最新左手材料简介PPT课件.ppt

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1、左手材料简介左手材料简介1、左手材料概念的提出、左手材料概念的提出左手材料就是介电常数0、磁导率0,n20时，20，即入射光线位于介面法线的两侧；（b）n10,n20时，20，那么入射光线与折射光线位于介面法线的同侧。2、反多普勒效应反多普勒效应若光源发出频率0 的光,而侦测器以速度v 接近光源时,在一般介质之中侦测器所接收到的电磁波频率将比0 高,而在左手材料中,因为能量传播的方向和相位传播的方向正好相反,所以如果二者相向而行,观察者接收到的频率会降低,则会收到比0低的频率,反之则会升高,从而出现反多普勒效应。3、左手材料的二次汇聚作用左手材料的二次汇聚作用一个点光源,若放置在左手材料薄板前

2、,该点光源在左手材料内会汇聚成像一次;并且在左手材料薄板的另一侧,该点光源也会汇聚成像一次.下面图示是就传播波(propagating waves),即远场(the far field)而言的。Pendry对左手材料的二次汇聚现象作了进一步的研究,发现左手材料薄板对消逝波,即近场,也有汇聚作用。这是一个惊人的理论成果.因为:传统的用右手材料制成的透镜只能汇聚远场的电磁波分量(即传播波),而近场的电磁波分量(即消逝波)因按指数规律衰减而不能参与成像。故传统透镜的分辨率受制于电磁波波长,即最大分辨率。从图1.5中可以看到:(a)近场在光源至左手材料薄板的一侧这段路程是按指数规律衰减的;(b)近场在

3、左手材料薄板中被放大;(c)在左手材料薄板的另一侧至成像点这段路程,近场又是按指数规律衰减的.左手材料对近场的放大作用是靠其表面等离子极化波.因此,用左手材料制成的透镜其分辨率不受制于电磁波波长,Pendry称其为完美透镜(perfect lens).对于普通的光学透镜来说，由于倏逝波成分所携带的物体信息被丢掉了，所以普通的光学透镜的分辨率总有一个可以和波长相比拟的极限。而左手材料透镜将不会丢失这些信息。左手材料透镜可以将所有能量，完全复制到像点。因为在和全为负值的时候，能流的方向和波矢方向总是相反的，因此常规材料中的衰减场进入左手材料后会变为增强场，常规材料中的增强场进入左手材料后会变为衰减

4、场。指数衰减的倏逝场进入透镜左端面后将变为指数增强场，左手材料平板可对常规材料中的倏逝场进行放大。从而使携带物体更微观细节信息的倏逝场参与了成像。“放大过”的倏逝场经过透镜右端面后重新变为衰减场，最后在像平面上恢复到原来的光场值。相对于普通透镜，左手材料平板透镜没有固定光轴，不受傍轴条件限制，且成正立、等大实像，最重要的是不仅能够捕获光场的传播波成分，而且能够捕获倏逝波成分，光场的所有成分都无损失地参与了成像，突破了衍射极限。因而左手材料平板透镜被称为“完美透镜（Perfect Lens）”5、反常Goos-Hnchen位移位移所谓的Goos-Hnchen位移是指当光波在两种介质的分界面处发生

5、全反射时，反射光束在界面上相对于几何光学预言的位置有一个很小的侧向位移，且该位移沿光波传播的方向。光波s分量和p分量的Goos-Hnchen位移大小为 因而，Goos-Hnchen位移大小仅与两种介质的相对折射率n21及入射光波方向1有关。引起Goos-Hnchen位移的原因是电磁波并非由界面直接反射，而是在深入介质2的同时逐渐被反射，其平均反射面位于穿透深度处。若介质2为左手材料，则该位移沿光波传播反方向，称为反常Goos-Hnchen位移1、微波段左手材料在无线通讯领域将有很大的应用前景微波段左手材料在无线通讯领域将有很大的应用前景。可用作延迟线、耦合器、天线收发转换开关、固态天线、滤波器

6、、光导航、微波聚焦器等。微波左手材料还可广泛应用于微波器件。如微波平板聚焦透镜、带通滤波器、调制器、卫星反向天线、基于传输线左手材料的前向波方向耦合器、宽带相移器等。另外，反常Cherenkov辐射效应可用于探测高能带电粒子。左手材料还可以制作便宜而性能好的磁共振成像设备。手机辐射有望解决目前利用左手材料的性质，已经可以通过人造结构来控制电磁波传播方向，制成定向天线，可以使它只向基站方向发射信号，并通过相关技术阻止信号向人脑方向的传播。隐身材料的实现 左手材料制造的兵器可能将光线或雷达波反向散射出去，使得从正面接收不到反射的光线或微波，从而实现隐身。2、可见光波段左手材料的实现将有革命性可见光

