光电阴极和光电倍增管.ppt
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1、关于光电阴极与光电倍增管第一张,PPT共六十二页,创作于2022年6月与普通二极管相比与普通二极管相比共同点:共同点:一个一个PNPN结,单向导电性结,单向导电性不同点:不同点:(1 1)受光面大,)受光面大,PNPN结面积更大,结面积更大,PNPN结深度较浅结深度较浅(2 2)表面有防反射的)表面有防反射的SiOSiO2 2保护层保护层(3 3)外加反偏置)外加反偏置与光电池相比与光电池相比共同点:共同点:均为均为PNPN结,利用光伏效应,结,利用光伏效应,SiOSiO2 2保护膜保护膜不同点:不同点:(1 1)结面积比光电池的小,频率特性好)结面积比光电池的小,频率特性好;(2 2)光生电
2、势与光电池相同,但电流比光电池小)光生电势与光电池相同,但电流比光电池小;(3 3)可在零偏压下工作,常在反偏置下工作。)可在零偏压下工作,常在反偏置下工作。第二张,PPT共六十二页,创作于2022年6月3.3.光电三极管的电流关系及电连接方法光电三极管的电流关系及电连接方法根据共发射极电流关系有:根据共发射极电流关系有:IbIp Ic =Ie=(1+)Ib=(1+)Ip=(1+)ESE第三张,PPT共六十二页,创作于2022年6月4.4.象限探测器象限探测器5.PIN5.PIN光电二极管光电二极管 由于由于I I层比层比PNPN结宽的多,光生电流增大结宽的多,光生电流增大;由于耗尽层变宽,结
3、电容变小;提高响应速度由于耗尽层变宽,结电容变小;提高响应速度;由于由于I I层电阻率很高,故能承受的电压增大层电阻率很高,故能承受的电压增大;第四张,PPT共六十二页,创作于2022年6月OxA6.PSD6.PSD位置传感器位置传感器7 7雪崩光电二极管;雪崩光电二极管;第五张,PPT共六十二页,创作于2022年6月第第3 3章章 光电阴极与光电倍增管光电阴极与光电倍增管第六张,PPT共六十二页,创作于2022年6月 本章主要内容:本章主要内容:3.1 3.1 阴极与阴极电子学阴极与阴极电子学3.2 3.2 外光电效应外光电效应3.2 3.2 光电阴极光电阴极2.32.3光电管和光电倍增管光
4、电管和光电倍增管第七张,PPT共六十二页,创作于2022年6月l阴极(阴极(CathodeCathode)电子器件中发射电子的一极(电子源)电子器件中发射电子的一极(电子源)l阴极电子学阴极电子学 研究:研究:1 1)电子和离子从固体表面的发射过程)电子和离子从固体表面的发射过程 2 2)粒子)粒子 固体表面相互作用的物理过程固体表面相互作用的物理过程3.1 3.1 阴极与阴极电子学阴极与阴极电子学第八张,PPT共六十二页,创作于2022年6月l 从能带理论浅谈电子发射从能带理论浅谈电子发射 【思考思考】如何使体内电子逸出?如何使体内电子逸出?第九张,PPT共六十二页,创作于2022年6月第一
5、种方式第一种方式第二种方式第二种方式使体内电子逸出的方法:使体内电子逸出的方法:1)增加电子能量)增加电子能量2)削弱阻碍电子逸出的力)削弱阻碍电子逸出的力第十张,PPT共六十二页,创作于2022年6月阴极发射电子(第一种方式)阴极发射电子(第一种方式)阴极发射电子(第一种方式)阴极发射电子(第一种方式)1.1.增加电子能量增加电子能量克服表面势垒而逸出克服表面势垒而逸出阴极阴极加热加热T T足够高足够高部分电子获得足够能量部分电子获得足够能量(1 1)热电子发射)热电子发射(热阴极)(热阴极)金属金属半导体半导体E=E0-EF第十一张,PPT共六十二页,创作于2022年6月阴极发射电子(第一
6、种方式)阴极发射电子(第一种方式)阴极发射电子(第一种方式)阴极发射电子(第一种方式)1.1.增加电子能量增加电子能量克服表面势垒而逸出克服表面势垒而逸出阴极阴极加热加热T T足够高足够高部分电子获得足够能量部分电子获得足够能量(1 1)热电子发射)热电子发射(热阴极)(热阴极)光辐射光辐射 物体物体 体内电子吸收光量子后逸出体内电子吸收光量子后逸出(2 2)光电子发射)光电子发射(光电阴极)(光电阴极)第十二张,PPT共六十二页,创作于2022年6月阴极发射电子(第一种方式)阴极发射电子(第一种方式)阴极发射电子(第一种方式)阴极发射电子(第一种方式)光辐射光辐射 物体物体 体内电子吸收光量
