池州薄膜设备项目实施方案.docx

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1、泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案池州薄膜设备项目池州薄膜设备项目实施方案实施方案xxxxxx 有限公司有限公司泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案目录目录第一章第一章 行业、市场分析行业、市场分析.8一、光伏行业概览.8二、半导体薄膜沉积设备的发展情况.9三、半导体设备行业.16第二章第二章 项目投资背景分析项目投资背景分析.20一、行业发展面临的机遇与挑战.20二、薄膜沉积技术概况.22三、推进开发区高质量发展.25第三章第三章 项目概况项目概况.27一、项目概述.27二、项目提出的理由.29三、项目总投资及资金构成.30四、资金筹措方案.30五、项目预期经济效益规划目标.31六、项目建设进

2、度规划.31七、环境影响.31八、报告编制依据和原则.32九、研究范围.33十、研究结论.34十一、主要经济指标一览表.34主要经济指标一览表.34泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案第四章第四章 建设规模与产品方案建设规模与产品方案.37一、建设规模及主要建设内容.37二、产品规划方案及生产纲领.37产品规划方案一览表.37第五章第五章 项目选址可行性分析项目选址可行性分析.39一、项目选址原则.39二、建设区基本情况.39三、实施产业强市战略，加快发展创新型现代产业体系.42四、项目选址综合评价.44第六章第六章 发展规划分析发展规划分析.46一、公司发展规划.46二、保障措施.47第七章第

3、七章 法人治理法人治理.50一、股东权利及义务.50二、董事.54三、高级管理人员.60四、监事.62第八章第八章 SWOT 分析说明分析说明.65一、优势分析（S）.65二、劣势分析（W）.66三、机会分析（O）.67泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案四、威胁分析（T）.68第九章第九章 人力资源配置人力资源配置.72一、人力资源配置.72劳动定员一览表.72二、员工技能培训.72第十章第十章 工艺技术方案分析工艺技术方案分析.74一、企业技术研发分析.74二、项目技术工艺分析.76三、质量管理.78四、设备选型方案.79主要设备购置一览表.79第十一章第十一章 劳动安全劳动安全.81一、编

4、制依据.81二、防范措施.82三、预期效果评价.88第十二章第十二章 原辅材料成品管理原辅材料成品管理.89一、项目建设期原辅材料供应情况.89二、项目运营期原辅材料供应及质量管理.89第十三章第十三章 项目环境保护项目环境保护.91一、环境保护综述.91二、建设期大气环境影响分析.91泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案三、建设期水环境影响分析.93四、建设期固体废弃物环境影响分析.93五、建设期声环境影响分析.94六、环境影响综合评价.95第十四章第十四章 投资方案分析投资方案分析.96一、投资估算的依据和说明.96二、建设投资估算.97建设投资估算表.99三、建设期利息.99建设期利息估算

5、表.99四、流动资金.101流动资金估算表.101五、总投资.102总投资及构成一览表.102六、资金筹措与投资计划.103项目投资计划与资金筹措一览表.104第十五章第十五章 项目经济效益项目经济效益.105一、基本假设及基础参数选取.105二、经济评价财务测算.105营业收入、税金及附加和增值税估算表.105综合总成本费用估算表.107利润及利润分配表.109三、项目盈利能力分析.110泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案项目投资现金流量表.111四、财务生存能力分析.113五、偿债能力分析.113借款还本付息计划表.114六、经济评价结论.115第十六章第十六章 招标方案招标方案.116一

6、、项目招标依据.116二、项目招标范围.116三、招标要求.116四、招标组织方式.117五、招标信息发布.120第十七章第十七章 项目综合评价说明项目综合评价说明.121第十八章第十八章 附表附表.122营业收入、税金及附加和增值税估算表.122综合总成本费用估算表.122固定资产折旧费估算表.123无形资产和其他资产摊销估算表.124利润及利润分配表.125项目投资现金流量表.126借款还本付息计划表.127建设投资估算表.128建设投资估算表.128泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案建设期利息估算表.129固定资产投资估算表.130流动资金估算表.131总投资及构成一览表.132项目投资

