模拟与数字电子技术基础习题幻灯片课件.ppt
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1、模拟与数字电子技术基础习题半导体半导体半导体半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅质,如硅(Si)、锗锗(Ge)。硅和锗是硅和锗是4价元素,价元素,原子的最外层轨道上有原子的最外层轨道上有4个价电子。个价电子。本征半导体本征半导体、杂质半导体杂质半导体。N N型半导体的多数载流子、少数载流子;型半导体的多数载流子、少数载流子;P P型半导体的多数载流子、少数载流子。型半导体的多数载流子、少数载流子。无论是无论是P型半导体还是型半导体还是N型半导体都是中性的,型半导体都是中性的,对外不显电性。对外不显电性。掺入的杂质元素的浓度越高,多数载流子的数掺入的
2、杂质元素的浓度越高,多数载流子的数量越多。量越多。少数载流子是热激发而产生的,其数量的多少少数载流子是热激发而产生的,其数量的多少决定于温度。决定于温度。理想二极管理想二极管:正向电阻为零,正向导通时为短路正向电阻为零,正向导通时为短路特性,正向压降忽略不计;特性,正向压降忽略不计;反向电阻为无穷大,反向截止时为反向电阻为无穷大,反向截止时为开路特性,反向漏电流忽略不计。开路特性,反向漏电流忽略不计。第第1章章 小小 结结 本章在介绍半导体基本知识的基础上,重点阐述了半导本章在介绍半导体基本知识的基础上,重点阐述了半导体二极管、双极型晶体管体二极管、双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管和场效应
3、晶体管(FET)的结的结构、工作原理、主要特性曲线和参数等。构、工作原理、主要特性曲线和参数等。1.绝对零度时,本征半导体中没有载流子。温度高于绝对零度绝对零度时,本征半导体中没有载流子。温度高于绝对零度时,将发生本征激发,产生两种载流子,即自由电子和空穴,时,将发生本征激发,产生两种载流子,即自由电子和空穴,它们总是成对出现,称为电子空穴对。电子空穴对的浓度随它们总是成对出现,称为电子空穴对。电子空穴对的浓度随温度的升高而增加,在固定温度下不变。温度的升高而增加,在固定温度下不变。2.杂质半导体有杂质半导体有N型和型和P型两种,型两种,N型半导体中的多子为自由型半导体中的多子为自由电子,电子
4、,P型半导体中的多子为空穴。多子由掺杂产生,其浓型半导体中的多子为空穴。多子由掺杂产生,其浓度由掺杂浓度决定;少数载流子由本征激发产生,其浓度与度由掺杂浓度决定;少数载流子由本征激发产生,其浓度与温度有关,这一点导致晶体管的很多参数与温度有关,产生温度有关,这一点导致晶体管的很多参数与温度有关,产生热不稳定性。热不稳定性。3.将将P型和型和N型半导体紧密结合在一起,在它们的交界面处,型半导体紧密结合在一起,在它们的交界面处,发生两种形式载流子的运动,即多子的扩散运动和少子的漂发生两种形式载流子的运动,即多子的扩散运动和少子的漂移运动,它们达到动态平衡时,形成稳定的空间电荷区,即移运动,它们达到
5、动态平衡时,形成稳定的空间电荷区,即PN结。结。PN结的最主要特性就是单向导电性。结的最主要特性就是单向导电性。4.二极管的伏安特性曲线分为正向和反向两个区域,当正向电二极管的伏安特性曲线分为正向和反向两个区域,当正向电压小于开启电压时,流过二极管的电流近似为压小于开启电压时,流过二极管的电流近似为0;随着,;随着,UD稍有增加,电流稍有增加,电流ID迅速增加。在特性的反向区,反向电流等迅速增加。在特性的反向区,反向电流等于反向饱和电流,但当反向电压达到击穿电压值时,二极管于反向饱和电流,但当反向电压达到击穿电压值时,二极管发生反向击穿。击穿后,电流在很大范围内变化时,反向击发生反向击穿。击穿
