最新微电子器件测验PPT课件.ppt
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微电子器件测验微电子器件测验测验五测验五1、某、某 N 沟道沟道 MOSFET 的的 VT =1V，=10-3AV 2，试求当，试求当 VGS=4V，而，而 VDS 分别为分别为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。时的漏极电流之值。2、试求该、试求该 MOS 管当管当 VDS=2V，VGS 分别为分别为 2V、3V、4V 时的时的漏极电流之值。漏极电流之值。答案答案 1、4 mA、4.5 mA、4.5 mA 2、0.5 mA、2 mA、4 mA
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