外围硬件设计.pptx
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1、3.1 嵌入式处理器系统硬件设计嵌入式处理器系统硬件设计芯片选型原则 电源模块设计 时钟模块设计 复位电路设计 第1页/共33页一、芯片选型原则一、芯片选型原则 ARM微处理器内核的选择微处理器内核的选择系统的工作频率系统的工作频率 芯片内存储器的容量芯片内存储器的容量 片内外围电路的选择片内外围电路的选择 第2页/共33页最小运行系统的设计电源电路晶振时钟电路复位电路存储系统的设计(可选)第3页/共33页二、电源模块设计二、电源模块设计 S3C2410X的电源引脚主要有:lVDDalive引脚给处理器复位模块和端口寄存器提供1.8V电压;lVDDi和VDDiarm为处理器内核提供1.8V电压
2、;lVDDi_MPLL为MPLL提供1.8V模拟电源和数字电源;lVDDi_UPLL为UPLL提供1.8V模拟电源和数字电源;lVDDOP和VDDMOP分别为处理器端口和处理器存储器端口提供3.3V电压;lVDDA_ADC为处理器内的ADC系统提供3.3V电压;lVDDRTC为时钟电路提供1.8V电压,该电压在系统掉电后仍需维持。第4页/共33页第5页/共33页三、时钟模块设计三、时钟模块设计 时钟管理模块l时钟管理模块为各个外围模块提供时钟,在不使用某个单元时关闭其时钟以降低功耗。l主时钟来源可以使用外部的晶振或外部时钟。l时钟发生器有一个振荡器(振荡放大)连接到外部的晶体上。lARM微处理
3、器内核中有一个可控频率的时钟源PLL把低频振荡器的输出作为自己的输入,产生所需的高频信号。l时钟发生模块有一个逻辑电路,用来在复位后或各种模式下产生稳定的时钟频率。其他的时钟均来自核内部的PLL。第6页/共33页晶振电路设计 S3C2410X的时钟模式 OM3OM2S10-5S10-4S10-1时钟模式时钟模式00ONONONMPLL:晶振 UPLL:晶振01ONOFFOFFMPLL:晶振 UPLL:时钟10OFFONOFFMPLL:时钟 UPLL:晶振11OFFOFFOFFMPLL:时钟 UPLL:时钟第7页/共33页外部晶振电路 第8页/共33页四、复位电路设计四、复位电路设计 l硬件复位
4、(RESET 引脚)lWatchdog软件复位第9页/共33页系统复位电路 第10页/共33页电压监控复位及看门狗电路电压监控复位电路第11页/共33页3.2 嵌入式存储器系统设计嵌入式存储器系统设计 Flash接口电路设计 SDRAM接口电路设计 第12页/共33页NOR Flash接口电路设计SST39LV160是一款常见的NOR Flash存储器:l单片存储容量为16M位l工作电压为2.7V3.6Vl采用TSOP-48或TFBGA-48封装l16位数据宽度l仅需3.3V电压即可完成在系统的编程与擦除操作。第13页/共33页引引 脚脚类型类型描描 述述A19:0 I 地址总线。在字节模式下
5、,DQ15/A-1用作21位字节地址的最低位。DQ15/A-1 I/O 数据总线。在读写操作时提供8位或16位的数据宽度。在字节模式下,DQ15/A-1用作21位字节地址的最低位,而DQ14:8处于高阻状态。DQ14:0 三态 BYTE#I 模式选择。低电平选择字节模式,高电平选择字模式 CE#I 片选信号,低电平有效。在对SST39LV160进行读写操作时,该引脚必须为低电平,当为高电平时,芯片处于高阻旁路状态 OE#I 输出使能,低电平有效。在读操作时有效,写操作时无效。WE#I 写使能,低电平有效。在对SST39LV160进行编程和擦除操作时,控制相应的写命令。RESET#I 硬件复位,
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