眉山射频前端芯片项目招商引资方案.docx

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1、泓域咨询/眉山射频前端芯片项目招商引资方案目录第一章 项目背景分析7一、 集成电路设计行业基本情况7二、 射频前端行业基本情况7三、 推进重点领域改革10第二章 绪论12一、 项目名称及投资人12二、 编制原则12三、 编制依据13四、 编制范围及内容13五、 项目建设背景13六、 结论分析14主要经济指标一览表16第三章 市场预测18一、 5G时代将为射频前端带来新的技术挑战18二、 行业面临的机遇与挑战21第四章 建筑工程方案分析26一、 项目工程设计总体要求26二、 建设方案26三、 建筑工程建设指标27建筑工程投资一览表27第五章 选址方案29一、 项目选址原则29二、 建设区基本情况

2、29三、 强化创新核心地位，建设成都都市圈科创新高地32四、 打造一流营商环境34五、 项目选址综合评价34第六章 发展规划分析36一、 公司发展规划36二、 保障措施40第七章 运营管理43一、 公司经营宗旨43二、 公司的目标、主要职责43三、 各部门职责及权限44四、 财务会计制度47第八章 组织机构及人力资源55一、 人力资源配置55劳动定员一览表55二、 员工技能培训55第九章 项目环境影响分析58一、 编制依据58二、 环境影响合理性分析58三、 建设期大气环境影响分析59四、 建设期水环境影响分析60五、 建设期固体废弃物环境影响分析61六、 建设期声环境影响分析61七、 环境管

3、理分析62八、 结论及建议65第十章 建设进度分析66一、 项目进度安排66项目实施进度计划一览表66二、 项目实施保障措施67第十一章 投资方案68一、 编制说明68二、 建设投资68建筑工程投资一览表69主要设备购置一览表70建设投资估算表71三、 建设期利息72建设期利息估算表72固定资产投资估算表73四、 流动资金74流动资金估算表75五、 项目总投资76总投资及构成一览表76六、 资金筹措与投资计划77项目投资计划与资金筹措一览表77第十二章 项目经济效益79一、 基本假设及基础参数选取79二、 经济评价财务测算79营业收入、税金及附加和增值税估算表79综合总成本费用估算表81利润及

4、利润分配表83三、 项目盈利能力分析83项目投资现金流量表85四、 财务生存能力分析86五、 偿债能力分析87借款还本付息计划表88六、 经济评价结论88第十三章 项目招投标方案90一、 项目招标依据90二、 项目招标范围90三、 招标要求90四、 招标组织方式91五、 招标信息发布94第十四章 风险防范95一、 项目风险分析95二、 项目风险对策97第十五章 项目总结99第十六章 附表附录101建设投资估算表101建设期利息估算表101固定资产投资估算表102流动资金估算表103总投资及构成一览表104项目投资计划与资金筹措一览表105营业收入、税金及附加和增值税估算表106综合总成本费用估

5、算表107固定资产折旧费估算表108无形资产和其他资产摊销估算表109利润及利润分配表109项目投资现金流量表110报告说明中国集成电路设计行业的销售额呈现不断上升趋势，其占总销售额的比例亦呈现上升趋势，中国集成电路设计领域的增长势头明显。中国作为集成电路领域的后发国家，借助全球化晶圆代工制造产能，大力发展集成电路设计领域，因此集成电路设计领域占比相对较高。根据谨慎财务估算，项目总投资31374.33万元，其中：建设投资26414.25万元，占项目总投资的84.19%；建设期利息304.10万元，占项目总投资的0.97%；流动资金4655.98万元，占项目总投资的14.84%。项目正常运营每年

6、营业收入54400.00万元，综合总成本费用46327.18万元，净利润5875.60万元，财务内部收益率12.47%，财务净现值-3051.24万元，全部投资回收期6.72年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模

