一维磁性纳米阵列材料--闫种可剖析.ppt
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1、一维磁性纳米阵列材料一维磁性纳米阵列材料-闫种可剖析闫种可剖析磁记录介质的发展一维磁性纳米线阵列的研究现状一维磁性纳米线列的磁学性质磁性纳米线阵列的潜在应用基于AAO的一维磁性纳米线阵列的制备计算机磁盘的结构硬盘的存储密度在不同的时间磁记录密度增长图硬盘的存储密度在不同的时间磁记录密度增长图水平磁记录与垂直磁记录中磁介质排列的原理图水平磁记录与垂直磁记录中磁介质排列的原理图水平磁记录与垂直磁记录中磁介质排列的原理图水平磁记录与垂直磁记录中磁介质排列的原理图近年来在高密度磁记录方面的研究热点主要是垂直磁记录,其中一个重大的突破就是量子磁盘,磁存储密度高达量子磁盘扫描电镜图量子磁盘扫描电镜图量子磁
2、盘示意图量子磁盘示意图一维磁性纳米阵列的研究现状一维磁性纳米阵列的研究现状 由于磁性纳米线阵列在高密度垂直磁记录领域有着诱人的应用前景 最近几年有关磁性纳米阵列制备这方面的研究日趋活跃。1985年,日本M.shiraki小组,制备并研究了铁、钴、镍纳米线阵列的磁特性,但他们制备的纳米线并不是有序的。1993年,Whitney和C.Lchien等人在高分子模板中用电化学制备方法沉积镍、钴纳米线阵列,研究并发现制备的磁性纳米线阵列具有高矫顽力、高矩形比的磁学特性,磁性纳米线阵列在超高密度磁存储方面的潜在应用引起人们的广泛关注。2000年 于冬亮等人阳极氧化铝膜内电沉积制得钴纳米线阵列制备出高度有序
3、的钴纳米线阵列 对其结构和性能进行研究表明 钴纳米线是一种密排六方结构 其阵列体系具有高的矫顽场和矩形比 可预期用来作为良好的垂直磁记录材料2003年 Pham-Huu等首次在多壁碳纳米管中制备了 纳米线 讨论了退火条件对纳米线形貌和结晶的影响 并对其磁学性能进行了表征磁记录介质的发展趋势与要求 磁记录是当今应用面最广的一种信息记录方式,它可以记录一切可转换成电讯号的信息。磁记录介质具有记录密度高、稳定可靠、可反复使用、可记录频率范围宽、信息写入后可马上读出、价格便宜等优点,目前已被广泛应用于广播、电视、电影、文化教育、医疗卫生、自动控制、地质勘探、电子计算技术、军事技术、宇宙航行和家庭娱乐等
4、领域。垂直磁记录介质要求:磁记录的密度,是由磁记录介质的性能所决定的。作为一种优异的磁记录介质,它应该具有良好的磁性 磁记录介质属于永磁材料,它之所磁记录介质属于永磁材料,它之所以能长期保存记录的信息,是依靠材料以能长期保存记录的信息,是依靠材料的剩余磁感应强度。这就要求介质具有的剩余磁感应强度。这就要求介质具有足够高的矫顽力,以防止磁化后自退磁足够高的矫顽力,以防止磁化后自退磁和外磁场的干扰,避免记录信息的消失。和外磁场的干扰,避免记录信息的消失。但矫顽力的大小应与使用的磁头所能产但矫顽力的大小应与使用的磁头所能产生的磁场大小相匹配。一般要求介质的生的磁场大小相匹配。一般要求介质的HcHc在
5、在600oe600oe左右左右;但在高密度记录时使用但在高密度记录时使用的介质的的介质的HcHc已高达已高达 2000oe2000oe左右。左右。(a)高矫顽力Hc 这样的磁记录介质在第二象限的退磁曲线的形状变得更方,可以提高高频记录的输出。一般要求 Hc/Hc0.8 磁性纳米线阵列可以作为一种可能的高密度垂磁性纳米线阵列可以作为一种可能的高密度垂磁性纳米线阵列可以作为一种可能的高密度垂磁性纳米线阵列可以作为一种可能的高密度垂直磁记录介质,它的理论记录可以高达直磁记录介质,它的理论记录可以高达直磁记录介质,它的理论记录可以高达直磁记录介质,它的理论记录可以高达400Gb/in400Gb/in4
6、00Gb/in400Gb/in有有有有望将磁记录介质的存储密度上升一个新的台阶望将磁记录介质的存储密度上升一个新的台阶望将磁记录介质的存储密度上升一个新的台阶望将磁记录介质的存储密度上升一个新的台阶(c)矩形比 要尽可能高基于AAO的一维磁性纳米阵列的制备 一维磁性纳米材料主要是指磁性材料的纳米棒、纳米线和纳米管,以及以它们为结构单元组成的复合体系。(a)电化学沉积法 这种方法主要用在高分子模板或氧化铝模板中制备各种金属纳米线(b)无电沉积法 无电沉积是通过电化学还原剂将金属从溶液中沉积到表面(c)化学聚合法 化学聚合法是将模板浸入到含有单体和聚合物引发剂的溶液中,使单体在模板孔洞内生成高聚物
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