《电阻应变式传感器》PPT课件.ppt
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1、检测技术检测技术 第四章第四章电阻式传感器电阻式传感器 本章内容简介电阻应变式传感器是一种典型的结构型传感器,它利用电阻应变效应,将力、力矩、压力等物理量转换为电信号。电阻应变片是电阻应变式传感器的核心元件。本章首先介绍电阻应变效应,然后介绍电阻应变片的类型、结构和基本特性。本章内容简介电阻应变式传感器最常用的测量电路是电桥,本章对测量电桥的类型、结构和工作原理、特性和应用做了分析。温度误差是电阻应变式传感器的主要误差,本章对温度误差的产生做了分析,并给出了温度补偿的措施。作为典型应用,最后介绍了几种最常用的金属电阻应变式力传感器。教材胡向东等编著传感器与检测技术38 5.1 5.1 电阻应变
2、效应电阻应变效应 电阻应变式传感器是一种利用电阻应变效应,将力、力矩、压力等物理量转换为电信号的结构型传感器。5.1.1 5.1.1 电阻丝的电阻应变效应电阻丝的电阻应变效应 电阻丝受外力作用时,将产生弹性变形和应变,与此同时其电阻值也发生改变,这种现象称为电阻应变效应。先考虑如图所示的电阻丝的电阻应变效应。5.1.1 5.1.1 电阻丝的电阻应变效应电阻丝的电阻应变效应 单根电阻丝的电阻R可用下式表示:5.1.1 5.1.1 电阻丝的电阻应变效应电阻丝的电阻应变效应 当电阻丝受力伸长(或缩短)时,、L、A均发生变化,从而引起电阻值的变化。5.1.1 5.1.1 电阻丝的电阻应变效应电阻丝的电
3、阻应变效应 电阻值的变化量dR可通过上式的全微分求得:5.1.1 5.1.1 电阻丝的电阻应变效应电阻丝的电阻应变效应 则电阻值的相对变化量为:5.1.1 5.1.1 电阻丝的电阻应变效应电阻丝的电阻应变效应 为分析方便,假设电阻丝是圆形截面的,截面积Ar2,r为电阻丝的半径,则有 5.1.1 5.1.1 电阻丝的电阻应变效应电阻丝的电阻应变效应 令x称为电阻丝的纵向应变,y称为电阻丝的横向应变。5.1.1 5.1.1 电阻丝的电阻应变效应电阻丝的电阻应变效应 由材料力学可知,在弹性范围内,若电阻丝受拉伸,则沿轴向(纵向)伸长,沿径向(横向)缩短,纵向应变与横向应变的关系可表示为:5.1.1
4、5.1.1 电阻丝的电阻应变效应电阻丝的电阻应变效应 上式中,为电阻丝材料的泊松系数,又称泊松比。上式中的负号表示横向应变与纵向应变的方向相反。5.1.1 5.1.1 电阻丝的电阻应变效应电阻丝的电阻应变效应 综合上面三个式子,可得:这就是电阻应变效应的表达式。5.1.1 5.1.1 电阻丝的电阻应变效应电阻丝的电阻应变效应单位应变所引起的电阻相对变化量称为电阻丝的应变灵敏系数,用K表示。根据上式可得 5.1.1 5.1.1 电阻丝的电阻应变效应电阻丝的电阻应变效应由上式可知,电阻丝的应变灵敏系数受两个因素的影响:一是因电阻丝几何尺寸改变产生应变而引起的,即(1+2)项,往往称之为几何效应;二
5、是因受力后电阻丝的电阻率发生变化而引起的,即后面的一项,往往称之为压阻效应。5.1.2 5.1.2 金属电阻应变效应金属电阻应变效应 对于金属材料,其压阻效应是很小的,可以忽略不计,电阻应变效应主要是几何效应。因此有这就是金属电阻应变效应的表达式。5.1.2 5.1.2 金属电阻应变效应金属电阻应变效应上式中Ks称为金属电阻丝的应变灵敏系数,表示金属电阻丝受单位轴向应变作用所产生的电阻相对变化量,且有 5.1.2 5.1.2 金属电阻应变效应金属电阻应变效应对于大多数金属材料,泊松比,所以Ks的数值在之间。如康铜,Ks;镍铬合金,Ks。对于每一种金属电阻丝,在一定的变形范围内,无论受拉或受压,