7、型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目背景分析一、 集成电路设计行业基本情况随着半导体工艺制程的不断演进，晶圆制造产能的投资规模不断扩大，推动半导体产业出现芯片设计公司（Fabless）加晶圆代工厂（Foundry）的分工模式。相比传统的IDM模式，采用分工模式大幅降低了半导体行业的进入门槛，优势互补，促进了半导体产业的繁荣，尤其是在对于制程较为先进的集成电路领域，分工模式尤为重要。根据ICinsights发布的2021McCleanReport，2020年全球Fabless集成电路公司的销售收入合计达到约1,300亿美元，占集成电路总销售额的比例为32.9%，创历史新高。中国集

8、成电路设计行业的销售额呈现不断上升趋势，其占总销售额的比例亦呈现上升趋势，中国集成电路设计领域的增长势头明显。中国作为集成电路领域的后发国家，借助全球化晶圆代工制造产能，大力发展集成电路设计领域，因此集成电路设计领域占比相对较高。二、 射频前端行业基本情况移动通信主要包含无线接入网、传输网和核心网构成，无线接入网负责终端与基站的无线电磁波的信号通信，传输网和核心网则通过有线介质做信息的传输和处理，以完成通信。无线通信模块包括了天线、射频前端、射频收发机和基带信号处理器四个部分，其中射频前端是无线通信设备的核心组成之一，包含的器件可分为功率放大器（PA）、低频噪声放大器（LNA）、滤波器（Fil

9、ters）、开关（Switches）和调谐器（AntennaTuner）等类别。射频前端芯片属于集成电路中的模拟芯片，主要处理高频射频模拟信号，在模拟芯片中属于进入门槛较高、设计难度较大的细分领域。而射频前端芯片的PA芯片直接决定了无线通信信号的强弱、稳定性、功耗等因素，直接影响了终端用户的实际体验，因此其在射频前端芯片中处于较为核心的地位。1、全球射频前端行业发展简介伴随着通信制式从2G向5G演进，无线通信的频率越来越高，传输速度、网络容量不断提升，通信的内容不仅包含语音，还可以包含视频、图片等数据，通信功能不断增强。4G通信采用了正交频分复用、智能天线与多入多出天线、载波聚合等技术，5G通

10、信除关注通信传输速率外，还致力于解决超可靠低时延通信、大规模机械类通信等方面的连接需求，前沿通信技术的不断应用进一步推动了无线通信的连接效率。射频前端行业受下游智能手机等无线连接终端需求的增长而增长，全球智能手机行业规模从2011年出货5.21亿部增长到2021年出货13.92亿部，增长较快；另一方面，随着通信制式的不断演进，智能手机需同时兼容2G、3G、4G和5G，技术难度不断提升，推动射频前端器件的用量和价值不断提升。随着5G通信的快速普及，根据Yole预测，全球移动设备的射频前端市场规模将从2019年的124.04亿美元增长到2026年的216.70亿美元，年均复合增长率约为8.3%，高

11、于半导体行业的平均增长速度。2、中国射频前端发展情况中国系全球最重要的射频前端市场。在需求端，自2012来中国已经成为全球最大的智能手机消费市场及存量市场，且随着消费水平的提升，智能手机不断从中低端向更高端的产品线延伸。在供给端，一方面，随着中国本土智能手机品牌崛起，涌现了华为、荣耀、小米、OPPO、vivo、传音等手机品牌，其产品畅销海内外，市场份额排名靠前；另一方面，中国的智能手机制造产业链完善，IDH（IndependentDesignHouse，独立设计公司）、OEM（Originalequipementmanufacturing，原始设备制造商）、ODM（OriginalDesign

12、Manufacturer，原始设计制造商）业务模式成熟，大量的智能手机终端品牌通过代工设计或制造的方式在中国生产，从而导致较大的射频前端芯片需求。尽管市场需求较大，但国内企业自给率较低，主要系我国集成电路产业整体起步较晚，在人才积累、工艺水平、代工资源、标准定义等方面与国际大厂存在一定差距。随着本土智能手机品牌的崛起和本土制造能力的提升，智能手机的国产化已经达到较高水平，众多国产智能手机厂商开始寻求降低器件成本、供应链自主可控和更优的服务支持，对上游核心元器件的国产化需求不断上升，从而使得更多的射频前端企业获得产品导入、持续迭代的应用机会，推动国产射频前端公司的产品性能持续优化，收入规模持续提

