最新微机原理与接口技术-存储器PPT课件.ppt
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1、微机原理与接口技术微机原理与接口技术-存存储器储器存储器按物理介质不同,可分为磁表面存储器、存储器按物理介质不同,可分为磁表面存储器、光盘存储器和半导体存储器三大类光盘存储器和半导体存储器三大类 三、存储器的主要技术指标三、存储器的主要技术指标 1存储容量存储容量存储容量是存储器所容纳的二进存储容量是存储器所容纳的二进制位的总容量,或存储器所包含制位的总容量,或存储器所包含的存储单元的总位数。的存储单元的总位数。存储容量存储容量=存储单元数存储单元数*存储单位的位数存储单位的位数2存储周期存储周期3存储器的可靠性存储器的可靠性4性能价格比性能价格比第二节半导体存储器第二节半导体存储器微型计算机
2、机中主存储器由微型计算机机中主存储器由半导体存储器芯片组成。半导体存半导体存储器芯片组成。半导体存储器分双极型和单极型储器分双极型和单极型MOS电路电路两类。半导体存储器具有体积小、两类。半导体存储器具有体积小、功耗低、价格便宜等优点。功耗低、价格便宜等优点。半导体存储器根据其基本功能半导体存储器根据其基本功能的不同分为只读存储器(的不同分为只读存储器(ROM)和)和随机存取存储器(随机存取存储器(RAM)。)。RAM又依存储单元电路的构成又依存储单元电路的构成原理及是否需要刷新分为静态原理及是否需要刷新分为静态RAM(SRAM)和动态和动态RAM(DRAM)。一、随机存储器一、随机存储器RA
3、MRAM是一种既能写入又能读出的存储器。是一种既能写入又能读出的存储器。RAM只能在电源电压正常时工作,一旦断电,只能在电源电压正常时工作,一旦断电,RAM内的信息便完全丢失。内的信息便完全丢失。1、SRAM(静态(静态RAM)SRAM的基本存储电路是利用双稳态电路的的基本存储电路是利用双稳态电路的某一种稳定状态表示二进制信息的。双稳态电路某一种稳定状态表示二进制信息的。双稳态电路是一种平衡的电路结构,不管处于什么状态,只是一种平衡的电路结构,不管处于什么状态,只要不给它加入新的触发,不断电,它的这个稳定要不给它加入新的触发,不断电,它的这个稳定状态就将保持下去。状态就将保持下去。SRAM在结
4、构上比较复杂,集成在结构上比较复杂,集成度低。由于度低。由于RAM的基本存储单元是的基本存储单元是双稳态触发器,每一个单元存放双稳态触发器,每一个单元存放1位位二进制信息,故所存信息不需要进行二进制信息,故所存信息不需要进行刷新。但刷新。但SRAM的存取速度很快,多的存取速度很快,多用于要求高速存取的场合,例如高速用于要求高速存取的场合,例如高速缓冲存储器。缓冲存储器。静态RAM的存储单元数=2n n是地址线的位数常用的静态常用的静态RAM(1)静态)静态RAM6116A0A1011位地址线,可寻址位地址线,可寻址2k字节;字节;D0D78位双向数据线;位双向数据线;片选信号;片选信号;-输出
5、允许信号;输出允许信号;-写允许信号;写允许信号;VCC电源(电源(5V););GND地。地。(2)静态)静态RAM6264 A12A013位地址线,可寻址位地址线,可寻址8k字节;字节;D7D08位双向数据线;位双向数据线;片选信号;片选信号;CE2片选信号;片选信号;-数据输出允许信号;数据输出允许信号;写允许信号;写允许信号;VCC电源(电源(5V););2、动态存储器、动态存储器DRAMDRAM是一种以电荷形式来存储是一种以电荷形式来存储信息的半导体存储器。信息的半导体存储器。DRAM需要动需要动态刷新。态刷新。动态RAM的存储单元数=22n n是地址线的位数引脚说明如下:引脚说明如下
6、:AOAn多路开关地址输入多路开关地址输入,例如,例如,1MBDRAM时时为为AOA9。DinDout(或(或IO)数据输入输出脚。)数据输入输出脚。行地址选通控制脚。行地址选通控制脚。列地址选通控制脚。列地址选通控制脚。写入允许。写入允许。输入允许。输入允许。2164A动态动态RAM芯片芯片2164A动态动态RAM芯片芯片图 Intel 2164A 结构框图图 Intel 2164A 结构框图DRAM的使用方法如图的使用方法如图56所示。当所示。当CPU对存储器进行对存储器进行读写时,首先在地址总线上给出地址信号,然后发出相应读写时,首先在地址总线上给出地址信号,然后发出相应的读写控制信号,
