四川微米级薄膜沉积设备项目商业计划书（范文模板）.docx

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1、泓域咨询/四川微米级薄膜沉积设备项目商业计划书报告说明ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。根据谨慎财务估算，项目总投资28272.00万元，其中：建设投资23752.25万元，占项目总投资的84.01%；建设期利息288.62万元，占项目总投资的1.02%；流动资金4231.13万元，占项目总投资的14.97%。项目正常运营每年营业收入48600.00万元，综合总成本费用41607.70万元，净利润5090.81万元，财务内部收益率12.19%，财务净现值1445.41万元，全部投资

2、回收期6.76年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 项目投资背景分析8一、 薄膜沉积技术概况8二、 半导体设备行业11三、 积极融入新发展格局14四、 加快建设具有全国影响力的科技创新中心17五、 项

3、目实施的必要性19第二章 项目建设单位说明21一、 公司基本信息21二、 公司简介21三、 公司竞争优势22四、 公司主要财务数据23公司合并资产负债表主要数据23公司合并利润表主要数据24五、 核心人员介绍24六、 经营宗旨26七、 公司发展规划26第三章 行业发展分析28一、 半导体薄膜沉积设备的发展情况28二、 行业发展面临的机遇与挑战34第四章 项目基本情况37一、 项目概述37二、 项目提出的理由38三、 项目总投资及资金构成40四、 资金筹措方案40五、 项目预期经济效益规划目标40六、 项目建设进度规划41七、 环境影响41八、 报告编制依据和原则41九、 研究范围42十、 研究

4、结论43十一、 主要经济指标一览表43主要经济指标一览表43第五章 建筑物技术方案46一、 项目工程设计总体要求46二、 建设方案47三、 建筑工程建设指标48建筑工程投资一览表48第六章 产品方案与建设规划50一、 建设规模及主要建设内容50二、 产品规划方案及生产纲领50产品规划方案一览表50第七章 选址分析52一、 项目选址原则52二、 建设区基本情况52三、 强化就业优先和社会保障55四、 加快建设改革开放新高地56五、 项目选址综合评价59第八章 发展规划60一、 公司发展规划60二、 保障措施61第九章 法人治理64一、 股东权利及义务64二、 董事66三、 高级管理人员70四、

5、监事73第十章 SWOT分析75一、 优势分析（S）75二、 劣势分析（W）76三、 机会分析（O）77四、 威胁分析（T）77第十一章 组织机构及人力资源配置81一、 人力资源配置81劳动定员一览表81二、 员工技能培训81第十二章 环保分析83一、 编制依据83二、 建设期大气环境影响分析83三、 建设期水环境影响分析84四、 建设期固体废弃物环境影响分析84五、 建设期声环境影响分析85六、 环境管理分析85七、 结论87八、 建议87第十三章 项目规划进度89一、 项目进度安排89项目实施进度计划一览表89二、 项目实施保障措施90第十四章 劳动安全评价91一、 编制依据91二、 防范

6、措施94三、 预期效果评价96第十五章 项目节能分析98一、 项目节能概述98二、 能源消费种类和数量分析99能耗分析一览表99三、 项目节能措施100四、 节能综合评价101第十六章 投资计划102一、 投资估算的编制说明102二、 建设投资估算102建设投资估算表104三、 建设期利息104建设期利息估算表105四、 流动资金106流动资金估算表106五、 项目总投资107总投资及构成一览表107六、 资金筹措与投资计划108项目投资计划与资金筹措一览表109第十七章 经济效益分析111一、 经济评价财务测算111营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表112固定资产折

7、旧费估算表113无形资产和其他资产摊销估算表114利润及利润分配表116二、 项目盈利能力分析116项目投资现金流量表118三、 偿债能力分析119借款还本付息计划表120第十八章 风险风险及应对措施122一、 项目风险分析122二、 项目风险对策124第十九章 项目综合评价说明127第二十章 附表附件129建设投资估算表129建设期利息估算表129固定资产投资估算表130流动资金估算表131总投资及构成一览表132项目投资计划与资金筹措一览表133营业收入、税金及附加和增值税估算表134综合总成本费用估算表135固定资产折旧费估算表136无形资产和其他资产摊销估算表137利润及利润分配表13

8、7项目投资现金流量表138第一章 项目投资背景分析一、 薄膜沉积技术概况1、基本情况薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层，使之具备一定的特殊性能，广泛应用于光伏、半导体等领域的生产制造环节。2、薄膜沉积设备技术基本情况及对比薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）设备、化学气相沉积（CVD）设备和原子层沉积（ALD）设备。（1）PVD物理气相沉积（PVD）技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD镀膜技术主要分