6、应变灵敏系数Ks保持不变,但超出该范围时Ks值将发生变化。5.1.3 5.1.3 半导体的压阻效应和压阻系数半导体的压阻效应和压阻系数 对一块半导体沿某一轴向施加一定的载荷而产生应力时,它的电阻率会发生一定的变化,这种现象称为半导体的压阻效应。由半导体理论可知,不同类型的半导体,施加同一方向的载荷,压阻效应不一样;相同类型的半导体,施加不同方向的载荷,压阻效应也不一样。5.1.3 5.1.3 半导体的压阻效应和压阻系数半导体的压阻效应和压阻系数对于某种类型的半导体材料,沿某一轴向施加载荷而产生应力时,它的电阻率的相对变化与作用于材料的轴向应力x成正比,即式中,x为半导体材料沿受力方向的压阻系数
7、,它是一个与半导体材料和受力方向有关的系数。5.1.3 5.1.3 半导体的压阻效应和压阻系数半导体的压阻效应和压阻系数根据材料力学,轴向应力x与轴向应变x的关系为式中 E半导体材料的弹性模数。5.1.3 5.1.3 半导体的压阻效应和压阻系数半导体的压阻效应和压阻系数由上面两个式子有将上式代入应变效应表达式中,得 5.1.3 5.1.3 半导体的压阻效应和压阻系数半导体的压阻效应和压阻系数上式中,Ks称为半导体材料的应变灵敏系数,表示半导体材料受单位轴向应变作用时所产生的电阻相对变化量,且有 5.1.3 5.1.3 半导体的压阻效应和压阻系数半导体的压阻效应和压阻系数(1+2)项是几何形状变
8、化对电阻相对变化量的影响,其值约为12;后面一项即为压阻效应的影响,其值远大于前面一项,约为50150。故可略去(1+2)项,因此半导体材料的灵敏系数可表示为:5.1.3 5.1.3 半导体的压阻效应和压阻系数半导体的压阻效应和压阻系数半导体材料的电阻应变效应主要是基于压阻效应。一般的半导体材料的弹性模量E()1011Pa,压阻系数(4880)10-11Pa,故Ks50150。由此可见,半导体材料的应变灵敏系数远大于金属材料的应变灵敏系数。5.2 5.2 电阻应变片电阻应变片 按材料,电阻应变片有金属电阻应变片和半导体应变片两大类。5.2.1 5.2.1 金属电阻应变片金属电阻应变片 1金属电
9、阻应变片的结构2金属电阻应变片的类型3金属电阻应变片的粘贴4金属电阻应变片的基本特性及主要技术性能参数 1 1金属电阻应变片的结构金属电阻应变片的结构 金属电阻应变片的结构如图所示。由金属电阻材料制成的敏感栅1粘贴在绝缘的基底2上,敏感栅的两端焊接有引出导线4,敏感栅上面粘贴有覆盖层3。1 1金属电阻应变片的结构金属电阻应变片的结构图所示为金属电阻应变片实物。1 1金属电阻应变片的结构金属电阻应变片的结构敏感栅是金属电阻应变片的核心,它由金属电阻材料制成。对金属电阻材料的要求是:应变灵敏系数大,且线性范围宽;电阻率大,且稳定性好;电阻温度系数小;机械强度高,耐疲劳;抗氧化,耐腐蚀;易加工,焊接
