电子技术最全ppt全套课件-完整版整套教学教程-(最新).ppt
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1、项目一项目一 半导体器件的认识半导体器件的认识一、项目分析一、项目分析二、相关知识二、相关知识(一)半导体的基本知识(一)半导体的基本知识(二)二极管(二)二极管(三)三极管(三)三极管三、拓展知识三、拓展知识(一)特殊用途的二极管(一)特殊用途的二极管(二)场效应管(二)场效应管一、项目分析一、项目分析项目内容目内容半半导导体体的的导导电电特特性性和和PNPN结结的的基基本本原原理理,二二极极管管、三三极极管管、场效应管等的结构、工作原理、特性曲线及主要参数。场效应管等的结构、工作原理、特性曲线及主要参数。知识点知识点半导体的导电特性和半导体的导电特性和PNPN结的基本原理;结的基本原理;二
2、极管的结构、伏安特性;二极管的结构、伏安特性;三极管的结构、电流分配原理、工作状态和条件。三极管的结构、电流分配原理、工作状态和条件。一、项目分析一、项目分析能力点能力点会识别二极管、能测绘其伏安特性;会识别二极管、能测绘其伏安特性;会识别三极管、能分析其电流分配情况;会识别三极管、能分析其电流分配情况;能测绘三极管的传输特性曲线;能测绘三极管的传输特性曲线;能熟练应用特殊二极管、绝缘栅型场效应管。能熟练应用特殊二极管、绝缘栅型场效应管。二、相关知识二、相关知识(一)半导体的基本知识(一)半导体的基本知识1 1、半、半导体体自自然然界界的的物物质按按其其导电能能力力可可分分为:导体体、绝缘体体
3、和和半半导体。体。导电能能力力介介于于导体体和和绝缘体体之之间的的物物质称称为半半导体体,如如硅(硅(SiSi)、)、锗(GeGe)、砷化)、砷化镓(GaAsGaAs)等。)等。2 2、半、半导体的物理特性体的物理特性(1 1)半)半导体体独特的物理特性独特的物理特性 热敏特性:半导体器件的温度稳定性差。热敏特性:半导体器件的温度稳定性差。光光敏敏特特性性:在在有有光光照照和和无无光光照照的的条条件件下下,其其电电阻阻率率有有几十到几百倍的差别。几十到几百倍的差别。掺掺杂杂特特性性:在在纯纯净净的的半半导导体体材材料料中中掺掺入入某某种种微微量量的的杂杂质元素后,其导电能力将猛增几万倍甚至几百
4、万倍。质元素后,其导电能力将猛增几万倍甚至几百万倍。制造半导体器件的主要材料是锗和硅。制造半导体器件的主要材料是锗和硅。纯净的、具有完整晶体的、具有完整晶体结构的半构的半导体称体称为本征半本征半导体体。(2)半导体的)半导体的晶体结构晶体结构在晶体中,原子的在晶体中,原子的4 4个价个价电子就会分子就会分别与其周与其周围的的4 4个原子个原子组成成稳定的共价定的共价键。本征激发本征激发载流子载流子自由电子自由电子空穴空穴在常温下,本征半在常温下,本征半导体的体的导电能力极差。能力极差。3、半导体的导电原理、半导体的导电原理(1 1)N N型半型半导体体在在纯净的半的半导体中体中掺入入微量的微量
5、的五价元素五价元素,如砷,如砷(AsAs)或磷。)或磷。多子:自由电子;多子:自由电子;少子:空穴。少子:空穴。(2 2)P P型半型半导体体在在纯净的半的半导体中体中掺入入微量的微量的三价元素三价元素,如,如硼硼(BeBe)或铟()或铟(InIn)。多子:空穴;多子:空穴;少子:自由电子。少子:自由电子。通通过改改变掺入入杂质的的浓度可以控制半度可以控制半导体的体的导电能力。能力。(3 3)半)半导体体PNPN结 PN PN结的形成。的形成。PNPN结的的宽度一般度一般为几微米到几十微米。几微米到几十微米。PN PN结的特性。结的特性。在没有外在没有外电场的作用下,的作用下,PNPN结是不会