7、计划与资金筹措一览表.133本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案第一章第一章 行业、市场分析行业、市场分析一、光伏行业概览光伏行业概览1、光伏产业链情况光伏产业链从上到下依次为：晶体硅料的生产和硅棒、硅锭、硅片的加工制作；光伏电池片的生产加工；光伏电池组件的制作；光伏应用（包括电站项目开发、电站系统的集成和运营）。2、光伏行业发展概况2010 年以来，全球太阳能光伏产业进入了高速发展期，太阳能光伏年装机容量快速增长，上游相关行业也得

8、到迅速发展。2011 年至2020 年的 10 年间，全球年度光伏新增装机容量和累计装机容量大幅增长，其中，新增装机容量由 2011 年的 32.2GW 增加至 2020 年的126.84GW，增长约 4 倍。IRENA 根据巴黎协定制定的目标进行测算，从现在起至 2050年，与能源有关的二氧化碳排放量需要每年减少 3.5%左右，并在此后持续减少。因此，全球能源格局的深刻变革对于实现该协定的气候目标至关重要。随着清洁能源的使用和迅速发展，太阳能和风能将引领全球电力行业的转型，取代传统的化石燃料发电将成为可能。泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案根据 IRENA 的预测，未来，风力发电将占总电力需

9、求的三分之一以上，而太阳能光伏发电将紧随其后，占总电力需求的 25%，这意味着在未来十年内，太阳能光伏发电的全球总容量将从 2018 年的 480GW，到 2030 年达到 2,840GW，到 2050 年达到 8,519GW。按年增长率计算，到 2030 年，太阳能光伏发电的年新增容量较 2018 年水平需要增加近 3 倍，达到 270GW/年，到 2050 年，需要增加 4 倍，达到 372GW/年。到 2050 年，太阳能光伏将有助于减少 4.9Gt 的二氧化碳年排放量，占实现巴黎气候目标所需能源部门总减排量的 21%。我国太阳能光伏产业起步相对国外较晚，但受惠于全球光伏行业的高速发展，

10、凭借国家政策的大力支持与人力资源、成本优势，发展极为迅速。截至2020 年底，我国光伏发电装机量达 253GW，同比增长 48.2%，连续 6 年位居全球首位；2020 年新增光伏发电装机 48.2GW，增幅达 60.1%，连续 8 年位居世界第一。2020 年 9 月中国提出了“努力争取 2030 年前实现碳达峰，2060年前实现碳中和”的应对气候变化新目标。根据中国光伏行业协会预测，在“碳达峰、碳中和”目标下，“十四五”期间我国光伏市场将迎来市场化建设高峰，预计国内年均光伏装机新增规模在 70-90GW。二、半导体薄膜沉积设备的发展情况半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业

11、发展情况泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案（1）薄膜沉积设备市场规模持续增长根据 MaximizeMarketResearch 数据统计，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从 2017 年的 125 亿美元扩大至 2020 年的 172 亿美元，年复合增长率为 11.2%。预计至 2025 年市场规模可达 340 亿美元。（2）薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展，在部分领域已有一定的进步，但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低，半导体薄膜沉积设备行业基本由 AMAT、ASM、Lam、TEL 等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起，

12、我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由 2016 年的 5%提升至 2020 年的 8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。（3）各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看，CVD 设备占比 56%，PVD 设备市占率 23%，其次是 ALD 及其他镀膜设备。在半导体制程进入28nm 后，由于器件结构不断缩小且更为 3D 立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD 技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案厚控制等特点，技术优势愈加明显，

