电子陶瓷材料复习课程.ppt
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《电子陶瓷材料复习课程.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电子陶瓷材料复习课程.ppt(33页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、电子陶瓷材料LTCC基板优点基板优点缺陷的分类:瞬时瞬时缺陷缺陷电子电子缺陷缺陷点缺陷点缺陷线线 缺缺陷陷面面 缺缺陷陷体缺陷体缺陷声子声子电子电子空穴空穴晶格空位晶格空位格格点点间间填填隙原子隙原子置换原子置换原子位错位错晶晶 体体表面表面晶界晶界相界相界层错层错空洞空洞缺陷簇缺陷簇夹杂物夹杂物点缺陷的标记法:点缺陷的标记法:Kroger-Vink Notation:缺陷种类缺陷种类M X V晶晶格格空空位位非非金金属属元元素素符符号号金金属属元元素素符符号号缺陷有效电荷缺陷有效电荷 正电荷正电荷,负电荷,负电荷电中性电中性缺陷位置缺陷位置M X I格格点点间间填填隙隙位位置置非非金金属属元
2、元素素符符号号金金属属元元素素符符号号缺陷种类与有效电荷缺陷种类缺陷种类有效电荷有效电荷高价离子置换高价离子置换 +低价离子置换低价离子置换 -金属离子空位金属离子空位 -非金属离子空位非金属离子空位 +金属离子填隙金属离子填隙 +非金属离子填隙非金属离子填隙 -二二.晶体缺陷的研究:晶体缺陷的研究:1)结晶学观点出发,研究缺陷存在的形态结晶学观点出发,研究缺陷存在的形态2)热力学立场出发,研究缺陷生成的理论热力学立场出发,研究缺陷生成的理论依据依据 LDK玻璃技术指标准化学平衡法 n n原理原理原理原理将缺陷生成看作是一种化学反应将缺陷生成看作是一种化学反应将缺陷生成看作是一种化学反应将缺陷
3、生成看作是一种化学反应 n n缺陷反应方程式的规则:缺陷反应方程式的规则:缺陷反应方程式的规则:缺陷反应方程式的规则:(1)(1)质质质质量量量量关关关关系系系系原原原原子子子子数数数数平平平平衡衡衡衡,方方方方程程程程两两两两边边边边各各各各种种种种原子原子原子原子(或离子或离子或离子或离子)的个数必须相等的个数必须相等的个数必须相等的个数必须相等(2)(2)位位位位置置置置关关关关系系系系格格格格点点点点数数数数成成成成正正正正确确确确比比比比例例例例,每每每每增增增增加加加加a a个个个个MM格点,须增加格点,须增加格点,须增加格点,须增加b b个个个个X X格点格点格点格点(3)(3)
4、电荷关系电荷关系电荷关系电荷关系电荷平衡,方程两边的总有电荷平衡,方程两边的总有电荷平衡,方程两边的总有电荷平衡,方程两边的总有效电荷必须相同效电荷必须相同效电荷必须相同效电荷必须相同(晶体的电中性晶体的电中性晶体的电中性晶体的电中性)缺陷反应方程式应用示例缺陷反应方程式应用示例:具有具有Frankel缺陷的化学计量化合物缺陷的化学计量化合物M+2X-2:具具有有反反Frankel缺缺陷陷的的化化学学计计量量化化合合物物M+2X-2:具有具有Schottky缺陷的化学计量化合物缺陷的化学计量化合物M+2X-2:(无缺陷无缺陷)缺陷反应方程式应用示例缺陷反应方程式应用示例具有反具有反具有反具有反
5、SchottkySchottky缺陷的化学计量化合物缺陷的化学计量化合物缺陷的化学计量化合物缺陷的化学计量化合物MM+2+2X X-2-2:正离子缺位的非化学计量化合物正离子缺位的非化学计量化合物正离子缺位的非化学计量化合物正离子缺位的非化学计量化合物MM1-y1-yX(NiX(Ni1-y1-yO,CuO,Cu2-y2-yO,MnO,Mn1-y1-yOO等等等等)如果缺陷反应充分,则有如果缺陷反应充分,则有如果缺陷反应充分,则有如果缺陷反应充分,则有正离子缺位正离子缺位 一价电离一价电离 正离子缺位正离子缺位 二价电离二价电离为多子,为多子,p型半导体型半导体非非化化学学计计量量比比化化合合物
6、物MX1-y(负负离离子子缺缺位位),如如TiO2-y,WO2-y等,等,若缺陷反应充分,则有:若缺陷反应充分,则有:如如BaTiO3在还原性气氛条件下烧结:在还原性气氛条件下烧结:e 为多子,为多子,n型半导体型半导体正离子填隙非化学计量化合物正离子填隙非化学计量化合物M1+yX充分反应充分反应 如:如:Zn1+yO在一定条件下以在一定条件下以 Zni 缺陷为主时,呈缺陷为主时,呈n型半导体型半导体负离子填隙非化学计量化合物负离子填隙非化学计量化合物MX1+y充分反应充分反应如如VO1+y,UO2+y在在一一定定条条件件下下,氧氧过过量量缺缺陷陷为为主主,呈呈p型型半半导体导体电子与空穴复合
