信息与通信模电复习参考.pptx
《信息与通信模电复习参考.pptx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《信息与通信模电复习参考.pptx(145页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、2023/3/101第一章第一章 半导体的基本知识半导体的基本知识1.1 导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体本征半导体本征半导体一、本征半导体的结构特点一、本征半导体的结构特点二、本征半导体的导电机理二、本征半导体的导电机理杂质半导体杂质半导体一、一、N N 型半导体型半导体二、二、P P 型半导体型半导体第1页/共145页2023/3/102硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子第2页/共145页2023/3/103本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理在在绝对绝对0度度(T=0K)和没有外界激发时和没有
2、外界激发时,价价电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有可电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即以运动的带电粒子(即载流子载流子),它的导电能力),它的导电能力为为 0,相当于绝缘体。,相当于绝缘体。在常温下,由于在常温下,由于热激发热激发,使一些价电子获,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电自由电子子,同时共价键上留下一个,同时共价键上留下一个空位空位,称为,称为空穴空穴。载流子:自由电子和空穴第3页/共145页2023/3/104杂质半导体杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会在本征半导体中掺入某些微
3、量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P 型半导体:型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也空穴浓度大大增加的杂质半导体,也称为(空穴半导体)。称为(空穴半导体)。N 型半导体:型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体,自由电子浓度大大增加的杂质半导体,也称为(电子半导体)。也称为(电子半导体)。第4页/共145页2023/3/105主要内容:主要内容:PNPN结的形成、单向导电性及结的形成、单向导电性及PNPN 结的特性曲线结的特性曲线1 1、PNPN结的形成结
4、的形成2 2、PNPN结结的单向导电性的单向导电性 a a、PNPN结加正向电压时导通结加正向电压时导通 b b、PNPN结加反向电压时截止结加反向电压时截止3 3、PNPN结的伏安特性结的伏安特性1.2 1.2 PN PN 结及半导体二极管结及半导体二极管第5页/共145页2023/3/106P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动(多子多子浓差扩散浓差扩散)内电场E漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。加宽,空间电荷区越宽。内电场越强,就使漂移运动越强,内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。而漂移使空间电荷区变薄。空间电
5、荷区,空间电荷区,也称耗尽层。也称耗尽层。第6页/共145页2023/3/1071.1.空间电荷区中没有载流子。2.2.空间电荷区中内电场阻碍空间电荷区中内电场阻碍P P中的空穴中的空穴.N区区 中的电子(中的电子(都是多子都是多子)向对方运动()向对方运动(扩扩散运动散运动)。)。3.3.P 区中的电子和区中的电子和 N区中的空穴(区中的空穴(都是少子都是少子),数量有限,因此由它们形成的,数量有限,因此由它们形成的(少子漂少子漂移移)电流很小。电流很小。注意:无载流子、助少子、阻多子无载流子、助少子、阻多子PN结第7页/共145页2023/3/1081.2.2 PN结的单向导电性结的单向导
