六章节可编程逻辑电路.ppt
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1、六章节可编程逻辑电路 Still waters run deep.流静水深流静水深,人静心深人静心深 Where there is life,there is hope。有生命必有希望。有生命必有希望目录目录6-2 只读存储器只读存储器(ROM)6-3 随即存储器随即存储器(RAM)6-4 可编程逻辑器件该述可编程逻辑器件该述(PAD)6-5 通用阵列逻辑通用阵列逻辑GAL6-1 导论导论6-6 现场可编程门阵列现场可编程门阵列 FPGA最常用的可编程逻辑器件最常用的可编程逻辑器件 可编程逻辑器件可编程逻辑器件PLD(Programmable Logic Device)是一大类器件的总称是一大
2、类器件的总称,包括包括:ROM(Read-Only Memory)只读存储器只读存储器PLA(Programmable Logic Array)可编程逻辑阵列可编程逻辑阵列PAL(Programmable Array Logic)可编程阵列逻辑可编程阵列逻辑GAL(General Array Logic)通用阵列逻辑通用阵列逻辑还有还有FPGA,CPLD等等6-1 导论导论 6-2 只读存储器只读存储器(ROM)两大类存储器(两大类存储器(Memory)ROM(Read-Only Memory)一旦信息写入,在机器上只读一旦信息写入,在机器上只读RAM(Random-Access Memory
3、)随机存储器,在运行状态可读可写随机存储器,在运行状态可读可写ROM功能功能存放固定信息存放固定信息程序,常数,指令,程序,常数,指令,.ROM的优点的优点信息非信息非“易失易失”(Nonvolatile)简单,容量大简单,容量大ROM分类分类ROMPROMMask PROMEPROMUV EPROME2PROMFlash E2PROMStandard E2PROMOTP PROM多次编程多次编程一次编程一次编程工厂编程工厂编程用户编程用户编程只读存储器只读存储器ROM分类分类ROMROM 掩膜掩膜ROMROM内容只能读出,不能改变内容只能读出,不能改变.半导体厂家用掩膜技术写入程序半导体厂家
4、用掩膜技术写入程序成本低,成本低,适用于批量生产适用于批量生产不适用研究工作不适用研究工作 PROM PROM可编程可编程ROMROM内容只能读出,不能改变内容只能读出,不能改变.用户使用特殊方法进行编程,只用户使用特殊方法进行编程,只能写一次,一次编程不能修改。能写一次,一次编程不能修改。适用于批量生产适用于批量生产不适用研究工作不适用研究工作EPROMEPROM光可擦除光可擦除PROMPROM固化程序用紫外线光照固化程序用紫外线光照5 51515分钟擦除,分钟擦除,擦除后可以重新固化新的程擦除后可以重新固化新的程序和数据。序和数据。用户可以对芯片进行多次编程用户可以对芯片进行多次编程和擦除
5、。和擦除。适用于研究工作适用于研究工作不适用于批量生不适用于批量生产。产。E E2 2PROMPROM电可擦除电可擦除PROMPROM实现全片和字节擦写改写,实现全片和字节擦写改写,作为非易失性作为非易失性RAMRAM使用。使用。集成度和速度不及集成度和速度不及EPROMEPROM,价格高,价格高,擦写在原系统中在线进行。擦写在原系统中在线进行。Flash MemoryFlash Memory快速电擦写存储器快速电擦写存储器可以整体电擦除(时间可以整体电擦除(时间1S1S)和按字节重新高速编程。和按字节重新高速编程。CMOS CMOS 低功耗;低功耗;编程快编程快(每个字节编程(每个字节编程1
6、00s100s 整个芯片整个芯片0.5s0.5s););擦写次数多擦写次数多(通常可达到(通常可达到1010万)万)与与E E2 2PROMPROM比较:容量大、价格比较:容量大、价格低、可靠性高等优势。低、可靠性高等优势。用于用于PCPC机内装操机内装操作系统和系统不作系统和系统不能丢失初始功能能丢失初始功能的专门领域。的专门领域。需要周期性地修需要周期性地修改被存储的数据改被存储的数据表的场合。表的场合。内存内存细分细分信息存取方式信息存取方式特点特点用途用途ROM结构结构字线字线位线位线4字字4位位存储体存储体输出缓冲器输出缓冲器W0W1W2W3A0A1B3B2B1B0F3F2F1F0