6、后,电流在很大范围内变化时,反向击穿电压几乎不变,利用这一特性可以制成硅稳压管。穿电压几乎不变,利用这一特性可以制成硅稳压管。5.二极管是非线性元件,在分析含二极管的电路时,常用某种二极管是非线性元件,在分析含二极管的电路时,常用某种模型代替二极管,主要有开关模型、固定正向电压降模型、模型代替二极管,主要有开关模型、固定正向电压降模型、折线化模型和低频小信号模型。不同的应用场合应使用不同折线化模型和低频小信号模型。不同的应用场合应使用不同的模型。的模型。6.二极管的主要参数有最大整流电流二极管的主要参数有最大整流电流IF、反向击穿电压、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压最大反向工作电压URM
7、、反向电流、反向电流IR 和正向压降和正向压降UF 等。等。7.双极型半导体晶体管(双极型半导体晶体管(BJT)有两种载流子参与导电,属电)有两种载流子参与导电,属电流控制电流源器件(流控制电流源器件(CCCS),),BJT有有NPN和和PNP两种结构两种结构类型。其工艺特点为:基区极薄且掺杂浓度低,发射区掺杂类型。其工艺特点为:基区极薄且掺杂浓度低,发射区掺杂浓度高,集电区掺杂浓度低。晶体管的输出特性曲线可以分浓度高,集电区掺杂浓度低。晶体管的输出特性曲线可以分为饱和、截止、放大三个区域。为饱和、截止、放大三个区域。8.双极型晶体管在放大、饱和截止区,有不同的发射结和集双极型晶体管在放大、饱
8、和截止区,有不同的发射结和集电极偏置,为保证晶体管工作在放大状态,应使其发射结电极偏置,为保证晶体管工作在放大状态,应使其发射结正偏,集电结反偏。晶体管的参数主要分为直流参数、交正偏,集电结反偏。晶体管的参数主要分为直流参数、交流参数和极限参数三类。流参数和极限参数三类。9.场效应管为电压控制电流源器件场效应管为电压控制电流源器件(VCCS)。即用栅源电压。即用栅源电压 来控制沟道宽度,改变漏极电流。场效应管为单极型器来控制沟道宽度,改变漏极电流。场效应管为单极型器 件,仅一种载流子件,仅一种载流子(多子多子)导电,热稳定性优于导电,热稳定性优于BJT。场效。场效 应管有结型和绝缘栅型两种结构
9、,每种又分为应管有结型和绝缘栅型两种结构,每种又分为N沟道和沟道和P 沟道两种。绝缘栅型场效应管(沟道两种。绝缘栅型场效应管(MOSFET)又分为增强)又分为增强 型和耗尽型两种类型。型和耗尽型两种类型。10.场效应管的漏极特性曲线可分为可变电阻区、截止区和恒场效应管的漏极特性曲线可分为可变电阻区、截止区和恒流区,在放大电路中,应使其工作在恒流区。场效应管的流区,在放大电路中,应使其工作在恒流区。场效应管的参数也分为直流参数参数也分为直流参数(UGS(th)或或 UGS(off)、IDSS)交流参数交流参数(gm)和极限参数和极限参数(IDM、PDM)三类。跨导三类。跨导gm反映了场效应管的电
10、反映了场效应管的电压控制作用压控制作用第第2章章 单级交流放大电路单级交流放大电路n n理理解解共共发发射射极极单单管管放放大大电电路路的的基基本结构和工作原理本结构和工作原理n n掌掌握握放放大大电电路路静静态态工工作作点点的的估估算算和微变等效电路的分析方法和微变等效电路的分析方法n n了了解解放放大大电电路路输输入入电电阻阻和和输输出出电电阻的概念阻的概念n n理理解解射射极极输输出出器器的的电电路路结结构构、性性能特点及应用能特点及应用n n了了解解场场效效应应管管共共源源极极放放大大电电路路的的结构和性能特点结构和性能特点学习要点学习要点放大电路的结构示意框图见下图。放大电路的结构示
