东南大学信息学院模电答案作业题_第四章教学内容.ppt

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1、东南大学信息学院模电答案作业题_第四章4-14-14在共基放大电路的基极上接入电阻RB，其交流通路如图P4-14所示。试画出小信号等效电路，若rce忽略不计，试写出输入电阻Ri、输出电阻Ro、电流增益Ai和源电压增益Avs表达式。解：解：4-19图P4-19所示为有源负载共发放大器原理电路，试导出输出电阻Ro的表达式。图中CE对交流呈短路。解：解：电路图电路图交流通路交流通路4-20图P4-20所示为单级MOS放大电路，已知各管参数：gm1=600S，gm2=200S，rds1=rds2=1M，(W/l)1=200/20。（1）指出各电路名称，画出小信号等效电路；（2）计算Av=vo/vi，和

2、(W/l)2值。解：解：(b)电路图电路图交流通路交流通路小信号等效电路小信号等效电路解：解：(d)4-20电路图电路图交流通路交流通路小信号等效电路小信号等效电路4-28图P4-28所示为共集-共发放大器，已知晶体管1=2=150，VBE(on)=0.7V,rce忽略不计，ICQ1=1mA，ICQ2=1.5mA，试求 Ri、Av、Avs。解：解：4-30解：解：图P4-30所示为共发-共基组合放大器，试画出直流通路和交流通路，已知晶体三极管1=2=100，VBE(on)1=VBE(on)2=0.7V，VB2=5V，各电容对交流呈短路，试求VCEQ1，VCEQ2，Av，Avs。电路图电路图交流

3、通路交流通路4-33解：解：在图P4-33所示的差分放大器中，已知场效应管的nCoxW/2l=1mA/V2，VGS(th)=-1V，若电容CD对交流呈短路，vi=10mV，试求ISS,Avd2，Avc2，KCMR，vo值。4-36解：解：图P4-36所示为E/D MOS差分放大电路，试导出双端输出的差模电压增益Av=vo/vi 表达式。设各管衬底与地相连，沟道长度调制效应忽略不计。差模交流通路(半电路)小信号等效电路(半电路)4-38解：解：在图P4-38所示电路中，已知100，RL10k，rce可忽略。试画出差模、共模交流通路，并求：(1)差模输入电阻Rid，差模输出电阻Rod，差模电压增益

4、Avd；(2)共模输入电阻Ric，共模输出电阻Roc，共模电压增益Avc；(3)共模抑制比KCMR。差模交流通路(半电路)共模交流通路(半电路)(1)：差模性能：差模性能(双端输出双端输出)(2)：共模性能：共模性能(单端输出单端输出)(3)：共模抑制比：共模抑制比4-47解：解：比例式电流源电路如图P4-47所示，已知各晶体管特性一致，VBE(on)=0.7V，100，|VA|=120V，试求IC1、IC3和T3侧的输出交流电阻Ro3。4-55解：解：(1)图P4-55所示电路中，各双极性晶体管的参数均为=100，|VA|=100,|VBE(on)|=0.7V,rbb=0,场效应管参数也都相

5、同，VGS(th)=2V ,试求：(1)T1、T2管的静态工作点电流；(2)放大器的差模输入电阻 Rid、输出电阻Rod，差模电压增益 Avd(图中Cc为隔直流电容)。(2)4-72解：解：在图P4-70所示电路中，已知管子参数为，场效应管：VGS(th)=1V,晶体管的 ,=100，VBE(on)=0.6 V，试求差模电压增益Av=vo/vi。已知一无零三极系统的中频电压增益AvI=105，三个极点角频率p均为106rad/s。(1)试写出该系统的传递函数Av(s)，并画出该传递函数的渐近波特图；(2)分别计算106rad/s、107rad/s的实际增益和相位值；(3)计算上限频率H。4-75解：解：(1)(2)(3)