7、最后在数据总线上进行数据操作。的读写控制信号,最后在数据总线上进行数据操作。二、只读存储器二、只读存储器ROMROM是一种只能读出而不能写入的存是一种只能读出而不能写入的存储器,通常用来存放那些固定不变、不需要储器,通常用来存放那些固定不变、不需要修改的程序。例如修改的程序。例如IBMPC中的中的BIOS(基(基本输入输出系统),本输入输出系统),Basic解释程序等。解释程序等。ROM必须在电源电压正常时才能工作,但必须在电源电压正常时才能工作,但断电之后,其中存放的信息并不丢失,一旦断电之后,其中存放的信息并不丢失,一旦通电,它又能正常工作,提供信息。通电,它又能正常工作,提供信息。1、掩
8、膜、掩膜ROM(MROM)固定掩膜固定掩膜ROM的芯片在制做掩膜板的芯片在制做掩膜板的同时,将所存的信息编排在内;一的同时,将所存的信息编排在内;一旦掩膜做好,其存储的信息就固定了。旦掩膜做好,其存储的信息就固定了。2、可编程的只读存储器(、可编程的只读存储器(PROM)PROM是一种可编程只读存储器,是一种可编程只读存储器,便于用户根据自己的需要来写入信息,便于用户根据自己的需要来写入信息,内容一旦写入,就不能修改。内容一旦写入,就不能修改。三、三、EPROM这种存储器在特殊条件下写这种存储器在特殊条件下写入的信息可以长久保存,程序需入的信息可以长久保存,程序需要更改时,又可以采用特殊的方要
9、更改时,又可以采用特殊的方法将其全部擦除。如此可以多次法将其全部擦除。如此可以多次反复使用。反复使用。ROM的存储单元数=2n n是地址线的位数常用的常用的EPROM程序存储器程序存储器常用的有常用的有Intel公司的公司的27XXX系列系列EPROM芯片:芯片:2716(2kX8)、)、2732A(4kX8)、)、2764(8kX8)、)、27128(16Kx8)27256(32kX8)和)和27512(64kX8)等。)等。(1)2716EPROM A10A011位地址线,可寻址位地址线,可寻址2k字节;字节;D0D78位数据线;位数据线;-片选信号编程控制信号;片选信号编程控制信号;-输
10、出允许信号;输出允许信号;VPP编程电源;编程电源;VCC电源(电源(5V););GND-地。地。(2)2732EPROMA0A1112位地址线位地址线,可寻址可寻址4k字节;字节;D0D78位数据线;位数据线;-片选信号;片选信号;-输出允许信号;输出允许信号;VPP编程电源;编程电源;VCC电源(电源(5V););GND-地。地。(3)2764EPROMA0A1213位地址线,可寻址位地址线,可寻址8k字节;字节;D0D78位数据线;位数据线;-片选信号;片选信号;-输出允许信号输出允许信号PGM-编程脉冲输入端;编程脉冲输入端;VPP编程电源;编程电源;VCC电源(电源(5V););GN
11、D-地。地。(4)27128EPROM(6)27512EPROM常用的常用的EPPROM(1)EPPROM28642864A管脚与管脚与SRAM6264A完全兼容。完全兼容。AOA1213位地址线,可寻址位地址线,可寻址8k字节;字节;I/O0IO78位双向数据线;位双向数据线;-片选信号;片选信号;-输出允许信号;输出允许信号;-写允许信号;写允许信号;NC-空脚;空脚;VCC电源(电源(5V););GND-地。地。第三节第三节Cache高速缓冲存储器高速缓冲存储器(CacheMemory)技术)技术 微型计算机中的高速缓冲存微型计算机中的高速缓冲存储器是一种介于储器是一种介于CPU和主存储
12、器之和主存储器之间的存储容量较小而存取速度却较间的存储容量较小而存取速度却较高的一种存储器。高的一种存储器。Cache技术解决技术解决了高的了高的CPU处理速度和较低的内存处理速度和较低的内存读取速度之间的矛盾。读取速度之间的矛盾。Cache存储器是用静态存储器是用静态RAM做的,不需要刷新,做的,不需要刷新,存取速度快。存取速度快。CPU存取指令和数据时,先访问存取指令和数据时,先访问Cache,如果欲存取的内容已在,如果欲存取的内容已在Cache中(称为命中(称为命中),中),CPU直接从直接从Cache中读取这个内容;否则中读取这个内容;否则就称为非命中,就称为非命中,CPU再到主存(再
13、到主存(DRAM)中读取)中读取并同时将读取信息存入并同时将读取信息存入Cache。现代微型计算机中的现代微型计算机中的Cache存储器一般存储器一般分成两部分,它们的功能基本相同。其分成两部分,它们的功能基本相同。其中的第一部分直接集成在中的第一部分直接集成在CPU内部,称内部,称为一级为一级Cache(或一级缓存)。一级(或一级缓存)。一级Cache由于在芯片内部,离由于在芯片内部,离CPU近,数近,数据位宽大,存取速度更快;但由于片内据位宽大,存取速度更快;但由于片内集成集成SRAM的成本高等原因所限,芯片的成本高等原因所限,芯片内部的内部的Cache存储器不可能做得很大。存储器不可能做
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