13、在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD 技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD 技术在高 k 材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。（1）ALD 典型应用高介电常数金属栅极（HKMG）工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入 65nm 及之前，集成电路主要通过沉积 SiO2 薄膜形成栅极介电质减少漏电；随着集成电路尺寸不断缩小，特别是制程 28nm 之后，传统的 SiO2 栅介质层物理厚度缩小

14、至 1 纳米以下，达到了其物理极限，产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，可以解决上述问题，即采用高 k 材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层，TiN 替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极，高 k 栅氧化层与金属栅极的组合使用，不仅能够大幅减小栅极漏电流，同时因高 k 栅氧化层的等效氧化物厚度较薄，还能有效减低栅极电容。泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案ALD 技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点，自从英特尔在 45nm 技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后，就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制

15、备。（2）ALD 典型应用电容和电极材料集成电路 2D 存储器件的线宽已接近物理极限，NAND 闪存已进入3D 时代。目前 64 层 3DNAND 闪存已进入量产阶段，128 层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至 500 层，技术工艺还会持续推进。3DNAND 制造工艺中，增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是 80：1 的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD 技术最早应用于 DRAM 存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着 3DNAND 和 DRAM 相关技术的不断发展

16、，等效氧化物厚度进一步下降，3DNAND 和 DRAM 电容呈现高深宽比结构，在这种情况下，高k 电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的 ALD 技术才可以满足。除此之外，新型存储器也在快速发展，与闪存和 DRAM 相比，新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器（FeRAM）为例，其由电容和场效应管构成，其中电容为在两个泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜，该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求，ALD 技术可以较好地满足技术指标。（3）ALD 典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜，并通过光刻技术形成布

17、线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种，而在铜互连中采用 ALD 的主要驱动力在于随着制程进步、TSV 等先进封装工艺的发展，元件集成度提高、几何构架收缩，导致深宽比的增加，ALD 技术能够沉积尽可能薄的阻挡层，阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散，且作为粘附层促进互连铜的生长，给铜沉积留出最大的空间。3、半导体薄膜沉积设备发展趋势（1）半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来

18、的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与3DNAND 存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch 预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案在 2025 年将从 2020 年的 172 亿美元扩大至 340 亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。（2）进口替代空间巨大近年来，在国家政策的拉动和支持下，我国半导体产业快速发展，整体实力显著提升，设计、制造能力与国际先进水平不断缩小，但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造 2025对于半导体设备国产化提出明确要求：在 2020 年之前，90-32nm 工艺设备国产

19、化率达到 50%，实现 90nm 光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在 2025 年之前，20-14nm 工艺设备国产化率达到 30%，实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，国家集成电路基金首期募资 1,387 亿元，二期募资超过 2,000 亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机，而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。（3）薄膜要求提高衍生设备需求在晶圆制造过程中，薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提

20、高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案越来越窄、结构越来越复杂，薄膜性能参数精细化要求也随之提高，如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高，台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的 ALD 设备因此被引入产线。（4）先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在 90nmCMOS 工艺大约需要 40 道薄膜沉积工序。在3nmFinFET 工艺产线，则超过 1

21、00 道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6 种增加到近 20 种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，PVD 设备与 CVD 设备均已初步实现国产化，而 ALD 设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向 14 纳米甚至更小的方向升级时，与 PVD 设备和 CVD 设备相比，ALD 设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国泓域咨询/池州薄膜设备项目实

22、施方案产化进程加快的背景下，国产半导体 ALD 设备迎来前所未有的发展契机。三、半导体设备行业半导体设备行业1、半导体设备发展基本情况及特点半导体设备主要包括前道工艺设备和后道工艺设备，前道工艺设备为晶圆制造设备，后道工艺设备包括封装设备和测试设备，其他类型设备主要包括硅片生长设备等。其中晶圆前道工艺设备整体占比超过 80%，是半导体设备行业最核心的组成部分。前道工艺主要包括七大步骤分别为热处理（氧化/扩散/退火）、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗与抛光、金属化。薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，匀胶工艺系把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上的图形转移到光刻胶，刻蚀工艺