6、是不会导电的;的;在外在外电场的作用下,的作用下,PNPN结显示示单向向导电特性特性。PNPN结正向偏正向偏置,置,则导通,通,即即正向正向导通通。反向截止、反向反向截止、反向击穿穿PNPN结正向偏置正向偏置时,PNPN结导通,正向通,正向电阻很小,正向阻很小,正向电流流I IF F较大;大;PNPN结反向偏置反向偏置时,PNPN结截止,反向截止,反向电阻很大,反向阻很大,反向电流流I IR R很小。很小。PNPN结的的这种正向种正向导通和反向截止的特性定通和反向截止的特性定义为单向向导电特性。特性。(二)二极管(二)二极管1、二极管的结构和符号、二极管的结构和符号2、二极管的单向导电性、二极
7、管的单向导电性结论:二极管的这种正向导通、反向截止特性称为二极结论:二极管的这种正向导通、反向截止特性称为二极管的单向导电性。管的单向导电性。3 3、二极管的伏安特性曲线、二极管的伏安特性曲线正向特性、反向特性正向特性、反向特性4 4、二极管的主要参数、二极管的主要参数(1 1)最大整流)最大整流电流流I IFMFM最最大大整整流流电流流I IFMFM是是指指二二极极管管长期期工工作作时允允许通通过的的最最大大正正向向平平均均电流流。使使用用中中电流流超超过此此值,管管子子会会因因过热而而损坏。坏。(2 2)最高反向工作)最高反向工作电压U URMRM二二极极管管长期期运运行行时所所能能承承受
8、受的的最最大大反反向向工工作作电压。为保保证二极管能安全工作,一般取二极管能安全工作,一般取U UR R为U URMRM的二分之一。的二分之一。(3 3)反向)反向击穿穿电压反反向向击穿穿电压是是指指二二极极管管能能承承受受的的最最大大反反向向工工作作电压,外加外加电压超超过该值,PNPN结会会损坏。坏。(4 4)最高工作)最高工作频率率f fM M最最高高工工作作频率率f fM M是是保保证二二极极管管正正常常工工作作时所所加加信信号号的的最最高高频率,否率,否则会使二极管失去会使二极管失去单向向导电特性。特性。5 5、二极管的应用及电路分析方法、二极管的应用及电路分析方法 先确定相先确定相
9、应的参考点。的参考点。假假设所有二极管全部断开,判断二极管原来位置两所有二极管全部断开,判断二极管原来位置两端(端(P P端端电压为U UP P,N N端端电压为U UN N)的)的电位差。位差。a aU UP P U UN N,则二极管二极管导通;否通;否则截止。截止。b b有多个二极管符合有多个二极管符合U UP P U UN N时,U UP PU UN N最大的二极管最大的二极管优先先导通,再分析其他的二极管是否通,再分析其他的二极管是否导通。通。确定了二极管的工作状确定了二极管的工作状态后,用基后,用基尔霍夫定律分析霍夫定律分析求解求解电路。路。例题,例题,分析图中二极管的状态:导通还
10、是截止。分析图中二极管的状态:导通还是截止。整流整流电路路限幅电路限幅电路仿真分析:限幅电路仿真分析:限幅电路钳位电路钳位电路VDVD1 1起起钳位位作作用用,把把输出出端端F F的的电位位钳制在制在3V3V;VDVD2 2起起隔隔离离作作用用,把把输入入端端B B和和输出出端端F F隔离开。隔离开。6 6、半导体器件型号命名方法、半导体器件型号命名方法2AP92AP9:“2 2”表示表示电极数极数为2 2,“A A”表示表示N N型型锗材料,材料,“P P”表示普通管,表示普通管,“9 9”表示序号。表示序号。(三)三极管(三)三极管1 1、三极管的基本知识、三极管的基本知识(1 1)三极管