9、为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。（2）CVD化学气相沉积（CVD）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在基体表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。（3）薄膜沉积设备技术之间对比PVD为物理过程，CVD为化学过程，两种具有显著的区别。ALD也是采用化学反应方式进行沉积，但反应原理和工艺方式与CVD存在显著区别，在CVD工艺过程中，化学蒸气不断地通入真空室内，而在ALD工艺过程中，不同的反应物（前驱体）是以气体脉冲的形

10、式交替送入反应室中的，使得在基底表面以单个原子层为单位一层一层地实现镀膜。相比于ALD技术，PVD技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备；CVD技术的重复性和台阶覆盖性比PVD略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。3、ALD、PVD、CVD技术应用差异PVD、CVD、ALD技术各有自己的技术特点和技术难点，经过多年的发展，亦分别发展出诸多应用领域。原子层沉积可以将物质以单原子层形式一层一层地镀在基底表面的方法。从原理上说，ALD是通过化学反应得到生成物，但在沉积反应原理、沉积反应条件的要求和沉积层的质量上都与传统的CVD不同，在传统C

11、VD工艺过程中，化学气体不断通入真空室内，因此该沉积过程是连续的，沉积薄膜的厚度与温度、压力、气体流量以及流动的均匀性、时间等多种因素有关；在ALD工艺过程中，则是将不同的反应前驱物以气体脉冲的形式交替送入反应室中，因此并非一个连续的工艺过程。ALD与CVD技术之间既存在明显的区分度，又在部分常规应用场景中存在可替代性。具体情况如下：在PERC电池背钝化Al2O3的沉积工艺中，ALD技术与PECVD技术存在互相替代的关系在2016年之前，PECVD在PERC电池背面钝化的应用被迅速推广，原因是在常规单晶电池制造工艺流程中，仅电池正面需要用PECVD镀SiNX，因此电池厂商选择PERC电池背面沉

12、积Al2O3的方法时，PECVD技术被优先用于Al2O3的沉积。而当时的ALD技术在国外主要应用于半导体领域，大多属于单片式反应器类型，这种反应器虽然镀膜精度高，但产能较低。近年来，晶圆制造的复杂度和工序量大大提升，以逻辑芯片为例，随着90nm以下制程的产线数量增多，尤其是28nm及以下工艺的产线对镀膜厚度和精度控制的要求更高，特别是引入多重曝光技术后，工序数和设备数均大幅提高；在存储芯片领域，主流制造工艺已由2DNAND发展为3DNAND结构，内部层数不断增高；元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构。由于ALD独特的技术优势，在每个周期中生长的薄膜厚度是一定的，拥有精确的膜厚控制和优越的台阶覆盖

13、率，因此能够较好的满足器件尺寸不断缩小和结构3D立体化对于薄膜沉积工序中薄膜的厚度、三维共形性等方面的更高要求。ALD技术愈发体现出举足轻重、不可替代的作用。二、 半导体设备行业1、半导体设备发展基本情况及特点半导体设备主要包括前道工艺设备和后道工艺设备，前道工艺设备为晶圆制造设备，后道工艺设备包括封装设备和测试设备，其他类型设备主要包括硅片生长设备等。其中晶圆前道工艺设备整体占比超过80%，是半导体设备行业最核心的组成部分。前道工艺主要包括七大步骤分别为热处理（氧化/扩散/退火）、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗与抛光、金属化。薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，匀胶工艺系把光刻

14、胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上的图形转移到光刻胶，刻蚀工艺系把光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。制造芯片的过程需要数十层光罩，集成电路制造主要是通过薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。因此，半导体制造过程可以理解为循环进行“加减法”。薄膜沉积作为“加法工艺”，与光刻和“减法工艺”刻蚀，共同构成了半导体制造过程中不可或缺的生产工艺。从晶圆厂的投资构成来看，刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。其中，薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的16%，占晶圆制造设备投资总额的21%。2、全球半导