23、系把光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。制造芯片的过程需要数十层光罩，集成电路制造主要是通过薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。因此，半导体制造过程可以理解为循环进行“加减法”。薄膜沉积作为“加法工艺”，与光刻和“减法工艺”刻蚀，共同构成了半导体制造过程中不可或缺的生产工艺。泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案从晶圆厂的投资构成来看，刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。其中，薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的 16%，占晶圆制造设备投资总额的 21%。2、全球半导体设备行业发展情况2013 年

24、以来，随着全球半导体行业整体景气度的提升，半导体设备市场也呈增长趋势。根据 SEMI 统计，全球半导体设备销售额从 2013年的约 318 亿美元增长至 2020 年的 712 亿美元，年均复合增长率约为12.20%。由于半导体专用设备行业对制造工艺和标准要求严格，行业进入的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒较高，全球半导体设备市场集中度较高。目前全球前十大半导体设备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。根据 VLSIResearch 数据，2020 年全球半导体设备前十名厂商合计实现销售收入 708 亿美元，市占率为 76.63%。中国半导体设备厂商因发展起步较晚，目前尚未进入全球行业前列。3、中

25、国半导体设备行业发展概况（1）中国大陆成为全球第一大半导体设备需求市场从需求端分析，根据 SEMI 统计数据，2013-2020 年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到 27.59%，2020 年在全球半导体市场大泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案幅下跌的态势下依然逆势增长，在中国大陆的销售额达到 187.2 亿美元，发展势头良好。（2）顶尖设备仍依赖进口2020 年中国大陆已经成为最大的半导体设备市场，但全球前十五名设备商中尚没有中国企业。中国半导体设备明显落后于美国、荷兰、日本等国。据中国电子专用设备工业协会数据统计，2020 年国产半导体设备销售额约为 213 亿元，自给率约为 17

26、.5%，其中集成电路设备自给率仅有 5%左右，技术含量最高的集成电路前道设备则自给率更低，与不断增长的需求市场形成了较大的缺口，国产化率增长空间巨大。中国半导体设备大量依赖进口不仅严重影响我国半导体的产业发展，也对我国电子信息安全造成重大隐患，中国半导体设备国产替代、自主可控需求迫切。（3）半导体设备发展趋势向好集成电路尺寸及线宽的缩小、产品结构的立体化及生产工艺的复杂化等因素都对半导体设备行业提出了更高的要求和更多的需求。尺寸缩减趋势重点推动光刻设备的进步，3D 结构化趋势重点推动刻蚀、薄膜设备的进步。两因素共同推动了集成电路整体结构的复杂化，进而推动化学机械研磨、清洗、离子注入、检测等其他

27、设备的进步，并为半导体核心装备的发展提供了广阔的市场空间。除此之外，功率器泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案件、光电子等领域市场的发展和市场需求的提升，也将不断刺激半导体设备市场需求。受多个下游市场需求增长的共同驱动，半导体设备市场预计将持续保持增长势头，市场前景良好。2021 年 7 月，SEMI 发布半导体制造设备年中总预测，预测原始设备制造商全球半导体制造设备销售额相比 2020 年的 711 亿美元，2021 年增长 34%至 953 亿美元，2022 年将创下超过 1,000 亿美元的新高。泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案第二章第二章 项目投资背景分析项目投资背景分析一、行业发展面

28、临的机遇与挑战行业发展面临的机遇与挑战1、行业发展面临的机遇（1）清洁能源发展以及光伏产业降本提效带动行业持续发展过去对传统能源如煤炭、石油、天然气等化石能源的过度依赖已导致严重的生态环境问题，使得国际社会对保障能源安全、保护生态环境、应对气候变化等问题日益重视。而太阳能作为最重要的可再生能源之一，具有资源普遍可及、便于应用、成本低等优势，是替代化石能源的主力能源之一，已经成为世界范围内应对气候变化的共同选择。近年来，全球多个国家陆续出台了一系列鼓励和扶持太阳能光伏产业发展的政策，为各国光伏产业的健康、持续发展创造了良好的政策环境。中国在 2020 年 9 月提出了“二氧化碳排放力争于 203