6、电性 PN PN 结结加上正向电压加上正向电压、正向偏置正向偏置的意思都是:的意思都是:P P 区加正、区加正、N N 区加负电压。区加负电压。PN PN 结结加上反向电压加上反向电压、反向偏置反向偏置的意思都是:的意思都是:P P区加负、区加负、N N 区加正电压。区加正电压。单向导电性:单向导电性:PN PN 结结加上正向电压时导通,加上正向电压时导通,PN PN 结结加上反向电压时截止。加上反向电压时截止。第8页/共145页2023/3/109三、三、PNPN结的伏结的伏-安特性安特性 图图 1.1.1 01.1.1 0 正向特性正向特性反向特性反向特性第9页/共145页2023/3/1
7、010PN PN 结的电流方程结的电流方程PNPN结所加结所加电压电压u u和流过和流过电流电流i i的关系:的关系:I IS S为反向饱和电流、为反向饱和电流、q q为电子电量、为电子电量、k k为玻耳兹曼常数、为玻耳兹曼常数、T T为热力学温度为热力学温度如果设如果设U UT T=KT/q=KT/q 则:则:在在T=300KT=300K时,时,U UT T=26mV=26mV当当u u为负值为负值,且满足且满足 e eu/Uu/UT T 1 1时时,则则:第10页/共145页2023/3/1011伏安特性伏安特性(获取)UI死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。导通压降:硅管0.60.7V
8、,锗管0.20.3V。反向击穿电压UBR伏安特性与温度的关系伏安特性与温度的关系第11页/共145页2023/3/1012由伏安特性折线化得到的等效电路由伏安特性折线化得到的等效电路图图 1.2.41.2.4 (二极管的折线化模型二极管的折线化模型)理想二极管理想二极管正向导通时正向导通时电压为常量电压为常量正向导通时电压与正向导通时电压与电流成线性关系电流成线性关系在实际应用中前二种常见。在实际应用中前二种常见。第12页/共145页2023/3/1013二级管的构成及特性、符号、曲线、使用二级管的构成及特性、符号、曲线、使用二极管的几种外形、几种常见结构、符号二极管的几种外形、几种常见结构、
9、符号二极管的伏安特性曲线及温度特性二极管的伏安特性曲线及温度特性二极管的折线化等效模型二极管的折线化等效模型微变等效电路微变等效电路二极管的主要参数二极管的主要参数:(P26)二极管的使用二极管的使用二极管的几种常见外形二极管的几种常见外形二极管的几种常见外形二极管的几种常见外形图图1.2.1 1.2.1 1.2.3 半导体二极管半导体二极管第13页/共145页2023/3/10141.3.1 稳压二极管稳压二极管UIIZIZmax UZ IZ稳压稳压误差误差曲线越陡,电压曲线越陡,电压越稳定越稳定+-UZ1.3 1.3 特殊二极管特殊二极管1.3.2 光电二极管光电二极管1.3.3 发光二极
10、管发光二极管第14页/共145页2023/3/1015晶体三级管主要内容:晶体三级管主要内容:1 1、三级管的结构、三级管的结构(三区二结三区二结)、分类、名、分类、名 称、符号称、符号2 2、基本、基本(共射共射)放大电路放大电路(晶体管的放大作用晶体管的放大作用)3 3、三级管放大电路的电流分配及放大、三级管放大电路的电流分配及放大4 4、三级管的输入、输出特性曲线及分区、三级管的输入、输出特性曲线及分区5 5、温度对输入、输出特性曲线的影响、温度对输入、输出特性曲线的影响6 6、三级管的主要参数、三级管的主要参数:():()、I ICB0CB0、I ICE0CE07 7、极限参数、极限参
11、数:I:ICMCM、U UCEOCEO、P PCMCM1.4 1.4 半导体三极管半导体三极管第15页/共145页2023/3/10161.4.1 基本结构基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型结构及掺杂特点结构及掺杂特点第16页/共145页2023/3/1017IB=IBE-ICBO IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBEI IE E=I IB B+I IC C载流子流向及各级电流载流子流向及各级电流第17页/共145页2023/3/1018一、一、输入特性输入特性UCE 1VIB(A)UBE(V)2
12、04060800.40.8工作压降工作压降:硅硅管管U UBEBE 0.6-0.6-0.7V,0.7V,锗管锗管U UBEBE 0.2-0.3V0.2-0.3V。UCE=0VUCE=0.5V 死区电死区电压压,硅管硅管0.5V,0.5V,锗锗管管0.2V0.2V。UBE=EBIBRB第18页/共145页2023/3/1019晶体管的输出特性曲线晶体管的输出特性曲线图图1.3.61.3.6 曲线的获得曲线的获得曲线的特征:曲线的特征:曲线的分区:曲线的分区:4 4个个晶体管的极限参数晶体管的极限参数晶体管的极限参数晶体管的极限参数图图1.3.7 1.3.7 第19页/共145页2023/3/10
