最新微机原理与接口技术第四章PPT课件.ppt
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1、微机原理与接口技术第四章微机原理与接口技术第四章n微型机的存储系统、分类及其特点微型机的存储系统、分类及其特点n半导体存储芯片的外部特性及其与系统的连接半导体存储芯片的外部特性及其与系统的连接n存储器扩展技术存储器扩展技术n高速缓存高速缓存本章主要内容本章主要内容2典型典型SRAM芯片芯片CMOSRAM芯片芯片6264(8K*8):):n主要引脚功能主要引脚功能n工作时序工作时序n与系统的连接使用与系统的连接使用6264D7-D0A12-A0OEWECS1CS26264外外部部引引线线图图地址线:地址线:A0A12数据线:数据线:D0D7输出允许信号:输出允许信号:OE写允许信号:写允许信号:
2、WE选片信号:选片信号:CS1、CS296264的工作过程的工作过程n读操作读操作10写操作写操作6264的工作过程的工作过程116264操作与控制信号对应关系操作与控制信号对应关系126264与系统的连接与系统的连接D0D7A0A12WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMR译码译码电路电路高位地址信号D0D7 13n将输入的一组二进制编码变换为一个特定的控制信号将输入的一组二进制编码变换为一个特定的控制信号n将输入的一组高位地址信号通过变换,产生一个有效的控制将输入的一组高位地址信号通过变换,产生一个有效的控制信号,用于信号,用于选中选中某一个存储器芯片,从而确定该存储器芯片某一个存储
3、器芯片,从而确定该存储器芯片在内存中的地址范围在内存中的地址范围n译码方法有译码方法有:全译码:所有地址线都参与译码全译码:所有地址线都参与译码部分译码:部分地址线参与译码部分译码:部分地址线参与译码线译码:线译码:译码电路译码电路14全译码全译码n用全部的高位地址信号作为译码信号,使得存储器芯片用全部的高位地址信号作为译码信号,使得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯一的内存地址。的每一个单元都占据一个唯一的内存地址。存储器存储器芯片芯片译译码码器器低位地址低位地址高位地址高位地址全全部部地地址址片选信号片选信号15全译码连接图全译码连接图16全译码全译码n6264芯片的地址范围:芯片的地址范
4、围:F0000HF1FFFH11110000000 11110001111A19A18A17A16A15A14A13&1#CS1A12A0D7D0高位地址高位地址线全部参线全部参加译码加译码6264A12-A0D7-D0#OE#WE17n用用部分高位地址部分高位地址信号(而不是全部)作为信号(而不是全部)作为译码信号,使得被选中得存储器芯片占有译码信号,使得被选中得存储器芯片占有几组不同的地址范围。几组不同的地址范围。n下例使用高下例使用高5位地址作为译码信号,从而位地址作为译码信号,从而使被选中芯片的每个单元都占有两个地址,使被选中芯片的每个单元都占有两个地址,即这两个地址都指向同一个单元。
5、即这两个地址都指向同一个单元。部分译码部分译码18部分地址译码部分地址译码A19A17A16A15A14A13&1到6264CS1n同一物理存储器占用两组地址:同一物理存储器占用两组地址:nF0000HF1FFFHnB0000HB1FFFHnA18不参与译码不参与译码19部分译码连接图部分译码连接图20部分地址译码示例部分地址译码示例n将将SRAM6264芯片与系统连接,使其地址范围为:芯片与系统连接,使其地址范围为:38000H39FFFH和和78000H79FFFH。n选择使用选择使用74LS138译码器构成译码电路译码器构成译码电路 Y0#G1 Y1#G2A Y2#G2 B Y3#Y4#
6、A Y5#B Y6#C Y7#片选信号输出译码允许信号地址信号(接到不同的存储体上)74LS13874LS138逻辑图逻辑图21应用举例应用举例(续续):D0D7A0A12WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMRD0D7G1G2AG2BCBA&A19A14A13A17A16A15+5VY0下图中下图中A18不参与译码,故不参与译码,故6264的地址范围为:的地址范围为:3 380008000H39FFFHH39FFFH78000H79FFFH 78000H79FFFH 626422n特点:特点:DRAM是靠是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的,由于电路中的栅极电容来存储信息的,由于电容
7、上的电荷会逐渐泄漏,需要定时充电以维持存储内容电容上的电荷会逐渐泄漏,需要定时充电以维持存储内容不丢失(称为不丢失(称为动态刷新动态刷新),所以动态),所以动态RAM需要设置刷新需要设置刷新电路,相应外围电路就较为复杂。电路,相应外围电路就较为复杂。刷新定时间隔一般为几微秒几毫秒刷新定时间隔一般为几微秒几毫秒DRAM的特点是集成度高(存储容量大,可达的特点是集成度高(存储容量大,可达1Gbit/片以片以上),功耗低,但速度慢(上),功耗低,但速度慢(10ns左右),需要刷新。左右),需要刷新。DRAM在微机中应用非常广泛,如微机中的内存条(主存)在微机中应用非常广泛,如微机中的内存条(主存)、
8、显卡上的显示存储器几乎都是用、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。制造的。动态随机存储器动态随机存储器DRAM23动态随机存储器动态随机存储器DRAMn常见常见DRAM的种类:的种类:SDRAM(SynchronousDRAM)它在它在1个个CPU时钟周期内可完成数据时钟周期内可完成数据的访问和刷新,即可与的访问和刷新,即可与CPU的时钟同步工作。的时钟同步工作。SDRAM的工作频率目前最大的工作频率目前最大可达可达150MHz,存取时间约为,存取时间约为510ns,最大数据率为,最大数据率为150MB/s,是当前微,是当前微机中流行的标准内存类型。机中流行的标准内存类型。RDRAM(