11、意框图见下图。放大电路概念示意图放大电路概念示意图例例1 1:测量三极管三个电极对地电位如图所示,:测量三极管三个电极对地电位如图所示,试判断三极管的工作状态。试判断三极管的工作状态。三极管工作状态判断三极管工作状态判断 放大截止饱和例例2 2:用数字电压表测得:用数字电压表测得VB=4.5 V、VE=3.8 V、VC=8 V,试判断三极管的工,试判断三极管的工作状态作状态。例例2 2电路图电路图放大放大(3)放大电路微变等效电路)放大电路微变等效电路电压放大倍数电压放大倍数式中式中RL=RC/RL。当当RL=(开路)时开路)时输入电阻输入电阻Ri 输入电阻输入电阻Ri的大小决定了放大电路从信
12、号源的大小决定了放大电路从信号源吸取电流吸取电流(输入电流输入电流)的大小。为了减轻信号源的的大小。为了减轻信号源的负担,总希望负担,总希望Ri越大越好。另外,较大的输入电越大越好。另外,较大的输入电阻阻Ri,也可以降低信号源内阻也可以降低信号源内阻Rs的影响,使放大的影响,使放大电路获得较高的输入电压。在上式中由于电路获得较高的输入电压。在上式中由于RB比比rbe大得多,大得多,Ri近似等于近似等于rbe,在几百欧到几千欧,一在几百欧到几千欧,一般认为是较低的,并不理想。般认为是较低的,并不理想。输出电阻输出电阻 对负载而言,放大器的输出电阻对负载而言,放大器的输出电阻Ro越小,负载电阻越小
13、,负载电阻RL的变化对输出电压的影响就越小,表明放大器带负载能力的变化对输出电压的影响就越小,表明放大器带负载能力越强,因此总希望越强,因此总希望Ro越小越好。上式中越小越好。上式中Ro在几千欧到几十在几千欧到几十千欧,一般认为是较大的,也不理想。千欧,一般认为是较大的,也不理想。例例:图图示示电电路路(接接CE),已已知知UCC=12V,RB1=20k,RB2=10k,RC=3k,RE=2k,RL=3k,=50。试试估估算算静静态态工工作作点点,并并求求电电压压放放大大倍倍数数、输输入入电电阻阻和和输输出出电电阻阻。解:(解:(1)用估算法计算静态工作点)用估算法计算静态工作点(2)求电压放
14、大倍数(3)求输入电阻和输出电阻RB1+UCCRCC1C2RB2CERE2RLuiuoRE1+例题例题:在图示放大电路中,已知在图示放大电路中,已知UCC=12V,RC=2k,RE1=200,RE2=1.8K,RB1=20k,RB2=10k,RL=3k,晶体管,晶体管=50,UBE=0.6V,试求试求:(1)(1)静态工作点静态工作点IB、IC及及UCE;(2)(2)画出微变等效电路;画出微变等效电路;(3)(3)输入电阻输入电阻r ri i,r,r0 0及及RB1+UCCRCRB2RE2RE1【解解】(1)直流通路如图所示直流通路如图所示RB1+UCCRCC1C2RB2CERE2RLuiuo
15、RE1+(2)微变等效电路如图微变等效电路如图rbeRCRLRE1+(3)(3)交流参数交流参数例例:图图示示电电路路,已已知知UCC=12V,RB=200k,RE=2k,RL=3k,RS=100,=50。试试估估算算静静态态工工作作点点,并并求求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。解:(解:(1)用估算法计算静态工作点)用估算法计算静态工作点 动态分析的基本步骤:动态分析的基本步骤:放大电路中频微变等效电路是在晶体管低频小信号模型放大电路中频微变等效电路是在晶体管低频小信号模型的基础上,增加放大电路交流通路的相关元件而构成的。具的基础上,增加放大电路交流通路的相
