电子技术基础模拟部分总复习(第六版)幻灯片课件.ppt
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1、电子技子技术基基础模模拟部分部分总复复习(第六版第六版)1.1.放大倍数放大倍数(增益增益)表征放大器的放大能力表征放大器的放大能力 根根据据放放大大电电路路输输入入信信号号的的条条件件和和对对输输出出信信号号的的要要求求,放放大大器器可可分分为为四四种种类类型型,所所以以有有四四种种放放大大倍倍数的定义。重点是数的定义。重点是电压放大电路模型。第一章第一章 绪论绪论 重点:重点:重点:重点:放大电路的模型及主要性能指标放大电路的模型及主要性能指标1.输入电阻输入电阻反应了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。反应了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。输入电压信号,输入电压信号,越大,越大,越大
2、。越大。输入电流信号,输入电流信号,越小,越小,越大。越大。2.输出电阻输出电阻 决定放大电路带负载能力。决定放大电路带负载能力。输出电压信号时,输出电压信号时,越小(相对越小(相对 ),),对对 影响越小,影响越小,输出电流信号时,输出电流信号时,越大(相对越大(相对 ),),对对 影响越小。影响越小。输出电阻的计算:输出电阻的计算:集成运放集成运放引入负反馈引入负反馈运算电路运算电路比例运算比例运算加减运算加减运算积分运算积分运算反相反相同相同相在求解运算放大电路中经常用到叠加原理在求解运算放大电路中经常用到叠加原理第二章第二章 运算放大器运算放大器重点:集成运放重点:集成运放重点:集成运
3、放重点:集成运放及线性应用电路的分析,及线性应用电路的分析,能够熟练运用虚断虚短能够熟练运用虚断虚短的概念分析,反相、同相、比例运算电路、加法运算电路,减法的概念分析,反相、同相、比例运算电路、加法运算电路,减法运算电路及积分,微分电路。运算电路及积分,微分电路。运放工作在线性区的分析方法:运放工作在线性区的分析方法:虚短(虚短(v+=v-)虚断(虚断(ii+=ii-=0)开环电压放大倍数开环电压放大倍数 Aod=差摸输入电阻差摸输入电阻 Rid=输出电阻输出电阻 Ro=01.理想运算放大器:理想运算放大器:2.线性区线性区为了扩大运放的线性区,给运放电路引入负反馈为了扩大运放的线性区,给运放
4、电路引入负反馈比例运算电路比例运算电路 (1)反相比例运算电路)反相比例运算电路 例例1 1:试求理想运算放大器的输出电压和电压放大倍:试求理想运算放大器的输出电压和电压放大倍数的表达式。数的表达式。电压增益电压增益 Avf=Vo/Vi=Rf/R1反相比例运算电路反相比例运算电路根据虚断根据虚断 I-=I+0解:解:I-I+根据虚短根据虚短 V+V-0Ii=(Vi V-)/R1 Vi/R1If=(V-Vo)/Rf -Vo/RfIi If Vi/R1=-Vo/Rf电压并联负反馈电压并联负反馈(2)同相比例运算电路)同相比例运算电路例例2 2:试求理想运算放大器的输出电压和电压放大倍数的表达:试求
5、理想运算放大器的输出电压和电压放大倍数的表达式。式。电压增益电压增益同相比例运算电路同相比例运算电路根据虚断根据虚断 I-=I+0解:解:根据虚短根据虚短 V+V-Vi电压串联负反馈电压串联负反馈电压串联负反馈电压串联负反馈 运算放大器输入端共模信号较大运算放大器输入端共模信号较大 运算电路输入电阻很大运算电路输入电阻很大输出与输入同相输出与输入同相电压跟随器电压跟随器加法电路加法电路-反相加法求和反相加法求和 根根据据虚虚短短、虚虚断断和和N点点的的KCL得:得:若若则有则有(加法运算)(加法运算)输出再接一级反相电路输出再接一级反相电路可得可得思考:多个输入的求和思考:多个输入的求和运算电