13、升。三、 推进重点领域改革充分发挥市场在资源配置中的决定性作用，更好发挥政府作用，推动有效市场和有为政府更好结合。统筹推进土地、劳动力、资本、技术、数据等要素市场化改革，建设城乡统一的建设用地市场。加强工业用地保障，深化“亩均论英雄”改革，完善“标准地”制度。坚持“两个毫不动摇”，激发市场主体活力。实施国有企业改革三年行动，做强做优做大国有资本和国有企业。积极稳妥推进混合所有制改革，多方式引入各类外部资本，注重转换经营机制，放大国有资本功能。鼓励、支持、引导非公有制经济发展，推动民营企业建立现代企业制度，支持民营企业转型升级。健全以管资本为主的国有资本监管机制，促进国有资产保值增值。深化预算管

14、理制度改革，强化预算约束和绩效管理。健全国有金融管理体制，推动金融有效支持实体经济发展。积极培育上市公司，高效对接多层次资本市场，提高直接融资比重。第二章 绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称眉山射频前端芯片项目（二）项目投资人xx有限责任公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx（待定）。二、 编制原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备选型达到目前

15、国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则，对项目可能产生的污染源进行综合治理，使其达到国家规定的排放标准。三、 编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。四、 编制范围及内容按照项目建设公司的发展规划，依据有关规定，就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究，并提出

16、研究结论。五、 项目建设背景随着半导体工艺制程的不断演进，晶圆制造产能的投资规模不断扩大，推动半导体产业出现芯片设计公司（Fabless）加晶圆代工厂（Foundry）的分工模式。相比传统的IDM模式，采用分工模式大幅降低了半导体行业的进入门槛，优势互补，促进了半导体产业的繁荣，尤其是在对于制程较为先进的集成电路领域，分工模式尤为重要。根据ICinsights发布的2021McCleanReport，2020年全球Fabless集成电路公司的销售收入合计达到约1,300亿美元，占集成电路总销售额的比例为32.9%，创历史新高。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx（待定），占地面积

17、约71.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx颗射频前端芯片的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资31374.33万元，其中：建设投资26414.25万元，占项目总投资的84.19%；建设期利息304.10万元，占项目总投资的0.97%；流动资金4655.98万元，占项目总投资的14.84%。（五）资金筹措项目总投资31374.33万元，根据资金筹措方案，xx有限责任公司计划自筹资金（资本金）18961.93万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款

18、总额12412.40万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：54400.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：46327.18万元。3、项目达产年净利润（NP）：5875.60万元。4、财务内部收益率（FIRR）：12.47%。5、全部投资回收期（Pt）：6.72年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：25345.67万元（产值）。（七）社会效益本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级

19、发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积47333.00约71.00亩1.1总建筑面积78262.121.2基底面积28399.801.3投资强度万元/亩362.252总投资万元31374.332.1建设投资万元26414.252.1.1工程费用万元23343.912.1.2其他费用万元2332.172.1.3预备费万元738.172.2建设期利息万元304.102.3流动资金万元4655.983资金筹措万元31374.333.1自筹资

20、金万元18961.933.2银行贷款万元12412.404营业收入万元54400.00正常运营年份5总成本费用万元46327.186利润总额万元7834.147净利润万元5875.608所得税万元1958.549增值税万元1988.9810税金及附加万元238.6811纳税总额万元4186.2012工业增加值万元15401.2613盈亏平衡点万元25345.67产值14回收期年6.7215内部收益率12.47%所得税后16财务净现值万元-3051.24所得税后第三章 市场预测一、 5G时代将为射频前端带来新的技术挑战1、5G射频功率放大器技术难度明显提升，推高射频PA公司产品升级的技术门槛在4

