太原理工大学模电复习资料图文.ppt
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1、模拟电子技术基础 第一章、常用半导体器件1.1半导体基础知识 2、伏安特性 类似于PN结的伏安特性,正向电流减小,反向电流增大Uon:开启电压硅:0.5V锗:0.1V导通电压:硅:0.7V锗:0.2V 此时电压电流近似线性3、主要参数1)最大整流电流:最大正向平均电流2)最大反向工作电压:通常取击穿电压的一半3)反向电流:未击穿时的反向电流 越小,单向导电性越好4)最高工作频率4、等效电路1.2.5稳压二极管与普通二极管的区别主要参数:1、稳定电压2、稳定电流3、额定功耗4、动态电阻1.3双极型晶体管1.3.1三极管的结构和类型1、结构2、作用:放大、开关3、结构上满足:a、发射区掺杂浓度集电
2、区掺杂浓度、集电区掺杂浓度基区掺杂浓度 b、基区必须很薄,一般只有几微米1.3.2电流放大作用1、条件:内部 外部:发射结正偏,集电结反偏 NPN:VcVbVe PNP:VcVbVe 共射放大电路 2、放大原理(以NPN为例)A、发射区向基区注入电子B、电子在基区的扩散电子在基区复合形成C、电子被集电极收集 反向饱和电流 双极型晶体管 电流控制电流器件3、分配关系 p25的式1.3.1有误共射直流电流放大系数共射直流电流放大系数因为所以1.3.3三极管的特性曲线(NPN)1、输入特性曲线2、输出特性(1)截止区(2)放大区(3)饱和区:集电结正偏规定:Vce=Vbe时临界饱和,此时第二章 基本
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