7、子后逸出体内电子吸收光量子后逸出(2 2)光电子发射)光电子发射(光电阴极)(光电阴极)半导体光电子主要发射分三类:半导体光电子主要发射分三类:本征发射:价带电子本征发射:价带电子导带电子导带电子 h hEEC C-E-EV V杂质发射:杂质能级电子杂质发射:杂质能级电子导带电子导带电子 h h E Eg g自由载流子发射:自由载流子自由载流子发射:自由载流子导带电子导带电子 忽略不计忽略不计 半导体光电子主要发射分三步:半导体光电子主要发射分三步:对光子的吸收对光子的吸收电子向表面运动电子向表面运动克服表面势垒而逸出克服表面势垒而逸出第十三张,PPT共六十二页,创作于2022年6月阴极发射电
8、子(第一种方式)阴极发射电子(第一种方式)阴极发射电子(第一种方式)阴极发射电子(第一种方式)1.1.增加电子能量增加电子能量克服表面势垒而逸出克服表面势垒而逸出阴极阴极加热加热T T足够高足够高部分电子获得足够能量部分电子获得足够能量(1 1)热电子发射)热电子发射(热阴极)(热阴极)光辐射光辐射 物体物体 体内电子吸收光量子后逸出体内电子吸收光量子后逸出(2 2)光电子发射)光电子发射(光电阴极)(光电阴极)(3 3)次级电子发射)次级电子发射(次级电子发射体)(次级电子发射体)初始能量电子初始能量电子 轰击物体轰击物体 体内电子获得能量逸出体内电子获得能量逸出第十四张,PPT共六十二页,
9、创作于2022年6月2.2.降低阻碍电子逸出的力降低阻碍电子逸出的力(4 4)场致发射)场致发射(场发射阴极)(场发射阴极)固体表面施加强电场固体表面施加强电场 削弱势垒削弱势垒 体内部分电子体内部分电子通过通过隧道效应隧道效应进入真空进入真空量子隧穿示意图量子隧穿示意图IIIIII阴极发射电子(第二种方式)阴极发射电子(第二种方式)阴极发射电子(第二种方式)阴极发射电子(第二种方式)第十五张,PPT共六十二页,创作于2022年6月CRTCRT(Cathode Ray TubeCathode Ray Tube)和和 FED(Field Emission Display)阴极的应用举例阴极的应用
10、举例阴极射线管(阴极射线管(CRT)第十六张,PPT共六十二页,创作于2022年6月CRT(CathodeRayTube)和和 FED(Field Emission Display)索尼索尼20102010 被视为继液晶、等离子、OLED之后的第四大平板显示技术场致发射显示器(场致发射显示器(FED)第十七张,PPT共六十二页,创作于2022年6月MoSiO2GlassMoSi场发射阵列制作过程场发射阵列制作过程第十八张,PPT共六十二页,创作于2022年6月第十九张,PPT共六十二页,创作于2022年6月 金属或半导体受光照时,如果入射的光子能量金属或半导体受光照时,如果入射的光子能量hh足
11、够大,它足够大,它和物质中的电子相互作用,使电子从材料表面逸出的现象,和物质中的电子相互作用,使电子从材料表面逸出的现象,也称为外光电效应。它是真空光电器件光电阴极的物理基础。也称为外光电效应。它是真空光电器件光电阴极的物理基础。3.2 3.2 外光电效应外光电效应第二十张,PPT共六十二页,创作于2022年6月 当照射到光阴极上的入射光频率或频谱成当照射到光阴极上的入射光频率或频谱成分不变时,饱和光电流(即单位时间内发射的分不变时,饱和光电流(即单位时间内发射的光电子数目)与入射光强度成正比:光电子数目)与入射光强度成正比:I Ik :光电流:光电流e e :光强:光强S Se :该阴极对入
12、射光线的灵敏度:该阴极对入射光线的灵敏度u 光电发射第一定律光电发射第一定律斯托列托夫定律斯托列托夫定律第二十一张,PPT共六十二页,创作于2022年6月u 光电发射第二定律光电发射第二定律爱因斯坦定律爱因斯坦定律 光电子的最大动能与入射光的频率成正比,而与入、光电子的最大动能与入射光的频率成正比,而与入、射光强度无关:射光强度无关:Emax:光电子的最大初动能。:光电子的最大初动能。h:普朗克常数。普朗克常数。0:产生光电发射的极限频率,频率阈值。产生光电发射的极限频率,频率阈值。W:金属电子的逸出功(从材料表面逸出时所需的金属电子的逸出功(从材料表面逸出时所需的 最低最低 能量),单位能量