21、G时代，无线通信的频率一般最高不超过3GHz，带宽一般不超过20MHz。为了进一步提高通信速率，5G通信要求更高的通信频率、更大的通信带宽。2017年12月，3GPPRelease155GNR规范（简称R15）获得3GPP标准化协会通过，成为商用5G产品的基础。2020年7月，3GPPRelease16版本正式通过，R16不仅增强了5G的功能，还更多兼顾了成本、效率、效能等因素，使通信基础投资发挥更大的效益。该规范规定5GNR（5G新空口）频谱包含Sub-6GHz的频率范围1（FR1）和毫米波的频率范围2（FR2），其中FR1的频率范围为410MHz7125MHz（因大部分频谱规划及R15版本

22、均在6GHz以下，业界通俗称sub-6GHz），FR2的频率范围为24250MHz-52600MHz。考虑到经济性和兼容性，5GFR1是目前全球主流的5G部署频段，5GNR在FR1Sub-6GHz的频率范围内共定义多个频段，其中包含了与4GLTE协议复用频段的5G重耕频段，该类频段的通信频率一般低于3GHz；以及5G新频段，该类频段的通信频率一般介于3GHz到6GHz之间。FR1的5G新频段中n77、n78和n79已成为5G在Sub-6GHz频率的部署主力频段，频率范围覆盖3.3GHz至5.0GHz。此频段的PA设计难度大幅增加，首先，5G新频段的通信频率相比4G大幅提升，高频要求更高的放大功

23、率以抵减传播路径损耗，大大提升了PA的设计难度；其次，5G新频段的信号通信带宽大幅超过4G通信的信号带宽，PA芯片在支持大带宽信号时会带来增益下降，推高功率的难度进一步提升；同时5G宽带通信系统会带来较高的峰均比，从而导致PA线性度较难保障，为解决线性度难题PA需要设计较大的功率回退，从而导致PA的效率下降、发热增加，因此提升PA效率又成为设计难点；最后，由于射频前端需同时兼容更多的通信线路，器件数量上升，在有限的面积下需要更高的集成度，5G射频前端集成化模组的设计越来越重要。因此，更高频率的5G新频段为射频前端、功率放大器芯片的设计带来较大挑战。进一步地，在5G毫米波通信领域，通信频率处于3

24、0GHz左右，通信频率大幅提升，依赖全新的射频前端器件硬件结构和工作方式，对射频前端技术的要求进一步提升。在5G重耕频段，尽管通信频率与4G共频，但对带宽的要求进一步增加，宽带通信导致PA线性度及功率增益较难保障。综上所述，5G通信技术为PA芯片的设计带来较大挑战，射频PA厂商必须跨越5G射频的技术门槛，快速推出性能优良、成本适宜的射频前端芯片，才能在与国际厂商的竞争中取得一席之地。此外，PA芯片一般均会采用砷化镓材料相关工艺，其与主流的硅基工艺差异较大，熟悉砷化镓器件的特性并积累砷化镓器件的设计经验均需要较长时间，对于从事滤波器、LNA、开关、天线等其他射频前端公司而言，具备较高的进入壁垒。

25、2、5G射频模组中PA芯片的重要性进一步提升，产业影响力进一步凸显在3GHz以下的通信频段内，无线通信主力部署的通信频率主要集中在1GHz3GHz，包含了大量FDDLTE、TDDLTE及TD-SCDMA等无线通信频段并最早支持载波聚合，同时还包含GPS、Wi-Fi2.4G、蓝牙等重要的非蜂窝通信频段，导致该频段范围内各通信频段的分布较为密集，处理密集频段间的干扰主要依赖滤波器。因此，多频段、高性能的滤波器和双工器在3GHz以下通信频率的重要性极高，而该频段商用时间较长，PA技术已经相对成熟，已有多家国产射频前端公司在该领域实现突破。随着5G通信向3GHz以上通信频率拓展，该频段范围内频谱资源丰