16、关元件而构成的。具体画法如下:体画法如下:(1)先将晶体管的低频小信号模型画出;先将晶体管的低频小信号模型画出;(2)再将放大电路晶体管以外的交流通路的元件画出;再将放大电路晶体管以外的交流通路的元件画出;(3)在中频段,画的过程中将大容量的耦合电容、旁路电在中频段,画的过程中将大容量的耦合电容、旁路电容器短路,将直流电源交流短路;容器短路,将直流电源交流短路;现以能够稳定工作点的分压偏置共射放大电路为例进行讨现以能够稳定工作点的分压偏置共射放大电路为例进行讨论,电路见图。论,电路见图。共射组态基本放大电路的动态分析共射组态基本放大电路的动态分析 1.先进行静态分析,保证晶体管处于放大区;先进
17、行静态分析,保证晶体管处于放大区;一、一、静态分析静态分析共射组态交流基本放大电路共射组态交流基本放大电路 进行直流计算的目的是进行直流计算的目的是检验放大电路是否是处于放检验放大电路是否是处于放大状态,如果放大状态不正大状态,如果放大状态不正确,进行交流计算就没有意确,进行交流计算就没有意义。其次,在微变等效电路义。其次,在微变等效电路中有中有rbe,要计算,要计算rbe就必须知就必须知道道IEQ(ICQ),这也需要通),这也需要通过直流计算来获得。过直流计算来获得。ICQ=IBQ UCEQ=VCC ICQRcIEQRe VCCICQ(Rc+Re)分压偏置共射放大电路分压偏置共射放大电路 共
18、射放大电路交流微变等效电路共射放大电路交流微变等效电路 因放大电路的输因放大电路的输入信号处于中频段入信号处于中频段,所以可以将大容量的所以可以将大容量的耦合电容和旁路电容耦合电容和旁路电容器短路;将直流电源器短路;将直流电源交流短路。交流短路。将晶体管的低频将晶体管的低频模型画出。模型画出。再将共射放大电再将共射放大电路交流通路的其他元路交流通路的其他元件一一画出。件一一画出。二、动态分析动态分析1.求放大电路中频电压放大倍数求放大电路中频电压放大倍数 在画出了放大电路的微变等效电路后,求解电压在画出了放大电路的微变等效电路后,求解电压放大倍数就是一个解电路的问题。放大倍数就是一个解电路的问
19、题。输出电压为输出电压为输入电压为输入电压为电压放大倍数为电压放大倍数为共射放大电路求电压放大倍数共射放大电路求电压放大倍数2.求放大电路的输入电阻求放大电路的输入电阻根据输入电阻的定义和微变等效电路有根据输入电阻的定义和微变等效电路有若满足若满足Rb1 Rb2 rbe,则,则Ri rbe。共射放大电路求输入电阻共射放大电路求输入电阻 根据输出电阻的定义,需要将信号源进行置零处根据输出电阻的定义,需要将信号源进行置零处理,也就是理,也就是 ,将,将 短路,但保留内阻短路,但保留内阻 ;将负载电;将负载电阻阻 开路,同时在输出端加一个测试用信号源开路,同时在输出端加一个测试用信号源 。3.求放大
20、电路的输出电阻求放大电路的输出电阻共射放大电路求输出电阻共射放大电路求输出电阻 例例2.5:有一基本放大电路如图所示,已知:有一基本放大电路如图所示,已知VCC=15V、Rc=3k、Rb1=390k、Re1=100、Re2=1 k、RL=10k,UBE=0.7V,=99,耦合电容的容量足够大。试计算电路的,耦合电容的容量足够大。试计算电路的中频电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。中频电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。解:解:例例2.5电路图电路图 解:解:静态计算如下静态计算如下 画微变等效电路,如图所示,可得电压增益画微变等效电路,如图所示,可得电压增益例例2.5的微变等效电路的微变等效电路