13、),单位eV,与材料有关的常数,与材料有关的常数,也称功函数。也称功函数。Emax=(1/2)m2max=h-h0=h-W第二十二张,PPT共六十二页,创作于2022年6月 入射光子的能量至少要等于逸出功时,才能发生光电入射光子的能量至少要等于逸出功时,才能发生光电发射。发射。波长阈值:波长阈值:hWhc/Whc/W=1.24/A0.76m)发射电子,必须寻求低于(?)的)发射电子,必须寻求低于(?)的低能阈值材料。低能阈值材料。1.63eV第二十三张,PPT共六十二页,创作于2022年6月图图 光电子最大动能与入射光频率的关系光电子最大动能与入射光频率的关系0 0WWmaxmax0(1/2)
14、m2max=h-h0=h-W为什么会弯曲?第二十四张,PPT共六十二页,创作于2022年6月3.3 3.3 光电阴极光电阴极 能够产生光电发射效应的物体称为光电发射体,光电发射体能够产生光电发射效应的物体称为光电发射体,光电发射体在光电器件中常与阴极相联故称为光电阴极在光电器件中常与阴极相联故称为光电阴极 。什么是光电阴极?什么是光电阴极?阴极第二十五张,PPT共六十二页,创作于2022年6月常用的光电阴极材料常用的光电阴极材料反射系数大、吸收系数小、反射系数大、吸收系数小、碰撞损失能量大、逸出功碰撞损失能量大、逸出功大适应对紫外灵敏的大适应对紫外灵敏的光电探测器。光电探测器。光吸收系数大得多
15、,散射能光吸收系数大得多,散射能量损失小,量子效率比金属量损失小,量子效率比金属大得多光谱响应:可见大得多光谱响应:可见光和近红外波段。光和近红外波段。金属:金属:半导体:半导体:常规光电阴极常规光电阴极负电子亲和势阴极负电子亲和势阴极 半导体材料广泛用作光电阴极半导体材料广泛用作光电阴极 第二十六张,PPT共六十二页,创作于2022年6月1.1.灵敏度灵敏度光照灵敏度光照灵敏度色光灵敏度色光灵敏度光谱灵敏度光谱灵敏度灵敏度灵敏度色温色温2856K2856K的钨丝灯的钨丝灯(1)(1)光照灵敏度光照灵敏度 在一定的在一定的白光白光照射下,光电阴极的照射下,光电阴极的光电流与入射的白光光光电流与
16、入射的白光光通量之比通量之比,也称白光灵敏度或积分灵敏度。也称白光灵敏度或积分灵敏度。它表示在某些特定的波长区域,阴极光电流与入射光的光通量之它表示在某些特定的波长区域,阴极光电流与入射光的光通量之比。比。(2)(2)色光灵敏度色光灵敏度 一般用插入不同的滤光片来获得不同的光谱范围,滤光片的透射一般用插入不同的滤光片来获得不同的光谱范围,滤光片的透射比不同,它又分别称为比不同,它又分别称为蓝光灵敏度、红光灵敏度及红外灵敏蓝光灵敏度、红光灵敏度及红外灵敏。实际上是局部波长范围的积实际上是局部波长范围的积分灵敏度分灵敏度QB:QB:中国青色或兰色玻璃中国青色或兰色玻璃(德国德国:BG):BG)HB
17、:HB:中国红色玻璃中国红色玻璃第二十七张,PPT共六十二页,创作于2022年6月 2.2.量子效率量子效率 阴极发射的阴极发射的光电子数光电子数 Ne()与与入射的光子数入射的光子数 Np()之比,称之比,称为量子效率为量子效率:根据定义根据定义:量子效率和光谱灵敏度之间的关系为量子效率和光谱灵敏度之间的关系为:式中式中,单位为单位为nm;S()为光谱灵敏度为光谱灵敏度,单位为单位为A/W。波长一定的单色光照射时,光电阴极发出的光电流与入波长一定的单色光照射时,光电阴极发出的光电流与入射的单色光通量之比。射的单色光通量之比。(3)(3)光谱灵敏光谱灵敏度度第二十八张,PPT共六十二页,创作于
18、2022年6月 光电阴极中有一些电子的光电阴极中有一些电子的热能热能有可能大于光电阴极逸有可能大于光电阴极逸出功,出功,因而可产生热电子发射因而可产生热电子发射。室温下典型光电阴极每室温下典型光电阴极每秒每平方厘米发射的热秒每平方厘米发射的热电子相当于电子相当于l0-16 10-17A/cm2的电流密度的电流密度3.3.光谱响应曲线光谱响应曲线 光电阴极的光谱灵敏度与入射光波长的关系曲线,称光电阴极的光谱灵敏度与入射光波长的关系曲线,称为光谱响应曲线。为光谱响应曲线。4.4.暗电流暗电流S()/nm为什么会有峰值?为什么会有峰值?第二十九张,PPT共六十二页,创作于2022年6月光电阴极一般分