11、的结构和符号)三极管的结构和符号三极管分三极管分为NPNNPN型和型和PNPPNP型两种。型两种。3 3个区(个区(发射区、基区和集射区、基区和集电区)区)两个两个PNPN结(发射射结和集和集电结)3 3个个电极(基极极(基极B B、发射极射极E E和集和集电极极C C)(2 2)三极管的)三极管的3 3种种连接方式接方式(3)三极管电流放大原理)三极管电流放大原理通通过改改变电阻阻R RB B,使,使得基极得基极电流流I IB B在不同在不同的情况下,的情况下,测得集得集电极极电流流I IC C和和发射极射极电流流I IE E,得到一,得到一组数数据。据。分析分析实验所得数据,可有如下所得数
12、据,可有如下结论:a a三三电极极电流关系:流关系:I IE E=I IB B+I IC C;b bI IC C I IB B ,I IC C I IE E;c c I IC C I IB B,I IC C/I IB B=(为常数,常数,为三极管的三极管的电流放大倍数)。流放大倍数)。2 2、三极管的伏安特性曲线、三极管的伏安特性曲线输入伏安特性曲入伏安特性曲线当集当集电极极电压U UCECE一定一定时,基极基极电流流I IB B与基极与基极电压U UBEBE的关系:的关系:输出伏安特性曲出伏安特性曲线当基极当基极电流流I IB B为一定一定时,集,集电极极电流流I IC C与与集集电极极电压
13、U UCECE的关系:的关系:3 3个工作区域,即放大区、个工作区域,即放大区、饱和和区和截止区。区和截止区。3 3个区的工作特性:个区的工作特性:放大区放大区发射结正偏,集电结反偏(对于发射结正偏,集电结反偏(对于NPNNPN型管,型管,U UC C U UB B、U UB B U UE E;对于;对于PNPPNP型管,型管,U UC C U UB B、U UB B 00,I ICC=IIB B,U UCECE=U UCCCC I IC CR RC CI IC C仅决定于仅决定于I IB B,与,与U UCECE无关,此时具有电流放大作用。无关,此时具有电流放大作用。3 3个区的工作特性:个
14、区的工作特性:饱和区饱和区发射结和集电结均正偏。发射结和集电结均正偏。UCE=UCES,很小,很小,C-E之间相当于一个接通的开关。之间相当于一个接通的开关。IC不受不受IB控制,控制,IC不再随不再随IB的增大而增大,而是由外电的增大而增大,而是由外电路决定路决定。截止区截止区发射结和集电结均反偏。发射结和集电结均反偏。IB0,IC0,UCE=UCC ICRC失去电流放大作用,失去电流放大作用,C-E间相当于断开的开关。间相当于断开的开关。三极管可工作在三极管可工作在3种状态,若应用于电流放大时,应工种状态,若应用于电流放大时,应工作在放大区;若作开关使用时,应工作在饱和区和截止作在放大区;
15、若作开关使用时,应工作在饱和区和截止区。区。问题讨论:请分析一下,下面哪个三极管工作在放大?为什么?仿真分析(1 1)图中的三极管是)图中的三极管是NPNNPN还是还是PNPPNP型?型?工作在哪种状态,是放大、截止还是工作在哪种状态,是放大、截止还是饱和?饱和?(2 2)图中的三)图中的三极管是极管是NPNNPN还是还是PNPPNP型?工作在型?工作在放大、截止还是放大、截止还是饱和?饱和?仿真分析3、主要参数、主要参数(1 1)共射极)共射极电流放大倍数流放大倍数 用来衡量电流放大能力的。用来衡量电流放大能力的。制作工艺和导体材料的不同,即使同一型号三极管的制作工艺和导体材料的不同,即使同