29、0 年前达到峰值，努力争取 2060 年前实现碳中和”的目标；2021 年 3 月 12日发布的国民经济第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要指出，推进能源革命，建设清洁低碳、安全高效的能源体系，提高能源供给保障能力，加快发展非化石能源，坚持集中式和分布式并举，大力提升风电、光伏发电规模。泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案通过数十年的持续研发，光伏产业主要原材料的价格已经大幅下降，技术不断迭代升级，光电转换效率稳步提升，与之相对的，光伏领域的专用设备行业技术也将大幅提升。随着行业技术的持续进步与生产成本的不断下降，光伏发电的综合成本有望维持降低趋势。这将有助于光伏发电的大规模普及应用，进

30、而使得高性能光伏专用设备的市场规模呈现持续扩张态势。（2）半导体产能转移以及国产替代背景使得国内设备厂商面临发展机遇中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，随着国际产能不断向中国转移，半导体企业纷纷在中国投资建厂，国内半导体产业的规模不断扩大，设备需求将不断增长。持续的产能转移不仅带动了国内半导体整体产业规模和技术水平的提高，为半导体专用设备制造业提供了巨大的市场空间，也促进了国内半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为中国半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。在半导体领域，元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构，部分核心工艺通过传统方式难以实现，ALD

31、设备在该类应用中已通过国外大型集成电路晶圆制造厂商的量产验证。与此同时，从中美贸易战开始，限制了通过国际采购获得先进设备渠道。在此背景下，我国半导体设泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案备提升国产化率的任务迫在眉睫，随着国内核心晶圆厂商规模扩大和工艺提升，国内设备厂商面临发展机遇。2、行业发展面临的挑战（1）高端技术和人才缺乏光伏、半导体等专用设备属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求。由于中国研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。随着市场的日臻成熟与下游需求的推动，专业人才缺乏的矛盾将会更加突出。（2）国产核

32、心零部件配套能力薄弱国产高端专用设备总体起步较晚，对零部件市场拉动时间较短，高端专用设备零部件配套能力较弱，影响专用设备的优化周期和制造成本。二、薄膜沉积技术概况薄膜沉积技术概况1、基本情况薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层，使之具备一定的特殊性能，广泛应用于光伏、半导体等领域的生产制造环节。2、薄膜沉积设备技术基本情况及对比泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）设备、化学气相沉积（CVD）设备和原子层沉积（ALD）设备。（1）PVD物理气相沉积（PVD）技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表

33、面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD 镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。（2）CVD化学气相沉积（CVD）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在基体表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。（3）薄膜沉积设备技术之间对比PVD 为物理过程，CVD 为化学过程，两种具有显著的区别。ALD 也是采用化学反应方式进行沉积，但

34、反应原理和工艺方式与 CVD 存在显著区别，在 CVD 工艺过程中，化学蒸气不断地通入真空室内，而在 ALD工艺过程中，不同的反应物（前驱体）是以气体脉冲的形式交替送入泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案反应室中的，使得在基底表面以单个原子层为单位一层一层地实现镀膜。相比于 ALD 技术，PVD 技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备；CVD 技术的重复性和台阶覆盖性比 PVD 略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。3、ALD、PVD、CVD 技术应用差异PVD、CVD、ALD 技术各有自己的技术特点和技术难点，经过多年的发展，亦分别发