19、为光电阴极一般分为:透射型与反射型两种透射型与反射型两种。不透明阴极通常较厚,不透明阴极通常较厚,光照射到阴极上,光电子光照射到阴极上,光电子从同一面发射出来,所以从同一面发射出来,所以不透明光电阴极又称为不透明光电阴极又称为反反射型阴极射型阴极(二二).).光电阴极的分类光电阴极的分类 透射型阴极通常制作在透射型阴极通常制作在透明介质上,光通过透明透明介质上,光通过透明介质后入射到光电阴极上。介质后入射到光电阴极上。光电子则从光电阴极的另光电子则从光电阴极的另一边发射出来,所以透射一边发射出来,所以透射型阴极又称为型阴极又称为半透明光电阴半透明光电阴极。极。光阳极 A阴极 K光透射型反射型第
20、三十张,PPT共六十二页,创作于2022年6月(三三).).常用光电阴极材料常用光电阴极材料 透射型光谱响应透射型光谱响应:300nm300nm到到1200nm1200nm,反射型光谱响应,反射型光谱响应:300m300m到到1100nm1100nm。Ag-O-CsAg-O-Cs光电阴极主要应用于光电阴极主要应用于近红外探测。可见光近红外探测。可见光区域内量子效率低于区域内量子效率低于0.43%0.43%。如。如S-1S-1所示。所示。(1)Ag-O-Cs具有良好的可见和近红外响应。具有良好的可见和近红外响应。350 nm,800 nm350 nm,800 nm第三十一张,PPT共六十二页,创
21、作于2022年6月(三三).).常用光电阴极材料常用光电阴极材料(1)Ag-O-Cs具有良好的可见和近红外响应。具有良好的可见和近红外响应。(2)单碱锑化合物单碱锑化合物(PEA)量子效率一般高达量子效率一般高达20%20%30%30%,比银氧比银氧铯光电阴极高铯光电阴极高3030多倍。多倍。如如S-4S-4。金属锑与碱金属锂、钠、钾、铯中的一种构成的化合物,都是能形成金属锑与碱金属锂、钠、钾、铯中的一种构成的化合物,都是能形成具有稳定光电发射的发射材料,具有稳定光电发射的发射材料,CsSbCsSb最为常用,在最为常用,在紫外和可见光区的灵敏度紫外和可见光区的灵敏度最高。最高。第三十二张,PP
22、T共六十二页,创作于2022年6月(三三).).常用光电阴极材料常用光电阴极材料(1)Ag-O-Cs具有良好的可见和近红外响应。具有良好的可见和近红外响应。(2)单碱锑化合物单碱锑化合物(PEA)(3)多碱锑化合物多碱锑化合物(PEA)锑和几种碱金属形成的化合物包括双碱锑材料锑和几种碱金属形成的化合物包括双碱锑材料Sb-Na-KSb-Na-K、Sb-K-CsSb-K-Cs和三碱和三碱锑材料锑材料Sb-Na-K-CsSb-Na-K-Cs等,等,Sb-Na-K-CsSb-Na-K-Cs是最实用的光电阴极材料,具有高灵敏是最实用的光电阴极材料,具有高灵敏度和宽光谱响应,度和宽光谱响应,如如S-20S
23、-20 。其红外端可延伸其红外端可延伸到到930nm930nm,量子效率高于,量子效率高于20%20%。适用于宽带光谱测量仪适用于宽带光谱测量仪.第三十三张,PPT共六十二页,创作于2022年6月(三三).).常用光电阴极材料常用光电阴极材料(1)Ag-O-Cs具有良好的可见和近红外响应。具有良好的可见和近红外响应。(2)单碱锑化合物单碱锑化合物(PEA)(3)多碱锑化合物多碱锑化合物(PEA)(4)紫外光电阴极材料紫外光电阴极材料 某些应用,要求光电阴极材料只对所探测的紫外辐射某些应用,要求光电阴极材料只对所探测的紫外辐射灵敏,对可见光无响应。这种材料通常称为灵敏,对可见光无响应。这种材料通
24、常称为“日盲日盲”型光型光电阴极材料,也称紫外光电阴极材料。目前实用的紫外光电阴极材料,也称紫外光电阴极材料。目前实用的紫外光电阴极电阴极碲化铯碲化铯(CsTe)(CsTe)和和碘化铯碘化铯(Csl)(Csl)两种。两种。长波限为长波限为0.32m长波限为长波限为0.2m第三十四张,PPT共六十二页,创作于2022年6月(三三).).常用光电阴极材料常用光电阴极材料(1)Ag-O-Cs具有良好的可见和近红外响应。具有良好的可见和近红外响应。(2)单碱锑化合物单碱锑化合物(PEA)(3)多碱锑化合物多碱锑化合物(PEA)(4)紫外光电阴极材料紫外光电阴极材料 负电子亲和势负电子亲和势材料制作的光
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