15、体设备行业发展情况2013年以来，随着全球半导体行业整体景气度的提升，半导体设备市场也呈增长趋势。根据SEMI统计，全球半导体设备销售额从2013年的约318亿美元增长至2020年的712亿美元，年均复合增长率约为12.20%。由于半导体专用设备行业对制造工艺和标准要求严格，行业进入的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒较高，全球半导体设备市场集中度较高。目前全球前十大半导体设备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。根据VLSIResearch数据，2020年全球半导体设备前十名厂商合计实现销售收入708亿美元，市占率为76.63%。中国半导体设备厂商因发展起步较晚，目前尚未进入全球行业前列。3、中国

16、半导体设备行业发展概况（1）中国大陆成为全球第一大半导体设备需求市场从需求端分析，根据SEMI统计数据，2013-2020年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到27.59%，2020年在全球半导体市场大幅下跌的态势下依然逆势增长，在中国大陆的销售额达到187.2亿美元，发展势头良好。（2）顶尖设备仍依赖进口2020年中国大陆已经成为最大的半导体设备市场，但全球前十五名设备商中尚没有中国企业。中国半导体设备明显落后于美国、荷兰、日本等国。据中国电子专用设备工业协会数据统计，2020年国产半导体设备销售额约为213亿元，自给率约为17.5%，其中集成电路设备自给率仅有5%左右，技术含量最高的集

17、成电路前道设备则自给率更低，与不断增长的需求市场形成了较大的缺口，国产化率增长空间巨大。中国半导体设备大量依赖进口不仅严重影响我国半导体的产业发展，也对我国电子信息安全造成重大隐患，中国半导体设备国产替代、自主可控需求迫切。（3）半导体设备发展趋势向好集成电路尺寸及线宽的缩小、产品结构的立体化及生产工艺的复杂化等因素都对半导体设备行业提出了更高的要求和更多的需求。尺寸缩减趋势重点推动光刻设备的进步，3D结构化趋势重点推动刻蚀、薄膜设备的进步。两因素共同推动了集成电路整体结构的复杂化，进而推动化学机械研磨、清洗、离子注入、检测等其他设备的进步，并为半导体核心装备的发展提供了广阔的市场空间。除此之

18、外，功率器件、光电子等领域市场的发展和市场需求的提升，也将不断刺激半导体设备市场需求。受多个下游市场需求增长的共同驱动，半导体设备市场预计将持续保持增长势头，市场前景良好。2021年7月，SEMI发布半导体制造设备年中总预测，预测原始设备制造商全球半导体制造设备销售额相比2020年的711亿美元，2021年增长34%至953亿美元，2022年将创下超过1,000亿美元的新高。三、 积极融入新发展格局以成渝地区双城经济圈建设为战略牵引，探索融入新发展格局的有效路径，打造新时代推进西部大开发形成新格局的战略高地，推动加快形成优势互补、高质量发展的区域经济布局。（一）厚植支撑国内大循环的经济腹地优势

19、坚持扩大内需战略，贯通生产、分配、流通、消费各环节，打造内需市场腹地和优质供给基地。发挥人口和市场规模优势，顺应消费升级趋势，提升传统消费，培育新型消费，适当增加公共消费，持续提升居民收入水平和消费能力，营造放心舒心消费环境，打造国际消费中心城市和区域消费中心。发挥工业化和城镇化后发优势，推进强基础、增功能、惠民生、利长远的重大项目建设，扩大有效投资，激活民间投资，加快形成市场主导的投资内生增长机制。发挥科教和产业发展基础优势，深化供给侧结构性改革，实施质量强省战略和品牌创建行动计划，以创新驱动、高质量供给引领和创造新需求，实现上下游、产供销有效衔接，提升产业链供应链稳定性和竞争力。（二）提升

20、畅通国内国际双循环的门户枢纽功能融入“一带一路”建设和长江经济带发展，加快建设西部陆海新通道，打造内陆开放战略高地和参与国际竞争的新基地。强化国际高端要素集聚运筹功能，增强对外交往、中转服务、信息交换等核心能力，形成吸引国际商品和资源要素的巨大引力场。强化全国流通枢纽功能，统筹推进现代流通体系建设，建设国家物流枢纽、国家骨干冷链物流基地，培育一批具有较强竞争力的现代流通企业，打造全国物流高质量发展示范区。强化西向南向开放门户功能，加强东向北向战略通道建设，构建国际航线、国际班列、长江水运、陆海联运等多通道协同运行体系。（三）强化区域发展战略的支撑引领作用坚持把推动成渝地区双城经济圈建设作为融入