10、性能好等。常用的金属电阻材料有康铜、镍络合金、铁铬铝合金、铂及铂合金等。1 1金属电阻应变片的结构金属电阻应变片的结构基底的作用是固定敏感栅并使敏感栅与测试件绝缘。覆盖层起着保护敏感栅的作用。对基底和覆盖层材料的要求是:抗潮湿,绝缘性能好,线膨胀系数小且稳定,易于粘贴等。主要有薄纸和由有机聚合物制成的胶质膜。1 1金属电阻应变片的结构金属电阻应变片的结构引出线用以和外接导线相连。对引出线的要求是:电阻率小,焊接方便和可靠,耐腐蚀。一般多采用直径为 的镀银铜丝和镀锡铜丝。2 2金属电阻应变片的类型金属电阻应变片的类型 金属电阻应变片可按敏感栅的形式来分类,常见的有丝式、箔式和薄膜式三种。2 2金
11、属电阻应变片的类型金属电阻应变片的类型丝式电阻应变片敏感栅的典型形状,如图所示,由电阻丝绕制而成。这种应变片具有制造简单、性能稳定、价格便宜、易于粘贴等优点,但由于其圆弧部份参与变形会产生较大的横向效应。2 2金属电阻应变片的类型金属电阻应变片的类型图所示为另一种丝式电阻应变片的敏感栅,称为短接型应变片,这种应变片是将电阻丝平行安放,两端用较粗的镀银铜线焊接连接。2 2金属电阻应变片的类型金属电阻应变片的类型这种应变片的横向效应很小,但由于焊点多,在受冲击、振动时焊点容易损坏,制造工艺要求较高。2 2金属电阻应变片的类型金属电阻应变片的类型箔式电阻应变片的敏感栅如图所示。2 2金属电阻应变片的
12、类型金属电阻应变片的类型它是通过光刻、腐蚀等工序在基底上制成的一层很薄的金属箔栅,基底和覆盖层多为胶质膜。2 2金属电阻应变片的类型金属电阻应变片的类型箔式电阻应变片的优点是表面积与截面积之比大,散热条件好,允许通过较大电流,从而增大输出信号,提高灵敏度;可根据测量需要制成任意形状,在制造工艺上能保证敏感栅尺寸准确线条均匀;具有较好的可挠性,有利于粘贴及应变的传递;易加工,适于批量生产,成本低等。2 2金属电阻应变片的类型金属电阻应变片的类型薄膜应变片是采用真空蒸镀技术在薄的绝缘基片上蒸镀上金属电阻材料薄膜,最后加上保护层制成的,其优点是应变灵敏系数高,允许电流密度大等。3 3金属电阻应变片的
13、粘贴金属电阻应变片的粘贴 应用时通过粘合剂把应变片粘贴在测试件表面上。通过粘合剂和基底的传递作用使敏感栅感受测试件表面的变形和应变。如何使测试件表面的变形和应变准确地传递给敏感栅是应变片测量的关键之一。3 3金属电阻应变片的粘贴金属电阻应变片的粘贴粘合剂有多种类型,其使用范围及特点各不相同。选用粘合剂时要根据应变片材料,测试件材料,应变片的工作条件,如工作温度、潮湿程度、有无化学腐蚀、稳定性要求,加温加压固化的可能性,粘贴时间长短等因素来考虑。3 3金属电阻应变片的粘贴金属电阻应变片的粘贴测量精度与应变片粘贴的质量关系很大。在粘贴应变片时,必须严格按照粘贴工艺规程进行操作,保证粘贴质量。4 4
14、金属电阻应变片的基本特性金属电阻应变片的基本特性及主要技术性能参数及主要技术性能参数(1)几何尺寸与电阻值(2)应变片的应变灵敏系数(3)横向效应(4)最大工作电流(1 1)几何尺寸与电阻值)几何尺寸与电阻值应变片的纵轴线称为灵敏轴线,沿着灵敏轴线的方向称为纵向,垂直于灵敏轴线的方向称为横向。(1 1)几何尺寸与电阻值)几何尺寸与电阻值如图所示,敏感栅在纵向的长度L,称为应变片的标距,也称栅长;敏感栅在横向的宽度b,称为应变片的栅宽;栅长与栅宽的乘积Lb,称为应变片的工作面积。(1 1)几何尺寸与电阻值)几何尺寸与电阻值一般厂家生产的应变片,标距都有一个系列值,最小为,最长为300mm。应变片