26、富，干扰频段较少，对滤波器性能的要求相对下降，而PA芯片的设计难度大幅提升。因此，在3GHz以上通信频段中高性能PA的重要性逐渐凸显，已成为5G新频段射频前端的关键瓶颈。3、5G通信对射频前端的集成度要求更高，对射频厂商的系统化设计能力提出挑战4GLTE通信时代射频前端既可以采用分立方案，也可以采用模组方案，一般而言采用模组方案可以获得更高的集成度和更优的性能，主要用于高端手机，而采用分立方案亦能满足需求，但其性能中等，主要用于中低端手机。为满足5G通信需求，射频前端器件的数量大幅上升，在智能手机空间受限下无法采用分立方案，且采用分立方案将带来较长的终端调试周期和调试成本。因此，在5G新频段领

27、域一般采用L-PAMiF、L-FEM等模组形式。在射频前端模组化趋势下，一方面要求射频前端公司拥有较强的芯片设计能力，包括PA、LNA、开关、滤波器等，尽可能覆盖各类型的器件类型从而提升模组的一致性和可靠性，提升开发效率；另一方面，射频前端集成度的提高，需要射频前端公司具备较强的集成化模组设计能力，通过优化器件布局，提高集成度和良率，从而提升射频前端的整体性能，同时还要求射频前端公司具备良好的SiP封装工艺积累，尤其是采用有利于提高射频前端模组性能和集成度的倒装（Flipchip）封装工艺，考验射频前端厂商在芯片设计与封装设计的结合能力。二、 行业面临的机遇与挑战1、行业面临的机遇（1）下游市

28、场增长潜力巨大根据IDC预测，2020年至2025年全球智能手机行业出货量的年复合增长率约为3.6%，2021年全球5G智能手机出货渗透率将超过40%，预计到2025年将增长到69%，可带动5G智能手机产业链规模的快速扩容。5G物联网面向高速、大带宽、海量连接的连接需求，4G物联网面向广泛的中低速物联网应用场景，随着万物互联时代的到来，预计将获得较大的增长机遇。（2）射频前端的技术升级构筑更高的技术门槛随着通信制式从2G、3G、4G到5G的演进，功率放大器的技术难度不断提升，要求功率放大器公司具备深厚的技术积累和研发实力，且射频前端模组集成度、小型化的趋势明显，功率放大器公司除了需要掌握核心的

29、射频前端芯片设计外，还需要具备模组、基板等更加全面的设计能力。从射频功率放大器产业的发展趋势来看，在不同通信制式时期涌现出了不同的公司，取得性能、规模和专利技术优势的公司能率先实现战略卡位，占据先发地位，快速成长壮大，而后进入者在产品性能上迭代速度较慢，规模优势无法充分显现，而且通常采取技术跟随策略从而导致专利风险，使得后进入者处于竞争劣势地位。（3）射频前端国产替代助推国产公司快速成长2020年全球射频前端市场的前五大供应商均为国际厂商，国产公司的市场份额相对较低，并且在射频前端器件中LNA、射频开关等领域的国产化程度相对较高，在PA、滤波器等领域的国产化程度相对较低。随着终端智能手机国产品

30、牌的崛起以及背靠中国完善的智能手机供应链优势，下游客户出于优化成本结构、提高核心器件的自主可控、快速的本地化服务支持等方面的考虑，对上游核心芯片的国产化需求不断提升，推动国产射频前端公司快速成长。另一方面，中国市场拥有全球最完善的5G通信基础设施和产业链，5G智能手机的出货量领先全球，对上游的5G射频前端需求更为强劲。随着国产射频前端公司的发展壮大，在产业链里的话语权不断提升，将逐渐参与定义射频前端模组的标准，从行业的追随者变为引领者。（4）国家政策支持集成电路是国家的支柱性产业，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量，不仅对国民经济和生产生活至关重要，而且对国家的信息安全与综合国力具有战略