7、地址地址译码器译码器地地址址ROM的的工作原理工作原理001100011100导通导通导通导通导通导通导通导通存储矩阵是一个存储矩阵是一个“或或”逻辑阵列逻辑阵列W3=A1A0m3m2W2=A1A0m1W1=A1A0m0W0=A1A0A0A1地地址址译译码码器器D3D2D1D0 简化的简化的 ROM存储矩阵阵列图存储矩阵阵列图有二极管有二极管有二极管有二极管无二极管无二极管无二极管无二极管存储体或阵列可以画为:存储体或阵列可以画为:W0W1W2W3B0 B1 B2 B3W0W1W2W3B0+W0W2B0+地址译码:与阵列地址译码:与阵列A0A1W0 W1 W2 W3A0_A0A1_A1A0A1
8、W0A0A0A1A1W0nROM字数很大时,译码系统很复杂。字数很大时,译码系统很复杂。n字数较大,采用多级译码字数较大,采用多级译码n字数很少,一级译码字数很少,一级译码PROM 与阵列固定、或阵列可编程与阵列固定、或阵列可编程W0 W1 W2 W3A0A1+Y0Y1Y2Y3固定连接固定连接可编程连接可编程连接不连接不连接8x4 ROMA0A1A2F0F1F2F3与阵列与阵列不可编程不可编程或阵列或阵列可编程可编程8个存储单元,每个单元存储个存储单元,每个单元存储4位二进制数码。位二进制数码。512 x 8PROM芯片结构芯片结构存储阵列存储阵列8-1Mux64x64译码译码64A8A3.缓
9、冲缓冲3A2A1A06位位3位位.F7 F6 .F0888CE0CE1CE2缓冲缓冲ROM的应用的应用1、位扩展、位扩展用用4片片32 8ROM扩展成扩展成32 32ROM。【例】【例】2、字扩展、字扩展用用256片片(512x8)ROM芯片扩展成芯片扩展成 128Kx8 ROM512x8ROM512x8ROM512x8ROM512x8ROM.16片片16片片4-164-16 译码译码列选择列选择行选择行选择_CE0_CE1【例【例1】用用2片片(32x8)ROM芯片扩展成芯片扩展成 128x4 ROM【例【例2】3、用存储器实现组合逻辑函数、用存储器实现组合逻辑函数【例【例1】试用试用ROM
10、设计一个八段字符显示的译码器。设计一个八段字符显示的译码器。1 0 0 0 1 1 1 01 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 01 1 1 0 0 1 1 1 1 0 1 01 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 01 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 01 0 1 1 1 1 1 1 1 0 1 01 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 11 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 11 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 10 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 10 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1
11、0 1 0 0 1 1 1 1 0 0 1 10 0 1 1 1 1 0 1 1 0 1 10 0 1 0 0 1 1 0 0 0 0 10 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 10 0 0 0a b c d e f g hD C B A显显 示示输输 出出输输 入入电路图电路图EN【例【例2】试用试用ROM产生如下的一组多输出逻辑函数产生如下的一组多输出逻辑函数Y1=DCB+DCBY2=DCBA+CBA+DCBAY3=DCBA+DCBAY4=DCBA+DCBA解:将原式化为最小项之和的形式解:将原式化为最小项之和的形式Y1=DCBA+DCBA+DCBA+DCBA=m2+m3+m6+m7Y