15、的工作面积小,有利于减小传感器体积及选择贴片位置,但不利于散热。因此,应根据需要选择应变片的几何尺寸。(1 1)几何尺寸与电阻值)几何尺寸与电阻值电阻值R0又称为初始电阻值,是指应变片在未粘贴及未受外力作用时,在室温(20)下所测得的电阻值。定型生产的应变片的电阻值有一个系列值:60、120、350、600、700和1000等。(2 2)应变片的应变灵敏系数)应变片的应变灵敏系数 应变片粘贴于测试件表面,在其纵向的单向应变x作用下,应变片电阻值的相对变化与应变片所受的纵向应变的比值,称为应变片的应变灵敏系数K,即(2 2)应变片的应变灵敏系数)应变片的应变灵敏系数应变片的应变灵敏系数K主要取决
16、于金属电阻丝的应变灵敏系数Ks。但实验表明,应变片的灵敏系数K恒小于金属电阻丝的灵敏系数Ks。究其原因,主要有两个:其一是粘结层和基片传递应变有失真;其二是存在横向效应。(2 2)应变片的应变灵敏系数)应变片的应变灵敏系数应变片的应变灵敏系数K需通过实验测定。因应变片粘贴到测试件上后不能取下再用,所以应变片出厂时只能在每批产品中抽样测定。应变片的应变灵敏系数的测定是在特定的实验装置上进行的,测试件材料规定为泊松系数0的钢。厂家通过实验测定所得的应变灵敏系数,称为“标称应变灵敏系数”。(3 3)横向效应)横向效应 测试件受外力作用产生的应变可分解为纵向应变x和横向应变y。在一般情况下,测试件在外
17、力作用下产生的横向应变y与纵向应变x的符号相反,若纵向应变x为正,则横向应变y为负。(3 3)横向效应)横向效应设敏感栅两端弯曲部分为半圆弧形,如图所示,则敏感栅可分为中间的纵栅和两端的半圆弧形横栅两部分。(3 3)横向效应)横向效应应变片粘贴在测试件上,应变片敏感栅的纵栅部分仅受纵向应变x的作用。若纵向应变x为正,则其电阻值增大。(3 3)横向效应)横向效应而敏感栅的半圆弧形横栅部分,将受纵向应变x和横向应变y的共同作用。(3 3)横向效应)横向效应由于横向应变y与纵向应变x的符号相反,在它们的共同作用下,使得敏感栅的半圆弧形横栅部分的电阻值变化要比同长度的电阻丝受纵向应变x的作用所产生的电
18、阻值变化要小,这种现象称为横向效应。(3 3)横向效应)横向效应由于存在横向效应,在同样的纵向应变x作用下,金属电阻丝绕成应变片时所产生的电阻值变化要比没有绕成应变片的同长度的电阻丝所产生的电阻值变化小。(3 3)横向效应)横向效应从而使应变片的应变灵敏系数K小于金属丝的应变灵敏系数Ks。(4 4)最大工作电流)最大工作电流 实际应用中,电阻应变片须接入测量电路,这时就有工作电流通过应变片。工作电流大,输出信号也大,因而灵敏度高。但工作电流过大会使应变片过热,使应变灵敏系数发生变化,甚至会烧毁应变片。(4 4)最大工作电流)最大工作电流应变片的最大工作电流Im是指允许通过应变片而不影响其工作和
19、性能的最大电流值。实际应用时,应使工作电流不超过最大工作电流Im。5.2.2 5.2.2 半导体应变片半导体应变片 金属电阻应变片虽然有很多优点,但却存在一大弱点,就是应变灵敏系数低。在20世纪50年代中期开始出现了半导体应变片,其应变灵敏系数比金属电阻的约高50100倍,它的出现为电阻应变式传感器的发展开创了新的途径。5.2.2 5.2.2 半导体应变片半导体应变片随着微电子技术的发展,20世纪70年代中期又研制出了周边固支的硅膜片一体化固态压阻器件,由于它具有灵敏度高、动态响应好、准确度高、易于微型化和集成化等特点,因而得到广泛的应用,并成为受到人们普遍关注并重点开发的新型传感器。5.2.