21、画微变等效电路,如图画微变等效电路,如图2.5.3所示,可得电压增益所示,可得电压增益 旁路电容的断开,使电压旁路电容的断开,使电压放大倍数下降,其物理意义将放大倍数下降,其物理意义将在后面解释。在后面解释。电压放大倍数可近似等于电压放大倍数可近似等于是两电阻之比,因而电压放大是两电阻之比,因而电压放大倍数的稳定性提高。倍数的稳定性提高。输出电阻输出电阻 输入电阻输入电阻=1.2+10/390=10.89k 共集组态放大电路如图所示。它的集电极负载电阻等共集组态放大电路如图所示。它的集电极负载电阻等于于0,相当集电极交流接地,输入信号接基极,输出信号从,相当集电极交流接地,输入信号接基极,输出
22、信号从发射极引出,所以,共集组态放大电路也称为发射极引出,所以,共集组态放大电路也称为射极输出器射极输出器。共集组态放大电路共集组态放大电路 共集组态放大电路的共集组态放大电路的偏置电阻往往只采用一个偏置电阻往往只采用一个上偏置电阻,其原因是增上偏置电阻,其原因是增大输入电阻。大输入电阻。共集组态基本放大电路的动态分析共集组态基本放大电路的动态分析 一、一、静态分析静态分析 静态工作点的计算原则与共射组态放大电路一样,先静态工作点的计算原则与共射组态放大电路一样,先画出直流通路。画出直流通路。基极电流:基极电流:集电极极电流:集电极极电流:管压降:管压降:共集组态放大电路的直流通路共集组态放大
23、电路的直流通路 下左图所示的共集组态放大电路的微变等效电路如下下左图所示的共集组态放大电路的微变等效电路如下右图所示。右图所示。1.中频电压放大倍数的求解中频电压放大倍数的求解微变等效电路微变等效电路ecbiUoUberbIcIRb1RLReiRiRbI 二、二、动态分析动态分析共集组态放大电路共集组态放大电路ecbiUoUberbIcIRb 1RLReiRiRbI 式中式中R L=Re/RL,式中,由于,式中,由于 rbe,所所以,电压增益近似等于以,电压增益近似等于1。由此可解出电压放大倍数表达式由此可解出电压放大倍数表达式根据微变等效电路可列如下方程根据微变等效电路可列如下方程2.输入电
24、阻输入电阻ecbiUoUberbIcIRb 1RLReiRiRbI基极电流:基极电流:输入电阻:输入电阻:根据电阻归算的原理根据电阻归算的原理 Ri是从放大电路输入端看进去是从放大电路输入端看进去的输入电阻,的输入电阻,是从基极看进去的输入电阻,所以是从基极看进去的输入电阻,所以 所以,输入电阻所以,输入电阻 共集组态放大电路的输入电阻比共射组态基本放大电路共集组态放大电路的输入电阻比共射组态基本放大电路要大,为了减少偏置电阻并联对总输入电阻下降的影响,要大,为了减少偏置电阻并联对总输入电阻下降的影响,所以共集组态放大电路经常只使用一个上偏置电阻,这个所以共集组态放大电路经常只使用一个上偏置电
25、阻,这个上偏置电阻一般可以用到几百千欧以上。上偏置电阻一般可以用到几百千欧以上。3.输出电阻输出电阻求求求基极电流:基极电流:求输出电阻求输出电阻 根据输出电阻的定义,需要将信号源进行置零处根据输出电阻的定义,需要将信号源进行置零处理,也就是理,也就是 ,将,将 短路,但保留内阻短路,但保留内阻 ;将负载电;将负载电阻阻 开路,同时在输出端加一个测试用信号源开路,同时在输出端加一个测试用信号源 。于是于是 所以,输出电阻相当两个电阻的并联,一个是所以,输出电阻相当两个电阻的并联,一个是Re,另一个是基极回路的等效电阻归算到发射极回路的电阻另一个是基极回路的等效电阻归算到发射极回路的电阻求输出电
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