31、性意义。因此，大力发展集成电路产业势在必行。为顺应全球集成电路产业蓬勃发展的潮流，抓住下游旺盛的应用需求，把握产业升级的历史性机遇，实现芯片自主自强，进一步提升国家的信息安全和信息化水平，近年来我国先后推出关于印发国家规划布局内重点软件和集成电路设计领域的通知新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要等一系列政策，为集成电路产业发展注入新动力，让产业迎来加速成长的新阶段。未来，国家政策红利的持续指引，将会让集成电路产业获得更深入的关注和更持续资本助力，加速产业的变革与发展，帮助集成电路产业在国家产业生态体系内实现

32、弯道超车。2、行业面临的挑战（1）国产射频前端公司相比国际头部厂商存在差距在产品线上，3GHz以下的PAMiD、L-PAMiD高集成度射频前端模组复杂度较高，需要高性能滤波器、双工器资源，国产厂商普遍缺乏相应布局，从而导致在高集成度模组上落后于国际厂商。在客户上，国际头部射频前端公司已经形成品牌优势，国产厂商全面进入高端客户、高端产品线的供应体系还需要较长时间。在知识产权上，国际头部射频前端公司在既有技术路线上拥有完善的知识产权布局，主导射频前端方案的制定，国产厂商需要持续创新和长期积累方能跨越知识产权壁垒。（2）行业竞争逐渐激烈在5G新周期、国产替代的大背景下，国产射频前端领域逐渐成为关注焦

33、点，在资本的支持下众多初创型企业纷纷布局射频前端领域，新进入者为了扩大市场份额、抢占客户资源，通常采用价格竞争，打乱了市场价格体系和供应链，阶段性的降低了行业的平均盈利水平。（3）射频器件研发人才储备相对不足射频属于模拟芯片中的重要分支，高频信号处理的难度较大，技术门槛较高，不仅需要芯片设计工程兼具数字电路和模拟电路的专业背景，还需要工程师长期的经验积累和技术沉淀。优秀的射频芯片工程师通常需要10年以上的培养周期，且随着通信制式的演进对研发人员的素质提出了更高的要求。目前行业内的研发人才较为短缺，各厂商对优秀研发人才的争夺逐渐加剧。第四章 建筑工程方案分析一、 项目工程设计总体要求（一）设计原

34、则本设计按照国家及行业指定的有关建筑、消防、规划、环保等各项规定，在满足工艺和生产管理的条件下，尽可能的改善工人的操作环境。在不额外增加投资的前提下，对建筑单体从型体到色彩质地力求简洁、鲜明、大方，突出现代化工业建筑的个性。在整个建筑设计中，力求采用新材料、新技术，以使建筑物富有艺术感，突出时代特点。（二）设计规范、依据1、建筑设计防火规范2、建筑结构荷载规范3、建筑地基基础设计规范4、建筑抗震设计规范5、混凝土结构设计规范6、给排水工程构筑物结构设计规范二、 建设方案主要厂房在满足工艺使用要求，满足防火、通风、采光要求的前提下，力求做到布置紧凑、节省用地。车间立面造型简洁明快，体现现代化企业

35、的建筑特色。屋面防水、保温尽可能采用质量较高、性能可靠的新型建筑材料。本项目中主要生产车间及仓库均为钢结构，次建筑为砖混结构。考虑当地地震带的分布，工程设计中将加强建筑物抗震结构措施，以增强建筑物的抗震能力。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积78262.12，其中：生产工程57807.79，仓储工程10292.08，行政办公及生活服务设施6652.03，公共工程3510.22。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程16755.8857807.797689.011.11#生产车间5026.7617342.342306.701.22#生产车间4188.

