 半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 3.2 3.2 共射极放大电路共射极放大电路 3.3 3.3 放大电路的分析方法放大电路的分析方法 3.4 3.4 放大电路工作点稳定问题放大电路工作点稳定问题 3.5 3.5 共集电极放大电路与共基极放大电路共集电极放大电路与共基极放大电路3.7 3.7 多级放大电路多级放大电路3.1 3.1 半导体三极管半导体三极管3.6 3.6 差分放大电路差分放大电路3.2.1 放大电路基本知识放大电路基本知识(参考教材 P719)一、放大电路基本任务:一、放大电
23、路基本任务:将将微弱微弱信号信号增强增强至所要求数值且保持至所要求数值且保持不失真或失真不失真或失真尽量小尽量小。输出电压或电流在幅度上得到了放大,输出信号的输出电压或电流在幅度上得到了放大,输出信号的能量得到了加强能量得到了加强。3.2基本共射极放大电路包括:电压放大电路、功率放大电路等。包括:电压放大电路、功率放大电路等。扩音机示意图扩音机示意图二、二、放大放大等效电路形式等效电路形式:v 输入端等效为输入电阻。输入端等效为输入电阻。v 输出端根据不同情况等效为不同电路形式。输出端根据不同情况等效为不同电路形式。usRsioRLRiRo+ui-ii+uo-Avoui三、三、放大电路主要技术
24、指标放大电路主要技术指标:1 放大倍数放大倍数(增益):(增益):电压放大倍数(电压增益):电压放大倍数(电压增益):反映放大电路在输入信号控制下,将电源能量转换反映放大电路在输入信号控制下,将电源能量转换为输出信号能量的能力为输出信号能量的能力2 输入电阻输入电阻Ri ri越大越好。越大越好。ri越大,越大,ii就越小,就越小,ui就越接近就越接近uS 3 输出电阻输出电阻Ro 表明放大电路带负载的能力。表明放大电路带负载的能力。Ro大,表明放大电路带负载的能力差,反之则强。大,表明放大电路带负载的能力差,反之则强。RS4 通频带通频带 BW 放大电路的增益放大电路的增益A(f)是频率的函数
25、。在低频段是频率的函数。在低频段和高频段放大倍数通常都要下降。当和高频段放大倍数通常都要下降。当A(f)下降到下降到中频电压放大倍数中频电压放大倍数A0的的 时,即时,即 A(fL)=A(fH)=fL-下限频率下限频率fH-上限频率上限频率 带宽带宽BW=BW=fH-fL 低频区低频区高频区高频区中频区中频区3.2.2 共发射极放大电路的组成共发射极放大电路的组成1 1、共发射极基本放大共发射极基本放大共发射极基本放大共发射极基本放大电路组成电路组成电路组成电路组成 共发射极基本电路共发射极基本电路共发射极基本电路共发射极基本电路UCCRSesRBUBBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBE
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