16、一型号三极管的 差别也较大,一般小功率三极管的差别也较大,一般小功率三极管的 值为值为20205050。值越大,管子稳定性越差;值越大,管子稳定性越差;值越小,电流放大能力越值越小,电流放大能力越差。差。(2 2)穿透)穿透电流流I ICEOCEO基极开路基极开路时,集,集-射射间的的电流;流;其其值的大小受温度影响的大小受温度影响较大;大;该电流流值越小,三极管的越小,三极管的质量越好。量越好。(3 3)集电极最大允许电流)集电极最大允许电流I ICMCM三极管工作电流三极管工作电流I IC C允许的最大极限值。允许的最大极限值。若若I IC C超过超过I ICMCM值,则三极管可能会损坏。
17、值,则三极管可能会损坏。(4 4)集)集电极极-发射极反向射极反向击穿穿电压U UCEOCEO基极开路加基极开路加压集集-射之射之间的最大允的最大允许电压值。工作工作电压U UCECE应小于此小于此值,否,否则会会击穿。穿。(5 5)集)集电极最大允极最大允许耗散功率耗散功率P PCMCM集集电结上允上允许损耗功率的最大耗功率的最大值。超超过P PCMCM就会使管子性能就会使管子性能变坏或坏或烧毁。P PCMCM的大小与散的大小与散热条件有关,加散条件有关,加散热片,可以提高片,可以提高P PCMCM的的值。了了解解元元器器件件的的参参数数,主主要要是是为了了保保证元元器器件件安安全全工工作作
18、,图1-201-20所示所示为一个三极管的安全工作区域。一个三极管的安全工作区域。三、拓展知识三、拓展知识(一)特殊用途的二极管(一)特殊用途的二极管1 1、稳压二极管、稳压二极管(1 1)二极管的稳压功能)二极管的稳压功能稳稳压压二二极极管管实实际际上上是是一一种种面面接接触触型型硅硅二二极极管管,简简称称稳稳压压管。管。(2 2)稳压二极管的应用)稳压二极管的应用应用用时,和普通二极管也有不同:,和普通二极管也有不同:正极接低正极接低电位,位,负极接高极接高电位,保位,保证其工作在反向其工作在反向击穿区;穿区;为防止工作防止工作电流超流超过其最大其最大稳定定电流流IZmax而引起管子而引起
19、管子击穿,穿,应串串接限流接限流电阻阻R;不能并不能并联使用,以免造成管子使用,以免造成管子电流不均而流不均而过载损坏。坏。例题分析例题分析图示稳压管应用电路,已知输入电压图示稳压管应用电路,已知输入电压Ui=10V,稳压管的稳压管的稳定电压稳定电压UZ=6V,最小稳定电流,最小稳定电流IZmin=4mA,最大稳定最大稳定电流电流IZmax=24mA,负载电阻负载电阻RL=600,求限流电阻求限流电阻R的的取值范围。取值范围。限流电阻限流电阻R的取值范围为的取值范围为117286。问题讨论问题讨论稳压管型号为稳压管型号为ZPD5.1(稳压值(稳压值5.1V,耗散功率,耗散功率0.5W)。)。1
20、)电路中的稳压管)电路中的稳压管D1接对了吗?接对了吗?2)正常工作时,限流电阻)正常工作时,限流电阻R=?常用作指示灯。它是一种将电能转换为光能的器件,简称LEDLED。电路符号引脚判别金属头的大小区分引脚的长短、切边区分2 2、发光二极管除颜色之外,还有一个重要的参数是LED的尺寸。塑料外壳是圆柱形的,则用圆柱形直径表示,如直径为5mm,称为“5”。外壳是方形的则用长宽高表示,如长宽高是2mmx2mmx4mm的扁平LED,称为“2x2x4LED”,一般省略单位。LED还有两个重要参数:驱动电压和驱动电流。驱动电压:LED可以正常发光的最低电压。LED亮度的大小只和电流有关,工作电流越大越亮