9、RambusDRAM)是由是由Rambus公司所开发的高速公司所开发的高速DRAM。其最大数据率可达其最大数据率可达1.6GB/s。DDRDRAM(DoubleDataRateDRAM)是对是对SDRAM的改进,它在的改进,它在时钟的上升沿和下降沿都可以传送数据,其数据率可达时钟的上升沿和下降沿都可以传送数据,其数据率可达200-800MB/s。主要。主要应用在主板和高速显示卡上。应用在主板和高速显示卡上。nRAM的的3个特性:个特性:1)可读可写,非破坏性读出,写入时覆盖原内容。)可读可写,非破坏性读出,写入时覆盖原内容。2)随机存取,存取任一单元所需的时间相同。)随机存取,存取任一单元所需
10、的时间相同。3)易失性(或挥发性)。当断电后,存储器中的内容立即消失。)易失性(或挥发性)。当断电后,存储器中的内容立即消失。24典型典型DRAM芯片芯片2164An2164A:64K1采用行地址和列地址来确定一个单元;采用行地址和列地址来确定一个单元;行列地址行列地址分时分时传送,传送,共用一组地址线;共用一组地址线;地址线的数量仅地址线的数量仅为同等容量为同等容量SRAM芯片的一半。芯片的一半。行行地地址址10001000列地址列地址25典型典型DRAM芯片芯片2164AnRAS:行地址选通信号,用于锁存行地址;:行地址选通信号,用于锁存行地址;nCAS:列地址选通信号。:列地址选通信号。
11、地址总线上先送行地址,后送列地址分别在RAS和 CAS有效期间被锁存在地址锁存器中。nDIN:数据输入数据输入nDOUT:数据输出:数据输出WE=0 数据写入数据写入WE=1 数据读出数据读出WE:写允许信号:写允许信号26n三种操作:三种操作:数据读出数据读出数据写入数据写入刷新刷新(将存放于每位中的信息读出再照原样写入原单元的过程将存放于每位中的信息读出再照原样写入原单元的过程)典型典型DRAM芯片芯片2164A刷刷新新时时序序27存储器扩展技术存储器扩展技术n用多片存储芯片构成一个需要的内存空间用多片存储芯片构成一个需要的内存空间n它们在整个内存中占据不同的地址范围它们在整个内存中占据不
12、同的地址范围n任一时刻仅有一片(或一组)被选中任一时刻仅有一片(或一组)被选中位扩展位扩展扩展每个存储单元的位数扩展每个存储单元的位数字扩展字扩展扩展存储单元的个数扩展存储单元的个数28位扩展位扩展n存储器的存储容量等于:存储器的存储容量等于:单元数单元数每单元的位数每单元的位数n当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时,就要进行位扩当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时,就要进行位扩展,使每个单元的字长满足要求。展,使每个单元的字长满足要求。位扩展方法:位扩展方法:将每片的地址线、控制线并联,数据线分别引出。将每片的地址线、控制线并联,数据线分别引出。位扩展特点:位扩展特点
13、:存储器的单元数不变,位数增加。存储器的单元数不变,位数增加。字长字长字节数字节数29位扩展示意图位扩展示意图30位扩展位扩展示例示例n用用8片片2164A芯片构成芯片构成64KB存储器。存储器。2164A:64K x 1,需8片构成64K x 8(64KB)LS138A8A192164A2164A2164ADBABD0D1D7A0A7译码输出译码输出读写读写信号信号A0A19D0D7A0A7A0A731n地址空间的扩展。地址空间的扩展。n芯片每个单元中的字长满足,但单元数不满足。芯片每个单元中的字长满足,但单元数不满足。扩展原则:扩展原则:n每个芯片的地址线、数据线、控制线并联每个芯片的地址
14、线、数据线、控制线并联n片选端分别引出,以实现每个芯片占据不同的地址片选端分别引出,以实现每个芯片占据不同的地址范围。范围。字扩展字扩展32字扩展示意图字扩展示意图33n根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数;根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数;n进行位扩展以满足字长要求;进行位扩展以满足字长要求;n进行字扩展以满足容量要求。进行字扩展以满足容量要求。n若已有存储芯片的容量为若已有存储芯片的容量为LK,要构成容量为,要构成容量为MN的存储器,需要的芯片数为:的存储器,需要的芯片数为:(M/L)(N/K)字位扩展字位扩展34字位扩展示意图字位扩展示意图35字位扩展示例字位扩展示例n用用4
15、K1位的芯片组成位的芯片组成16KB的存储器。的存储器。扩成扩成4KB8片片再扩成再扩成16KB4*8=32片片n地址线需地址线需14根(根(A0-A13)其中其中12根(根(A0-A11)用于片内寻址)用于片内寻址2根(根(A12,A13)用于片选译码。)用于片选译码。n注意:注意:以上的例子中所需的地址线数并未从系统整体上考虑。以上的例子中所需的地址线数并未从系统整体上考虑。在实际系统中,总线中的地址线数往往要多于所需的地址线数,这在实际系统中,总线中的地址线数往往要多于所需的地址线数,这时除片内寻址的低位地址线时除片内寻址的低位地址线(即片内地址线即片内地址线)外,剩余的高位地址线外,剩
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- 最新 微机 原理 接口 技术 第四 PPT 课件
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