7、波段左手材料的实现将有革命性的前景的前景。左手材料能够突破该衍射极限，可应用于超灵敏单分子探测器，用于探测微量污染、极微量具有危险性的生物化学药剂、以及血液中标症早期疾病的蛋白质分子和医学领域诊断成像等。利用其负折射和倏逝波放大特性，可以用其制作集成光路里的光引导元件，有望制作出分辨率比常规光学透镜高几百倍的扁平光学透镜。左手材料也有望解决高密度近场光存储遇到的光学分辨率极限问题，可能制作出存储能量比现有DVD高几个数量级的新型光学存储系统。3、左手材料纳米天线左手材料纳米天线纳米天线是由纳米金属线和圆环组成，具有等离子体效应，能对光子进行直接操纵，引导光无损耗的绕过拐角，由光子取代电子来完成

8、电子线路的基本功能。因为纳米天线可用于制造新颖光子器件，如带通滤波器、调制器、固态天线和体积小、速度快的芯片和电子计算机。红外波段磁响应的实现可应用于生物安全成像、生物分子指纹识别、遥感、可视度极底的天气下的导航、微型谐振腔、可调透镜、隔离器等。5.1实验装置实验装置左手材料的透射实验、折射实验、和表面等离子极化波实验都是在二维散射室(2D scattering chamber)中进行.该散射室上、下盖板是两块平行的金属铝板,间距为0.4 inches.因为频率f15GHz的微波的半波长要大于两块平行的金属铝板的间距,因此金属边界条件迫使微波的电场E平行于铜导线.微波吸收材料置于散射室的四周,

9、它一方面能确保样品区的微波可以用平面波展开,另一方面能尽量减少来自散射室边缘的反射波.散射室的两端连接着微波发生器和接收器及相关分析装置.5.2.1透射实验所用材料透射实验所用的左手材料为15 cm 2(3030个单胞,晶格常数a=5mm),见下图。图a中的c=0.25mm,d=0.30mm,g=0.46mm,.w=2.62mm图b中的铜导线长度为10mm 宽度为0.25mm,印刷电路版材料厚度为0.25mm.。印刷电路版材料上的铜层厚度为0.03mm。从图一可以看到:就SRR的色散关系而言,在频率10.3-11.1GHz之间存在一个禁带(位于图中两条虚线之间),这意味着在这个频率段eff为负

10、数.而左手材料(LHM)的色散关系表明:在频率10.3-11.1GHz之间出现了一个导带,如图中的实线所示.从该实线可以推导出电磁波的群速度v g0,因为v g=d/dkcritical时,光束将全部被反射(total internal reflection,TIR).有了与三棱镜(三棱镜的折色率n=1.63)平行的左手材料样品(sample),且样品与三棱镜之间的距离足够近。那么当入射角critical时，入射光束将激发左手材料样品的表面等离子极化波,因此左手材料样品会吸收入射光束一定频率段的一些能量.因为:在critical时，垂直于三棱镜和样品介面的波矢是虚值,而平行于该介面的波矢是实值

11、(这对应于消逝波,evanescent waves).这个消逝波会激发左手材料样品的表面等离子极化波.因此,入射光束的一部分能量会消耗在激发过程中,反射功率谱将会在一定频率段出现一些局部的极小值.表面等离子极化波的实验数据和理论计算结果见如图2和图3,图中的数据只选取=40o,45o,50o.从图2 和图3可以看到:在频率8-12GHz之间，表面等离子极化波的实验数据和理论计算结果并不一致.这是因为:如前所述,所制备的材料仅在频率10.1-11GHz之间才是左手材料,因此Shelby将微波频率锁定在10.1-11GHz之间,并改变的大小,重新做了一系列实验.=38o,40o,42o,45o,5

12、0o,550的实验数据如下图4(a)所示。图4(a)中的小图中的黑点对应着不同入射角、不同频率条件下,反射功率谱中出现局部极小值的位置.将这个小图中的入射角()-频率()关系换算成横向波矢(k)-频率()关系,即可得到图4(b).图4(b)中的实线为理论计算结果,圆点为实验测量数据,水平虚线为磁导率()0时的频率,斜向虚线代表光线.从图4(b)可以看到:除了=38o这个点,实验数据与计算结果吻合的很好.=38o这个点与计算结果不吻合,主要原因在于:=38o时,光束入射角-critical1o,此时须考虑微波材料的吸收.因此,量到的在=38o时的反射功率与计算结果不吻合,也就是情理之中的事情了.表面等离子极化波的实验 谢谢！