21、。因此,又称LED是电流驱动器件。一般0-40mA,大于40mA就会损坏,保持在20mA左右最为理想,要认真选择限流电阻。当外加电源使LEDLED正偏,注入N N区和P P区的载流子复合,会发出可见光。根据材料的不同,可以发出颜色不同的光。3 3、光电二极管、光电二极管光电二极管又叫做光敏二极管,是利用半导体的光敏特性制成的。当光线照射PN结时,其反向电流随光照强度的增大而增大,因此可用光电二极管作光控元件,将光能转化为电能。(二)场效应管(二)场效应管场效应管(FieldEffectTransistor,FET)是一种电压控制型器件。在工作过程中,只有一种载流子参与导电。因此,它是单极型晶体
22、管。根据结构和工作原理的不同,FET可以分为两类:绝缘栅型场效应管和结型场效应管。1 1绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管应用最广泛的是以二氧化硅(SiO2)作为栅极与半导体材料间的绝缘层的FET,简称MOSFET或称MOS管。按照所使用的半导体材料的极性不同,有N沟道和P沟道两种,每一种还有增强型和耗尽型之分。以增强型MOS管为例。1 1、绝缘栅型场效应管、绝缘栅型场效应管(1)基本结构N沟道增沟道增强型型绝缘栅型型场效效应管的管的结构和构和符号符号(2)工作原理2 2、结型场效应管、结型场效应管结结型型管管通通过过改改变变栅栅源源电电压压改改变变耗耗尽尽区区的的宽宽窄窄,从从而而改改变变导导
23、电电沟沟道道的的宽宽窄窄,达达到到漏漏极极电电流流ID的的目目的的;绝绝缘缘栅栅型型管管则则是是通通过过改改变变沟沟道道的宽窄,来达到控制的宽窄,来达到控制ID的目的。的目的。绝缘栅型管较结型管输入电阻更高,也便于高度集成。绝缘栅型管较结型管输入电阻更高,也便于高度集成。3 3、场效应管的主要参数及使用注意事项、场效应管的主要参数及使用注意事项(1)主要参数)主要参数直流参数。直流参数。夹断电压夹断电压UGSA(off)、开启电压、开启电压UGS(th)、饱和漏极电流、饱和漏极电流IDSS、直流输入、直流输入电阻电阻RCS交流参数。这里主要介绍常用的低频跨导交流参数。这里主要介绍常用的低频跨导
24、gm。极限参数。极限参数。最大漏极电流最大漏极电流IDM、耗散功率、耗散功率PDM、漏源击穿电压、漏源击穿电压U(BR)DS及栅源击穿及栅源击穿电压电压U(BR)GS等。等。(2)场效应管的使用注意事项)场效应管的使用注意事项使用时应注意不要超越各极限参数的限制。使用时应注意不要超越各极限参数的限制。任任何何情情况况下下都都要要特特别别注注意意不不要要使使MOS管管的的栅栅极极悬悬空空。工工作作时时使使栅栅-源之间绝对保持直流通路;存放时应将源之间绝对保持直流通路;存放时应将3个电极短路。个电极短路。焊焊接接场场效效应应管管时时,电电烙烙铁铁应应良良好好接接地地,不不能能漏漏电电,或或焊焊接接
25、时时先先拔拔下电源插头。下电源插头。对对于于结结型型场场效效应应管管,使使用用时时应应注注意意栅栅-源源电电压压UGS的的极极性性不不能能接接反反(保证(保证PN结反偏),否则,较高的正偏电压可能烧坏结反偏),否则,较高的正偏电压可能烧坏PN结。结。4个个引引脚脚的的场场效效应应管管,其其衬衬底底(B脚脚)应应良良好好接接地地。场场效效应应管管使使用用时应避免靠近热源。时应避免靠近热源。本章到此结束本章到此结束 谢谢谢谢!项目二项目二 直流稳压电源的制作直流稳压电源的制作一、项目分析一、项目分析二、相关知识二、相关知识(一)单相桥式整流电路(一)单相桥式整流电路(二)滤波电路(二)滤波电路(三
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