微电子器件解.pptx

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1、第 2 章 1、在 N 区耗尽区中，高斯定理为：取一个圆柱形体积，底面在 PN 结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于 x 处。则由高斯定理可得：当 x=xn 时，E(x)=0，因此 ，于是得：（2-5a）第1页/共42页 3、第2页/共42页 4、第3页/共42页 6、ND2 ND1 第4页/共42页第5页/共42页 8、(1)第6页/共42页第7页/共42页(2)第8页/共42页第9页/共42页 20、第10页/共42页 24、PN 结的正向扩散电流为式中的 I0 因含 ni2 而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为于是 PN 结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为

2、第11页/共42页 31、当 N-区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：当 N-区缩短到 W=3 m 时，雪崩击穿电压成为：第12页/共42页 34、第13页/共42页 39、第14页/共42页第 3 章 1、NPN 缓变基区晶体管在平衡时的能带图 NPN 缓变基区晶体管在放大区时的能带图第15页/共42页 2、NPN 缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图第16页/共42页 3、第17页/共42页 6、第18页/共42页 7、8、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（3-33a）和式（3-33b），再根据注入效率的定义，可得：第19页/共42页 9、第20页/共42页

3、10、(1)(2)(3)(4)第21页/共42页 14、第22页/共42页 15、第23页/共42页 20、当忽略基区中的少子复合及 ICEO 时，第24页/共42页第25页/共42页 27、实质上是 ICS 。22、第26页/共42页 使 NB NC，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。39、为提高穿通电压 Vpt ，应当增大 WB 和 NB，但这恰好与提高 相矛盾。解决方法：第27页/共42页 48、当 IE 很大时，这时 0 ；在 IE 很小或很大时，都会有所下降。在正常的 IE 范围内，几乎不随 IE 变化，这时 0 与 也有类似的关系。第28页/共42页 58、第29页/共42页第30页/共42页 59、第31页/共42页65、(1)(3)(2)(4)第32页/共42页 68、第33页/共42页第 5 章 1、第34页/共42页 3、第35页/共42页第36页/共42页 5、第37页/共42页6、第38页/共42页第39页/共42页 8、第40页/共42页13、第41页/共42页感谢您的观看！第42页/共42页