35、展出诸多应用领域。原子层沉积可以将物质以单原子层形式一层一层地镀在基底表面的方法。从原理上说，ALD 是通过化学反应得到生成物，但在沉积反应原理、沉积反应条件的要求和沉积层的质量上都与传统的 CVD 不同，在传统 CVD 工艺过程中，化学气体不断通入真空室内，因此该沉积过程是连续的，沉积薄膜的厚度与温度、压力、气体流量以及流动的均匀性、时间等多种因素有关；在 ALD工艺过程中，则是将不同的反应前驱物以气体脉冲的形式交替送入反应室中，因此并非一个连续的工艺过程。ALD 与 CVD 技术之间既存在明显的区分度，又在部分常规应用场景中存在可替代性。具体情况如下：在 PERC 电池背钝化 Al2O3

36、的沉积工艺中，ALD 技术与 PECVD 技术存在互相替代的关系在 2016 年之前，PECVD 在 PERC 电池背面钝化的泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案应用被迅速推广，原因是在常规单晶电池制造工艺流程中，仅电池正面需要用 PECVD 镀 SiNX，因此电池厂商选择 PERC 电池背面沉积 Al2O3的方法时，PECVD 技术被优先用于 Al2O3 的沉积。而当时的 ALD 技术在国外主要应用于半导体领域，大多属于单片式反应器类型，这种反应器虽然镀膜精度高，但产能较低。近年来，晶圆制造的复杂度和工序量大大提升，以逻辑芯片为例，随着 90nm 以下制程的产线数量增多，尤其是 28nm 及以

37、下工艺的产线对镀膜厚度和精度控制的要求更高，特别是引入多重曝光技术后，工序数和设备数均大幅提高；在存储芯片领域，主流制造工艺已由 2DNAND 发展为 3DNAND 结构，内部层数不断增高；元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构。由于 ALD 独特的技术优势，在每个周期中生长的薄膜厚度是一定的，拥有精确的膜厚控制和优越的台阶覆盖率，因此能够较好的满足器件尺寸不断缩小和结构 3D 立体化对于薄膜沉积工序中薄膜的厚度、三维共形性等方面的更高要求。ALD 技术愈发体现出举足轻重、不可替代的作用。三、推进开发区高质量发展推进开发区高质量发展大力推进皖江城市带承接产业转移示范区建设，强化开发区主战场主引擎主

38、阵地作用，全市开发区经营（销售）收入达到 2000 亿元、泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案规模以上工业产值达到 1700 亿元、税收收入突破 100 亿元，上市公司达到 10 家左右，力争 1 个开发区稳居全省开发区前 30 强、2 个开发区在全省开发区考核中位居前 50 名。坚持把加快江南新兴产业集中区建设作为开发园区高质量发展的“一号工程”，重点承接布局数字经济、机械电子、新型材料、大健康产业，实现经营（销售）收入 500亿元，税收收入突破 20 亿元，主要经济指标增幅位居全省开发区前列。市经开区重点承接布局半导体、高端装备制造、现代服务业，提升省级半导体产业基地能级，实现经营（销售）收

39、入 400 亿元，税收收入突破 17 亿元。池州高新区重点承接布局智能装备制造、装配式建筑、新一代信息技术和新材料产业，力争打造千亿园区。东至经开区重点承接布局化学制药、生物医药和化工新材料产业，推进与香隅镇区产城联动。大渡口经开区（石台经开区）重点承接布局绿色食品加工、机械制造、现代服务业，优化功能布局，推进现代物流产业园建设。青阳经开区重点承接布局机电装备、金属和非金属材料产业，增强生产性和生活性服务功能，建设成为与县城有机融合的新城区。全面推进开发区改革创新，实施“标准地”制度和“亩均效益”评价，探索实行全员聘任制和绩效工资制，激发开发区发展活力。泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案第三章

40、第三章 项目概况项目概况一、项目概述项目概述（一）项目基本情况（一）项目基本情况1、项目名称：池州薄膜设备项目2、承办单位名称：xxx 有限公司3、项目性质：新建4、项目建设地点：xx（以选址意见书为准）5、项目联系人：孟 xx（二）主办单位基本情况（二）主办单位基本情况公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主