21、新发展格局的重大举措，牢固树立一盘棋思想和一体化发展理念，优化完善合作机制，以深化川渝合作为引领、以做强成都极核为带动、以扩大改革开放为动力、以促进全域发展为取向，不断增强经济承载和辐射带动功能、创新资源集聚转化功能、改革集成和开放门户功能、人口吸纳和综合服务功能，着力打造区域协作的高水平样板。（四）深化拓展“一干多支、五区协同”战略部署强化成都主干带动和极核引领，建设践行新发展理念的公园城市示范区，高质量建设“两区一城”，筑牢国际门户枢纽地位，推动城市内涵式、组团式发展，提升国家中心城市综合能级和国际竞争力，协同唱好“双城记”。加快推动成德眉资同城化发展，促进全省发展主干由成都拓展为成都都市

22、圈，发展都市圈卫星城市，建设都市圈功能协作基地，促进成都平原经济区内圈同城化、全域一体化。推动区域中心城市内生型发展，高起点规划建设省级新区，在环成都经济圈、川南和川东北经济区分别形成经济总量占比高、综合承载能力强、创新发展动能强、区域带动作用强的全省经济副中心。强化重要节点城市同成渝双核及区域中心城市的功能协作。推进万达开等川渝毗邻地区联动发展。增强攀西经济区战略资源创新开发能力，推进安宁河谷综合开发。提升川西北生态示范区特色文化旅游功能，大力发展生态经济。加快革命老区、民族地区发展。构建“一轴两翼三带”区域经济布局，引导重大基础设施、重大生产力和公共资源优化配置。实施主体功能区战略，强化国

23、土空间规划和用途管控，逐步形成城市化地区、农产品主产区、生态功能区三大空间格局，构建高质量发展的国土空间布局和支撑体系。四、 加快建设具有全国影响力的科技创新中心强化创新在现代化建设全局中的核心地位，坚持“四个面向”，深入实施创新驱动发展战略，大力推动科教兴川和人才强省，塑造更多依靠创新驱动、更多发挥先发优势的引领型发展。（一）建设高能级创新平台推进综合性国家科学中心建设，打造大科学装置等创新基础设施集群。高标准规划建设西部（成都）科学城，打造全国重要的创新驱动动力源和创新创业生态典范区。高水平建设中国（绵阳）科技城，打造成渝地区双城经济圈创新高地、科技创新先行示范区。建设自主创新示范区、高新

24、技术产业开发区、经济技术开发区等区域协同创新共同体，打造特色鲜明、功能突出的科技创新基地。聚焦空天科技、生命科学、先进核能、电子信息等优势领域加快组建天府实验室，建好国家实验室四川基地，争创国家实验室。（二）加强关键核心技术攻关和成果转化加强基础研究和应用基础研究，深化多学科交叉融合创新，强化战略性、前沿性和颠覆性技术创新。聚焦集成电路与新型显示、工业软件、航空与燃机、钒钛资源、轨道交通、智能装备、生命健康、生物育种等领域，实施重大科技专项。完善科技创新服务体系，健全开放联动的技术市场，优化科研机构技术转移转化机制，推进知识产权运营。加速科技成果大规模应用和迭代升级，培育具有核心竞争力的高新技

25、术产业集群。依托重大项目、重大工程，带动科技成果转化和关联产业发展。（三）培育建强科技创新主体强化企业创新主体地位，引导企业牵头组建产学研深度融合的创新联合体，培育创新型领军企业和知识产权密集型企业。加快建立现代科研院所制度，发挥高水平大学作用，支持国际知名大学来川合作办学，构建更加高效的科研体系。支持中央在川科研单位、外资科研机构融入我省创新发展。紧扣重点产业、重大项目、重点学科，培养引进战略科技人才、科技领军人才、青年科技人才、基础研究人才和高水平创新创业团队，深化拓展省校（院、企）战略合作，充分激发人才创新活力，建设西部创新人才高地。（四）改善科技创新生态深化全面创新改革试验，构建科技、

26、教育、产业、金融紧密融合的创新体系。加快科研院所改革，扩大科研自主权。开展科研项目“揭榜制”和科研经费“包干制”试点。全面推进职务科技成果权属改革。健全科技评价机制，完善科技奖励制度。加强科研诚信建设。完善财税金融支持科技创新的机制，促进全社会加大研发投入。加强知识产权保护。建设“一带一路”科技创新合作区和国际技术转移中心，深度融入国际科技创新网络。弘扬科学精神和工匠精神，加强科普工作，营造崇尚创新的社会氛围。五、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销