36、9714451.951922.251.33#生产车间4021.4113873.871845.361.44#生产车间3518.7312139.641614.692仓储工程6815.9510292.08987.432.11#仓库2044.783087.62296.232.22#仓库1703.992573.02246.862.33#仓库1635.832470.10236.982.44#仓库1431.352161.34207.363办公生活配套1488.156652.031023.703.1行政办公楼967.304323.82665.413.2宿舍及食堂520.852328.21358.304公共工程

37、3407.983510.22336.42辅助用房等5绿化工程6759.15129.30绿化率14.28%6其他工程12174.0546.437合计47333.0078262.1210212.29第五章 选址方案一、 项目选址原则项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与当地的建成区有较方便的联系。二、 建设区基本情况眉山，古称眉州，是千年大文豪苏东坡的故乡，是国家级天府新区的重要组成部分，素有“千载诗书城”“人文第一州”美誉。面积7140平方公里，辖东坡、彭山两区和仁寿、洪雅、丹棱、青神四县。根据第七次人口普查数据

38、，截至2020年11月1日零时，眉山市常住人口为2955219人。眉山文化厚重。宋代曾是我国三大雕版印刷中心之一，唐宋散文八大家中，眉山苏洵、苏轼、苏辙独占三席。两宋年间，眉山进士886人，史称“八百进士”。眉山生态宜居，地处中亚热带湿润季风气候区，四季分明、无霜期长。全市森林覆盖率达50%，城乡绿化覆盖率58.04%，水域面积占国土面积比重达9.5%，是国家园林城市、国家森林城市。拥有“世界最美桌山”瓦屋山、“长寿福地”彭祖山、 “川西第一海”黑龙滩、“峨眉半山”七里坪等景点，被评为亚太地区（二三线城市）首选旅游目的地、中国最美生态文化旅游城市。眉山区位优越，主城区距离成都仅60公里，距离成

39、都双流国际机场、成都天府国际机场均为50公里，成眉间动车公交化运营，列车数量达80列次/日。眉山全域都在天府新区辐射范围内，含94平方公里核心区、448平方公里协调管控区。招商引资连续11年居四川前5，落户世界500强企业数量33家、居四川第2。2020年，眉山市实现地区生产总值1423.74亿元。展望二三五年，眉山将与全国全省同步基本实现社会主义现代化，基本建成现代化成都都市圈副中心。 经济实力大幅跃升，经济总量和城乡居民人均可支配收入迈上新的大台阶，人均地区生产总值达到中等发达国家水平，基本实现新型工业化、信息化、城镇化和农业农村现代化。 科创能力大幅跃升，创新成为经济增长主要动力，科技实

40、力跻身全省前列，基本建成科技强市、人才强市。 城市品质大幅跃升，城市综合承载能力显著提升，中心城区集聚辐射能力大为增强，城市配套功能高端现代，新型城乡关系更加融洽，生态环境持续好转，建成彰显“天府韵味、现代时尚”的公园城市。 民生福祉大幅跃升，社会事业发展水平显著提升，基本公共服务实现均等化，人民生活更加美好，共同富裕取得较为明显的实质性进展。 治理水平大幅跃升，社会治理体系和治理能力现代化基本实现，法治眉山、法治政府、法治社会基本建成，公民素质和社会文明程度达到更高水平。“十三五”时期，是我市发展进程中具有重要里程碑意义的五年，决战脱贫攻坚、决胜全面小康取得决定性成就，经济发展质量实现跃升性

41、变化，治眉兴眉站上历史新台阶。这是综合实力、发展质量大为提升的五年。供给侧结构性改革纵深推进，高新技术产业、现代服务业、都市现代绿色农业集聚成势，三次产业向中高端迈出坚实步伐，经济增长与质量、结构、效益相得益彰，战略性新兴产业增速达到15%，提前实现地区生产总值和城乡居民人均可支配收入比2010年翻一番，夯实了现代化经济体系的根基底盘。 这是开放水平、发展动能大为跃升的五年。对外开放的规模、层次、内涵和水平全面提升，新增国际友城1个、友好交流城市10个，全球招商刷新历史纪录，引进100亿以上项目25个，招商引资总额、世界500强企业数量稳居全省第2，重大节会影响力扩大，开放平台能级跃升，开放崛