12、2=DCBA+DCBA+DCBA+DCBA=m6+m7+m10+m14Y3=DCBA+DCBA=m4+m14Y4=DCBA+DCBA=m2+m15点阵图点阵图Y1=DCBA+DCBA+DCBA+DCBA=m2+m3+m6+m7Y2=DCBA+DCBA+DCBA+DCBA=m6+m7+m10+m14Y3=DCBA+DCBA=m4+m14Y4=DCBA+DCBA=m2+m15DCBAm0m1m2m14m154、字符发生器、字符发生器字符:字符:0、1点阵组成点阵组成例如:字母例如:字母E111111000010000111101000010000111117x5点阵点阵7x5 ROM计计数数器器C
13、K译译码码器器RAM按着工作原理分为:6-3随机存储器1.静态随机存储器SRAM2.动态随机存储器DRAM一、静态一、静态RAM的结构和工作原理的结构和工作原理(1)静态存储单元图中VT1VT4构成RS触发器,用以存储二进制信息。VT5、VT6为门控管,其状态由行线(Xi)决定。Xi=1时,VT5、VT6导通,Q和的状态送至位线(Bj、)上。VT7、VT8是每列存储单元的门控管,其状态取决于列线Yj。Yj=1时,VT7、VT8导通,数据端D、和位线接通,并通过三态门G1G3进行读(输出)、写(输入)等操作。二、RAM的存储单元由G1G3三个三态缓冲器构成读写控制电路。时,G2、G3截止,G1导
14、通,数据D送至I/O线上,进行读出;时,G1截止,G2、G3导通,I/O线上的数据送入存储单元,进行写入。一个三MOS管动态单元,信息存储在VT2管的栅极电容Cg上,用Cg上的电压控制VT2的状态。读字线控制VT2管,写字线控制VT1管。VT4管是同列若干存储单元的写入时的预充管图7-2-3三管动态存储单元在进行读操作时,首先使位线上的电容CD预充到VDD,然后选通读字线为高电平,则VT3管导通。如果Cg上的电压超过了VT2管的开启电压,VT2和VT3均导通,CD将通过VT2和VT3放电到低电平。如果Cg上没有电荷VT2管截止,CD没有放电通路,仍保持预充后的高电平。可见,在读位线上获得的电平
15、和栅极电容Cg上的电平是相反的。通过读出放大器可将读位线上的电平数据送至存储器的输出端。图7-2-3三管动态存储单元在进行写操作时,控制写字线为高电平,使VT1管导通。由存储器输入端送来的信号传到写位线,通过VT1管控制Cg上的电位,将信息存储到Cg上。因为Cg存在漏电,需要对Cg上的信息定时刷新。可周期性的读出Cg上信息到读位线上,经过反相器,再对存储单元进行写操作,即可完成刷新。该电路中的预充电作用很重要,可以防止存储电容C1(或C2)上的电荷在数据读出时有损失,以免输出的高电平受破坏。6-4 可编程逻辑器件概述可编程逻辑器件概述PROM的特点:的特点:地址地址字,一一对应,所需存储容量大
16、字,一一对应,所需存储容量大信息表完全信息表完全nPLA针对针对ROM这一特点这一特点逻辑压缩逻辑压缩W0 W1 W2 W3A0A1+Y0Y1Y2Y3PROM与阵列固定、或阵列可编程与阵列固定、或阵列可编程W0 W1 W2 W3A0A1+Y0Y1Y2Y3PLA 与、或阵列均可编程与、或阵列均可编程集成化的集成化的PLA16路输入路输入8路输出路输出I0I1I15“或或”矩阵矩阵“与与”矩阵矩阵VCC48 P项项可控求反异或门可控求反异或门【例】【例】存储信息表存储信息表输输 入入输输 出出I3 I2 I1 I0F7 F6 F5 F4 F3 F2 F1 F00 0 0 00 0 0 0 0 0
17、0 00 0 0 10 0 0 0 0 0 0 10 0 1 00 0 0 0 0 1 0 00 0 1 10 0 0 0 1 0 0 10 1 0 00 0 0 1 0 0 0 00 1 0 10 0 1 1 1 0 0 10 1 1 00 0 0 0 0 1 0 00 1 1 10 0 1 1 0 0 0 11 0 0 00 1 0 0 0 0 0 01 0 0 10 1 0 1 0 0 0 11 0 1 00 1 0 0 0 1 0 01 0 1 10 1 0 1 0 0 0 11 1 0 00 0 0 1 0 0 0 01 1 0 10 0 0 0 1 0 0 11 1 1 01 1
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