大学电路电子学第3讲半导体二极管.ppt
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1、第三讲 半导体二极管一、二极管的结构二、二极管的伏安特性及电流方程四、二极管的等效电路三、二极管的主要参数五、稳压二极管六、其他类型二极管 一、二极管的结构一、二极管的结构将将PN结封装,引出两个电极,就构成二极管。结封装,引出两个电极,就构成二极管。点接触型:点接触型:结面积小,结电容小结面积小,结电容小故结允许的电流小故结允许的电流小最高工作频率高最高工作频率高(检波或小功率整流)(检波或小功率整流)面接触型:面接触型:结面积大,结电容大结面积大,结电容大故结允许的电流大故结允许的电流大最高工作频率低最高工作频率低(整流管)(整流管)平面型:平面型:结面积可小、可大结面积可小、可大小的工作
2、频率高(开小的工作频率高(开关管)关管)大的结允许的电流大大的结允许的电流大(大功率整流)(大功率整流)二、二极管的伏安特性及电流方程二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性伏安特性材料材料开启电压开启电压导通电压导通电压反向饱和电流反向饱和电流硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下锗锗Ge0.1V0.10.3V几十A开启开启电压电压反向饱反向饱和电流和电流击穿击穿电压电压温度的温度的电压当量电压当量从二极管的伏安特性可以反映出:从二极管的伏安特性可以反映出:1、单向导电性、单向导电性2 2、伏安特性受温度影响、伏安特性受温度影响
3、T()在电流不变情况下管压降在电流不变情况下管压降u 反向饱和电流反向饱和电流IS,U(BR)T()正向特性左移正向特性左移,反向特性下移,反向特性下移正向特性为正向特性为指数曲线指数曲线反向特性为横轴的平行线反向特性为横轴的平行线三、三、二极管的主要参数二极管的主要参数最大整流电流最大整流电流IF:最大正向平均电流:最大正向平均电流最大反向工作电压最大反向工作电压UR:最大反向瞬时值,:最大反向瞬时值,UR=U(BR)/2反向电流反向电流 IR:即:即IS最高工作频率最高工作频率fM:因:因PN结有电容效应结有电容效应结电容为结电容为扩散电容(扩散电容(Cd)与与势垒电容(势垒电容(Cb)之
4、和。之和。扩散路程中电扩散路程中电荷的积累与释荷的积累与释放放空间电荷区宽空间电荷区宽窄的变化有电窄的变化有电荷的积累与释荷的积累与释放放参数型号最大整流电流最高反向工作电压最高反向工作电压下的反向电流(125oC)正向压降(平均值)(25oC)最高工作频率AVAVkHz2CZ520.125,50,100,200,300,400,500,600,700,800,900,100,1200,1400,1600,1800,2000,2200,2400,2600,2800,300010000.832CZ540.510000.832CZ57510000.83表表1国产半导体二极管参数(2CZ5257系列
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- 大学 电路 电子学 半导体 二极管
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