6、路运算关系的求解方法在运算电路中都引入了深度负反馈,可认为运放的净输入电压为0(即虚短),净输入电流也为0(虚断)。以“虚短”和“虚断”为基础,利用节点电流法和叠加原理(适于多个输入信号的情况)即可求得输出与输入的运算关系。习题习题2.3.2;2.4.8第三章第三章 二极管及其基本电路二极管及其基本电路重点:二极管的单向导电性重点:二极管的单向导电性重点:二极管的单向导电性重点:二极管的单向导电性及应用电路的分析及应用电路的分析 如果外加电压使如果外加电压使PN结中:结中:P区的电位高于区的电位高于N区的电位,称为加区的电位,称为加正向电压正向电压,简称简称正偏正偏;PN结具有单向导电性:结具
7、有单向导电性:若外加电压使电流从若外加电压使电流从P区流区流到到N区,区,PN结呈低阻性,所以电流大;反之是高结呈低阻性,所以电流大;反之是高阻性,电流小。阻性,电流小。P区的电位低于区的电位低于N区的电位,称为加区的电位,称为加反向电压反向电压,简称简称反偏反偏。正偏导通,反偏工作在截止状态正偏导通,反偏工作在截止状态半导体二极管的伏安特性曲线 式中式中IS 为反向饱和电流为反向饱和电流,VD 为二极管两端的为二极管两端的电压降电压降,VT=kT/q 称为温度的电压当量称为温度的电压当量,k为玻为玻耳兹曼常数,耳兹曼常数,q 为电子电荷量,为电子电荷量,T 为热力学温度。为热力学温度。对于室
8、温(相当对于室温(相当T=300 K),则有),则有VT=26 mV。第一象限的是正第一象限的是正向伏安特性曲线,向伏安特性曲线,第三象限的是反向第三象限的是反向伏安特性曲线。伏安特性曲线。图图 稳压二极管的伏安特性稳压二极管的伏安特性 (a)符号符号 (b)伏安特性伏安特性 (c)应用电路应用电路(b)(c)(a)图示图示D1 abD2V1V例例1.二极管构成的二极管构成的电电路如路如图图所示,如果二极管是理所示,如果二极管是理想的,分析想的,分析D1和和D2的的导导通情况,求通情况,求电电路路电压电压解:断开解:断开D1得得断开断开D得得以上分析得以上分析得D1导导通、通、D2截止,截止,
9、=0V又如书上又如书上p70 例例3.4.6 图图3.4.12第四章第四章 场效应管放大电路场效应管放大电路P沟道沟道耗尽型耗尽型P沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道增强型增强型N沟道沟道N沟道沟道(耗尽型)(耗尽型)FET场效应管场效应管JFET结型结型MOSFET绝缘栅型绝缘栅型场效应管的分类:场效应管的分类:场效应半导体三极管是仅由场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入的半导体器件,是一种用输入电压控制电压控制输出电流的半输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分,它有电子作导体器件。从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的为载流子的N
10、 N沟道沟道器件和空穴作为载流子的器件和空穴作为载流子的P P沟道沟道器件。器件。能够根据转移特性判别场效应管的类型(能够根据转移特性判别场效应管的类型(P145表表4.10.1)增强型增强型MOS管管 N型:型:VGS0 VDS0开启电压开启电压VT0 P型:型:VGS0 VGS0开启电压开启电压VT0 耗尽型耗尽型MOS管管N型型 VP0 VDS0P型型 VP0 VDS0 VGS可正、可负、可可正、可负、可0电流判断电流判断 电压判断电压判断 p151 作业作业4.1.1/4.1.2 第五章第五章 双极型三极管及放大电路基础双极型三极管及放大电路基础 硅管(硅管(VBE=0.7V)、锗管(
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