13、20场效应管与双极型晶体管的导电机理和结构都不场效应管与双极型晶体管的导电机理和结构都不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种:1.5 场效应晶体管场效应晶体管N沟道P沟道增强型耗尽型增强型耗尽型N沟道P沟道第20页/共145页2023/3/1021N N沟道场效应管原理简介:沟道场效应管原理简介:N N沟道沟道:u uDSDS0 0时时u uGSGS对导电沟道的控制作用对导电沟道的控制作用u uGSGS=0=0U UGS(off)GS(off)uuGSGS00u uGSGSUUGS(of
14、f)GS(off)夹断电压VP当uGS较小时,耗尽区宽度有限,存在导电沟道,DS间相当于线性电阻。uGS达到一定值时(夹断电压VP),耗尽区碰到一起,DS间被夹断,这时,即使UDS 0V,漏极电流ID=0A。u uGSGS沟道变窄第21页/共145页2023/3/1022图图1.4.41.4.4 U UGS(off)GS(off)u uGSGS0(00的情况的情况u uGDGD U UGS(off)GS(off)u uGDGDU UGS(off)GS(off)u uGDGD 00时时,T,T1 1导通导通 u uI I00时时,T,T2 2导通导通存在问题:存在问题:交越失真!交越失真!u u
15、bebe 22时时,输出电流输出电流 如果能做到如果能做到I IR R与晶体管的参数无关与晶体管的参数无关,则则I IC1C1也就稳定了。而:也就稳定了。而:当满足当满足E EC CUUBEBE时时,上式可简化为上式可简化为则有:则有:R RR RR RR R1 11 1b/211+=RCII即即恒流源输出电流恒流源输出电流:0 00 0R R1 1第76页/共145页2023/3/1077比例电流源 3.3.比例电流源比例电流源(恒流源恒流源):由于V1与V2的发射结都处于导通状态,其伏安特性曲线十分陡峭(因为发射区都是重掺杂的),发射结正偏压的微小变化,就会导致发射极电流的显著变化,所以,
16、当IE1与IE2相差不大(小于10倍)时,对应的发射结正偏压UBE1与UBE2相差十分微小。因此,在 的范围内,可以近似认为UBE1=UBE2,即:第77页/共145页2023/3/1078当当11时时所以在所以在 的范围内的范围内改变发射极电阻比获得不同的输出电流改变发射极电阻比获得不同的输出电流第78页/共145页2023/3/10791 1、基于比例电流源的多路电流源、基于比例电流源的多路电流源多多 路路 电电 流流 源源 电电 路:路:集成电路有多级电路,各集成电路有多级电路,各级都需要偏置,偏置电流级都需要偏置,偏置电流又各不相同,此时选用多又各不相同,此时选用多路电流源较合适。路电
17、流源较合适。多路比例电流源的多路比例电流源的I IR R(E(EC C-V-VBEBE)/(R+R)/(R+Re1e1)I IC1C1=I=IR R-I-IB B因各管参数相近因各管参数相近:I IR RR Re1e1IIE2E2R Re2e2IIE3E3R Re3e3IIE4E4R Re4e4由式可见由式可见:通过改变通过改变R Rx x就可改变电流就可改变电流具有多路输出的电流源具有多路输出的电流源R R第79页/共145页2023/3/10802 2、多集电极管构成的多路电流源、多集电极管构成的多路电流源 图图 4.2.74.2.7右图所示为电路右图所示为电路多集电极管构成多集电极管构成
18、的多路电流源。的多路电流源。此类管当基极电流一定时,各集此类管当基极电流一定时,各集电极电极电流之比电流之比等于它们的等于它们的集电集电区面积之比区面积之比。设图中各集电区面积为:设图中各集电区面积为:S S0 0、S S1 1、S S2 2,对应的电流:,对应的电流:I IC0C0、I IC1C1、I IC2C2,则有:,则有:I IC1C1/I/IC0C0=S=S1 1/S/S0 0、I IC2C2/I/IC0C0=S=S2 2/S/S0 0再知道再知道I IB B与任一与任一I IC C比例即可。比例即可。第80页/共145页2023/3/1081第五章第五章 主要问题主要问题伏频特性、
19、相频特性伏频特性、相频特性波特图、通频带波特图、通频带晶体管的晶体管的混合混合参数等效模型参数等效模型场管的高频等效模型场管的高频等效模型增益带宽积概念增益带宽积概念放大电路的频响放大电路的频响低、中、高频放大倍数低、中、高频放大倍数多极电路频响参数计算多极电路频响参数计算集成运放频响、集成运放频响、频率补偿频率补偿频响与阶跃响应频响与阶跃响应第81页/共145页2023/3/1082频率特性的一般概念频率特性的一般概念 对含电容电路,对含电容电路,1/1/C C 为为电容的容抗。高频时容抗电容的容抗。高频时容抗1/1/CRCR,电容电容可视为短路可视为短路;而低频时而低频时,由于耦合电容的容