27、售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第二章

28、 项目建设单位说明一、 公司基本信息1、公司名称：xx有限责任公司2、法定代表人：黎xx3、注册资本：550万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2012-10-177、营业期限：2012-10-17至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事微米级薄膜沉积设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代

29、表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发

30、优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可

31、度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额12832.9010266.329624.67负

32、债总额7241.345793.075431.01股东权益合计5591.564473.254193.67公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入29192.9223354.3421894.69营业利润7277.045821.635457.78利润总额6812.985450.385109.73净利润5109.733985.593679.01归属于母公司所有者的净利润5109.733985.593679.01五、 核心人员介绍1、黎xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公

33、司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。2、胡xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。3、范xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。4、廖xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月

34、任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。5、彭xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。6、闫xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xx

35、x有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。7、丁xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。8、程xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。六、 经营宗旨自主创新，诚实守信，让世界分享中国创造的魅力。七、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提

36、升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整

37、体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第三章 行业发展分析一、 半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况（1）薄膜沉积设备市场规模持续增长根据MaximizeMarketResearch数据统计，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125亿美元扩大至2020年的172亿美元，年复合增长率为11.2%。预计至2025年市场规模可达340亿美元。（2）薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展，在部分领

38、域已有一定的进步，但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低，半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。（3）各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看，CVD设备占比56%，PVD设备市占率23%，其次是ALD及其他镀膜设备。在半导体制程进入28nm后，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，

39、以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。（1）ALD典型应用高介电常数金属栅极（HKMG）工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入65nm及之前，集成电路主要通过沉积SiO2

40、薄膜形成栅极介电质减少漏电；随着集成电路尺寸不断缩小，特别是制程28nm之后，传统的SiO2栅介质层物理厚度缩小至1纳米以下，达到了其物理极限，产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，可以解决上述问题，即采用高k材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层，TiN替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极，高k栅氧化层与金属栅极的组合使用，不仅能够大幅减小栅极漏电流，同时因高k栅氧化层的等效氧化物厚度较薄，还能有效减低栅极电容。ALD技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点，自从英特尔在45nm技术节点将应用于栅介

41、质薄膜制造工艺后，就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。（2）ALD典型应用电容和电极材料集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段，128层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至500层，技术工艺还会持续推进。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是80：1的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD技术最早应用于DRAM存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着3DNAND和DRAM相关技术

42、的不断发展，等效氧化物厚度进一步下降，3DNAND和DRAM电容呈现高深宽比结构，在这种情况下，高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才可以满足。除此之外，新型存储器也在快速发展，与闪存和DRAM相比，新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器（FeRAM）为例，其由电容和场效应管构成，其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜，该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求，ALD技术可以较好地满足技术指标。（3）ALD典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路

43、的工艺。铜互连为金属互联的一种，而在铜互连中采用ALD的主要驱动力在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展，元件集成度提高、几何构架收缩，导致深宽比的增加，ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层，阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散，且作为粘附层促进互连铜的生长，给铜沉积留出最大的空间。3、半导体薄膜沉积设备发展趋势（1）半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与3DNAND存储

44、技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。（2）进口替代空间巨大近年来，在国家政策的拉动和支持下，我国半导体产业快速发展，整体实力显著提升，设计、制造能力与国际先进水平不断缩小，但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造2025对于半导体设备国产化提出明确要求：在2020年之前，90-32nm工艺设备国产化率达到50%，实现90nm光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前，20-14nm工艺设备

45、国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，国家集成电路基金首期募资1,387亿元，二期募资超过2,000亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机，而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。（3）薄膜要求提高衍生设备需求在晶圆制造过程中，薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂，薄膜性能参数精细化要求也随之提高，如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性

46、、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高，台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的ALD设备因此被引入产线。（4）先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在3nmFinFET工艺产线，则超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前，半导体行业

47、的薄膜沉积设备中，PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化，而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时，与PVD设备和CVD设备相比，ALD设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国产化进程加快的背景下，国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。二、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业发展面临的机遇（1）清洁能源发展以及光伏产业降本提效带动行业持续发展过去对传统能源如煤炭、石油、天然气等化石能源的过度依赖已导致严重的生态环境问题，使得国际社会对保障能源安全、保护生态环境、应对气候变化等问题日益重视。而太阳能作为最重要的可再生能源之一，具有资源普遍可及、便于应用、成本低等优势，是替代化石能源的主力能源之一，已经成为世界范围内应对气候变化的共同选择。近年来，全球多个国家陆续出