42、起势头强劲，发展活力竞相迸发。 这是成眉同城、发展位势大为提高的五年。主动融入成渝地区双城经济圈建设，成眉同城、壮大主干走在都市圈前列，环天府新区经济带引擎作用凸显，“基础同网、产业同链、全域同城”优势尽显、其势已成，眉山在全国全省区域发展格局的地位和作用大幅提升。 这是城乡融合、发展空间大为拓展的五年。生动实践公园城市建设理念，“三城建设”加快推进，“三城同创”捷报频传，乡镇行政区划和村级建制调整改革顺利推进，乡村振兴战略深入实施，农村人居环境显著改善，城乡基层社会治理制度创新和能力建设全面加强，百万人口大城市发展格局加速形成，城市品质显著提升。 这是民生福祉、发展成果大为改善的五年。自觉践

43、行以人民为中心发展思想，高质量完成16.22万贫困人口稳定脱贫，新增城镇就业17.5万人，各类教育普及程度明显提高，群众健康和医疗卫生水平大幅提升，养老服务、殡葬改革、残疾儿童康复救助走在全国前列，一大批一直想办的民生大事实事顺利推进，新冠肺炎疫情防控取得重大成果，生态环境质量持续改善，扫黑除恶专项斗争成效显著，平安眉山建设深入推进，社会和谐稳定，群众获得感、幸福感、安全感显著增强。 这是从严治党、发展环境大为巩固的五年。三、 强化创新核心地位，建设成都都市圈科创新高地坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，深入实施创新立市、科教兴市、人才强市发展战略，统筹抓好创新主体、创新基础、创新资源、创新

44、环境，加快实现依靠创新的内涵式增长。打造科学研发高地。探索“一城多园”模式，依托眉山天府新区、眉山东部新城、岷东新区打造天府科创城，共建西部科学城。坚持科学化、学院化、国际化建园方针，吸引国内外知名高校在眉落户，争取中国科学院等科研院所在眉布局科研平台；建设一批院士工作站、重点实验室、工程研究中心等国省级创新平台；鼓励高新技术企业研究中心入驻，力争国家大科学装置零突破，打造都市圈最具竞争力的高端人才聚居区、科研机构聚集区、科学装置聚合区。推动“政产学研用”深度融合发展，支持高校提高创新能力，引进建设一批高水平研究型大学，推动与国内外科研院所、高校、企业科研力量资源共享，提高创新链整体效应。打造

45、科教人才高地。深化人才发展体制机制改革，建设更有竞争力的人才制度体系，全面提升人才公共服务水平。实施“眉山优才工程”，大力引进国内外战略科技人才、科技领军人才和高水平创新团队。支持高校、企业扩大高层次人才培养规模，加强重点关键领域拔尖创新人才、基础研究人才、产业技术研发人才培养，积极承办科技领域高峰学术论坛。健全科技人才评价体系，赋予用人单位更大的人才评价自主权。实施“眉州本土菁才”培育行动、新时代工匠培育工程、知识更新工程和职业技能提升行动，运用科教融合、校企联合等模式，打造一流职业技术院校，壮大高水平工程师队伍和高技能人才队伍，培养一批青年科技人才。打造科技转化高地。完善以企业为主体的科技

46、转化体系，建立创新型企业梯度培育机制，大力培育高新技术企业、瞪羚企业、专精特新企业，促进初创型成长性科创企业发展。坚持政府搭台、院校入驻、企业转化，建立科技转化中介平台，培育科技“经纪人”，打造都市圈科技转化基地，协同打造成渝地区一体化技术交易市场。支持企业与高校、科研院所联合建设中试基地。创建国家知识产权试点园区。强化资本推动，探索由国有企业建立科创投融资体系，引入社会资本，以股权交换作为成本利益分担，支持一批拥有核心知识产权、研究开发实力强、成长性好的优势企业成长为高新技术企业。四、 打造一流营商环境深入推进“放管服”改革，全面实行“三张清单”制度，深化政府数字化转型，探索“一件事”集成改革，高质量建设“掌上办事之城”“掌上办公之城”，全面实现政务服务一网通办、全域通办、就近可办，更好服务企业、服务基层、服务