20、2 5.2.2 半导体应变片半导体应变片半导体应变片是用半导体材料制成敏感栅的应变片,使用时,它与金属电阻应变片一样,利用应变胶粘贴在测试件上。目前半导体应变片使用最多的材料是是单晶硅半导体。半导体应变片的种类很多,按制作工艺可分为体型、薄膜型、扩散型等几种。5.2.2 5.2.2 半导体应变片半导体应变片应用最多的是体型半导体应变片,它是沿所需的晶向,在硅锭上切出小条作为应变片的敏感栅,亦有制成栅状的,然后在敏感栅上焊接引线而制成,如图所示。5.2.2 5.2.2 半导体应变片半导体应变片薄膜型半导体应变片是利用真空蒸镀、沉积技术将半导体材料沉积在带绝缘层的基底上制成。基底材料有金属箔、玻璃
21、或陶瓷薄片,敏感栅厚度,敏感栅与基底之间有氧化硅绝缘层,敏感栅有内外引线引出。这种应变片的灵敏系数一般小于体型半导体应变计,它们的电阻-温度变化曲线的线性较好,灵敏系数随温度变化及热输出也很小。5.2.2 5.2.2 半导体应变片半导体应变片扩散型半导体应变片是在半导体材料N型硅的基底上,利用杂质扩散技术,将P型杂质(硼、铝等)扩散到N型硅中,即可形成一层极薄的P型导电膜。P型导电膜即为敏感栅。P型导电膜往往为条形,称之为P型电阻条。5.2.2 5.2.2 半导体应变片半导体应变片根据需要将基底加工成圆膜形、梁形等受力元件,在其上面扩散多条电阻条,便可制成各种不同用途的扩散型半导体应变片,如图
22、所示。5.2.2 5.2.2 半导体应变片半导体应变片还可利用集成电路技术把扩散型半导体应变片与补偿、放大及信号转换、电源等电路集成为一体,使传感器向超小型、多功能及智能化方向发展。5.3 5.3 电阻应变式传感器的测量电路电阻应变式传感器的测量电路 金属电阻应变片K值很小(K2),被测应变LL一般在10-610-3范围内,故电阻应变片的电阻变化(RKR)范围约为51041O1,因而测量电路应当能精确地测量出这样小的电阻变化。在电阻应变传感器中,最常用的测量电路是电桥。5.3.1 5.3.1 测量电桥的构成和类型测量电桥的构成和类型 1测量电桥的构成2测量电桥的输出电压和平衡条件 3测量电桥的
23、类型 1 1测量电桥的构成测量电桥的构成 测量电桥由四个阻抗元件Z1、Z2、Z3、Z4构成,如图所示。它的一个对角A、C接入电源电压Us,则另一个对角B、D有输出电压UO。1 1测量电桥的构成测量电桥的构成 AC称为电源端,BD称为输出端。测量电桥的输出端往往接入负载ZL。2 2测量电桥的输出电压和平衡条件测量电桥的输出电压和平衡条件 根据戴维南定理,任何一个有源两端网络,都可用一个等效电压ETH和一个等效阻抗ZTH串联的等效电路来代替。因此可将上图简化成图所示的等效电路。2 2测量电桥的输出电压和平衡条件测量电桥的输出电压和平衡条件等效电压ETH等于输出端BD开路时的端电压,可由两个支路的分
24、压之差求出,即有 2 2测量电桥的输出电压和平衡条件测量电桥的输出电压和平衡条件等效阻抗ZTH等于电源端AC短路时输出端BD的阻抗,有 2 2测量电桥的输出电压和平衡条件测量电桥的输出电压和平衡条件通过负载阻抗ZL的电流IL为负载阻抗ZL的电压降UL即为输出电压Uo,故有 2 2测量电桥的输出电压和平衡条件测量电桥的输出电压和平衡条件若测量电桥的负载阻抗ZL足够大,即ZL远大于桥臂阻抗,这时电桥的输出端可视为开路,此时电桥的输出电压近似为等效电压ETH,即 2 2测量电桥的输出电压和平衡条件测量电桥的输出电压和平衡条件当电桥的四个桥臂阻抗满足某种关系时,电桥的输出电压等于零,这时就称电桥平衡。
25、为了使电桥的输出为零,即达到电桥平衡,应满足 2 2测量电桥的输出电压和平衡条件测量电桥的输出电压和平衡条件因要使电桥平衡,则应满足 2 2测量电桥的输出电压和平衡条件测量电桥的输出电压和平衡条件上面式子即为电桥的平衡条件。电桥的平衡条件包括幅值条件和相角条件。由此可得电桥的平衡条件为:两相对桥臂阻抗的幅值乘积相等,相角和相等。2 2测量电桥的输出电压和平衡条件测量电桥的输出电压和平衡条件对于桥臂阻抗为纯电阻的情况,若负载电阻RL远大于桥臂电阻,则电桥的输出电压为2 2测量电桥的输出电压和平衡条件测量电桥的输出电压和平衡条件电桥的平衡条件为:即纯电阻电桥的平衡条件为:两相对桥臂的电阻乘积相等。
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