20、抗变大由于耦合电容的容抗变大,1/,1/C C R R不成立,不成立,其影响则不能忽略。此时输出相对与输入将产生衰减。其影响则不能忽略。此时输出相对与输入将产生衰减。定义定义:当放大倍数下降到中频区放大倍数的当放大倍数下降到中频区放大倍数的0.7070.707倍时倍时,即即 时的频率称为下限频率时的频率称为下限频率f fL L。考虑频率特性时的考虑频率特性时的等效电路等效电路高通高通第82页/共145页2023/3/1083高通电路的频响高通电路的频响 将复变量 用幅值、相角表示:幅频特性相频特性 依依上二式分别画出幅值、相移随频率的上二式分别画出幅值、相移随频率的变化曲线即得幅频、相频特性曲
21、线。变化曲线即得幅频、相频特性曲线。讨论:讨论:当当f ff fL L时,时,|A Au u|1,0|1,0 当当f ff fL L时时,|A Au u|0.7070.707,4545 当当f ff fL L时时,|,|A Au u|f/f|f/fL L,|A Au u|随随f f下降下降,f f00,|A Au u|00,9090 f fL L高通电路的下限截止频率高通电路的下限截止频率 f fL LI第83页/共145页2023/3/1084波波 特特 图图 放放大电路的放大倍数的变化范围和输入信号大电路的放大倍数的变化范围和输入信号频率的变化范围通常都很大,为在同一坐标系中频率的变化范围
22、通常都很大,为在同一坐标系中表示如此宽变化范围的两个量,画幅频、相频曲表示如此宽变化范围的两个量,画幅频、相频曲线时常采用线时常采用对数坐标对数坐标;以此方式得到的幅频、相;以此方式得到的幅频、相频曲线称为频曲线称为波特图。波特图。波波特图由对数幅频特性和对数相频特性两部特图由对数幅频特性和对数相频特性两部分组成,横轴用对数标分组成,横轴用对数标 ,纵轴:幅频特,纵轴:幅频特性用对数性用对数坐标坐标 (dB)dB),相频特性仍用相频特性仍用表示。表示。第84页/共145页2023/3/1085高通电路与低通电路的波特图高通电路与低通电路的波特图图图 5.1.35.1.3高通电路对数幅频特性:当
23、当f ff fL L 时,时,2020lglg|A Au u|0,0,00;当当f ff fL L 时时,45,45,2020lglg|A Au u|-3-3dB;dB;当当f ff fL L时时,20,20lglg|A Au u|2020lgf/flgf/fL L 低通电路对数幅频特性:当当f ff fH H 时,时,2020lglg|A Au u|0,0,00;当当f ff fH H时时,4545,2020lglg|A Au u|-3-3dBdB;当当f ff fH H时时,20,20lglg|A Au u|-|-2020lgf/flgf/fH H 高通高通低通低通波特图的波特图的画法介绍
24、:画法介绍:波特图的特点:波特图的特点:幅频特性幅频特性:在通频带上为在通频带上为0 0dB,dB,转折频转折频率处为率处为-3-3dB,dB,通带外以通带外以2020dB/dB/十倍频十倍频相频特性相频特性:在通频带上为在通频带上为0 0,转折频率转折频率处为处为4545,通带外以通带外以9090,变化发生变化发生在在0.10.1f fI I 10f10fI I之间。之间。近似波特图近似波特图:实际应用时常将波特图实际应用时常将波特图的曲线折线化的曲线折线化,拐点拐点f fI I、0.10.1f fI I、10f10fI I第85页/共145页2023/3/1086混合混合模型的简化模型的简
25、化进一步的简化进一步的简化1、单向化将跨接在b、c两端的C C等效到输入、输出端,分别为C C和C C。2 2、输入电容等效为C C,C C C C,且C C的容抗远大于集电极总负载R RL L因此也可不作考虑。3 3、最终的混合模型:第86页/共145页2023/3/1087单管共射放大电路频响的波特图单管共射放大电路频响的波特图放大倍数:中频:低频:高频:综合各频段的放大倍数,可见全频段放大倍数:第87页/共145页2023/3/1088单管共射放大电路的单管共射放大电路的波特图波特图图图 5.4.55.4.5 通频带:通频带:f fbw bw=f=fH H-f-fL L中频段频率特性:中
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 信息 通信 复习 参考
限制150内