41、线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了

42、工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。（三）项目建设选址及用地规模（三）项目建设选址及用地规模泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案本期项目选址位于 xx（以选址意见书为准），占地面积约 99.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案（四）

43、产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xxx 套薄膜设备/年。二、项目提出的理由项目提出的理由Al-BSF 电池是指在晶硅太阳能电池 P-N 结制备完成后，通过在硅片的背光面沉积一层铝膜，制备 P+层，从而形成铝背场。其既可以减少少数载流子在背面复合的概率，同时也可以作为背面的金属电极，因此能够提升太阳能电池的转换效率。到二三五年，池州经济实力、科技实力、综合实力跃上新台阶，经济总量和城乡居民收入较二二年翻一番以上，人均地区生产总值达到全国平均水平、与长三角城市平均水平差距持续缩小。基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化，基本建成现代产业体系、现代城镇体系、现代基础设

44、施体系；基本实现治理体系和治理能力现代化，基本建成法治池州、法治政府、法治社会；国民素质和社会文明程度达到新高度，教育、卫生等保障水平全面提升，文化软实力显著增强；广泛形成绿色生产生活方式，生态环境质量保持全泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案省前列，全面绿色转型走出新路子，实现绿水青山和金山银山的有机统一；形成对外开放新格局，建成具有较强影响力的承接长三角产业转移示范区和长三角重要旅游目的地、重要休闲康养地、绿色有机农产品生产供应地；常住人口城镇化率达到百分之七十，人民基本生活保障水平与长三角平均水平大体相当，基本公共服务实现均等化，城乡区域发展差距显著缩小；平安池州建设达到更高水平，建成人人

45、有责、人人尽责、人人享有的社会治理共同体；人民生活更加美好，人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。三、项目总投资及资金构成项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资 40079.23 万元，其中：建设投资 32325.32万元，占项目总投资的 80.65%；建设期利息 446.57 万元，占项目总投资的 1.11%；流动资金 7307.34 万元，占项目总投资的 18.23%。四、资金筹措方案资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资 40079.23 万元，根据资金筹措方案，xxx 有限公司

46、计划自筹资金（资本金）21851.93 万元。（二）申请银行借款方案（二）申请银行借款方案泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额 18227.30 万元。五、项目预期经济效益规划目标项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：65600.00 万元。2、年综合总成本费用（TC）：52835.71 万元。3、项目达产年净利润（NP）：9327.86 万元。4、财务内部收益率（FIRR）：18.29%。5、全部投资回收期（Pt）：5.87 年（含建设期 12 个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：26442.88 万元（产值）。六、项目建

47、设进度规划项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需 12 个月的时间。七、环境影响环境影响项目符合国家和地方产业政策，选址布局合理，拟采取的各项环境保护措施具有经济和技术可行性。建设单位在严格执行项目环境保护“三同时制度”、认真落实相应的环境保护防治措施后，项目的各类污染物均能做到达标排放或者妥善处置，对外部环境影响较小，故项目建设具有环境可行性。泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案八、报告编制依据和原则报告编制依据和原则（一）编制依据（一）编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位

48、可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。（二）编制原则（二）编制原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合

49、理”的原则，积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。九、研究范围研究范围1、项目提出的背景及建设必要性；2、市场需求预测；3、建设规模及产品方案；4、建设地点与建

50、设条性；5、工程技术方案；6、公用工程及辅助设施方案；7、环境保护、安全防护及节能；泓域咨询/池州薄膜设备项目实施方案8、企业组织机构及劳动定员；9、建设实施与工程进度安排；10、投资估算及资金筹措；11、经济评价。十、研究结论研究结论本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。十一、主要经济指标一览表主要经济指标一览表主要经济指标一览表主要经济指标一览表