7、电子与空穴复合三用质量作用定律表述缺陷浓度 质质量量作作用用定定律律在在一一定定温温度度下下,化化学学反反应应达达到到平平衡衡时时,正正反反两两方方面面参参加加反反应应的的组组元元浓浓度度乘乘积积之之比比保保持持为为常数常数:如:如:aA+bBcC+dD平衡常数平衡常数 将质量作用定律应用于缺陷反应式时,用将质量作用定律应用于缺陷反应式时,用 表示某表示某种缺陷的浓度,用种缺陷的浓度,用n、p分别表示电子、空穴的浓度,分别表示电子、空穴的浓度,气体的分压表示该气体的浓度。气体的分压表示该气体的浓度。如如:或 应用示例:应用示例:1)掺杂对电导的影响:掺杂对电导的影响:通常通常NiO为具有为具有
8、Ni缺位的非化学计量氧化物,缺位的非化学计量氧化物,p型半导体型半导体在在NiO中掺杂微量的中掺杂微量的Li+,Na+,K+等一价金属离子等一价金属离子可见,掺可见,掺Li+后,空穴浓度后,空穴浓度p要增大,要增大,NiO的电导率上升。的电导率上升。若在若在NiO中掺杂微量中掺杂微量Fe3+,Cr3+等三价金属离子。等三价金属离子。可见,掺入可见,掺入Fe3+后,电子浓度补偿了空穴浓度,后,电子浓度补偿了空穴浓度,使使NiO电导率下降。电导率下降。2)气氛对电导的影响:由上例气氛对电导的影响:由上例 根据电中性条件:根据电中性条件:因而因而代入上式:代入上式:得得:又因空穴电导率又因空穴电导率
9、 q-电电子子电电量量,p-空空穴迁移率穴迁移率 表明:表明:NiO的电导率随烧结或热处理过程中的氧分压的电导率随烧结或热处理过程中的氧分压的增加的增加按按1/6次方的指数规律增加。次方的指数规律增加。可从此关系反证可从此关系反证缺陷属何种类,进而推知导电机构。缺陷属何种类,进而推知导电机构。四.固溶体的概念及其分类 n n固固固固溶溶溶溶体体体体固固固固态态态态条条条条件件件件下下下下,一一一一种种种种组组组组分分分分内内内内溶溶溶溶解解解解了了了了其其其其它它它它组组组组分而形成的单一、均匀的晶态固体。分而形成的单一、均匀的晶态固体。分而形成的单一、均匀的晶态固体。分而形成的单一、均匀的晶
10、态固体。如:红宝石:如:红宝石:如:红宝石:如:红宝石:-AlAl2 2OO3 3+0.52%Cr+0.52%Cr2 2OO3 3(纯纯纯纯 -AlAl2 2OO3 3白宝石)白宝石)白宝石)白宝石)结构中结构中结构中结构中CrCr3+3+的存在能产生受激辐射,固体激光材料的存在能产生受激辐射,固体激光材料的存在能产生受激辐射,固体激光材料的存在能产生受激辐射,固体激光材料 n n固固固固溶溶溶溶体体体体中中中中不不不不同同同同组组组组分分分分的的的的结结结结构构构构基基基基元元元元是是是是以以以以原原原原子子子子尺尺尺尺度度度度混混混混合合合合的的的的,这种混合是以不破坏主晶相结构为前提的。
11、这种混合是以不破坏主晶相结构为前提的。这种混合是以不破坏主晶相结构为前提的。这种混合是以不破坏主晶相结构为前提的。n n组分间的固溶:晶体的生长过程组分间的固溶:晶体的生长过程组分间的固溶:晶体的生长过程组分间的固溶:晶体的生长过程溶液中结晶时溶液中结晶时溶液中结晶时溶液中结晶时烧结过程原子扩散烧结过程原子扩散烧结过程原子扩散烧结过程原子扩散n n固溶体与一般化合物有本质区别:固溶体与一般化合物有本质区别:固溶体与一般化合物有本质区别:固溶体与一般化合物有本质区别:化化化化合合合合物物物物A AmmB Bn n:A A、B B之之之之间间间间按按按按确确确确定定定定的的的的克克克克分分分分子子
12、子子比比比比例例例例m:nm:n化化化化合合合合,晶晶晶晶体体体体结结结结构构构构固固固固有有有有既既既既不不不不同同同同于于于于A A,亦亦亦亦不不不不同于同于同于同于B B 固溶体:固溶体:固溶体:固溶体:A A、B B之间并不存在确定的克分子之间并不存在确定的克分子之间并不存在确定的克分子之间并不存在确定的克分子比,可以在一定范围内波动,其结构与主比,可以在一定范围内波动,其结构与主比,可以在一定范围内波动,其结构与主比,可以在一定范围内波动,其结构与主晶体结构一致。晶体结构一致。晶体结构一致。晶体结构一致。固溶体分类 一一一一、溶溶溶溶质质质质原原原原子子子子在在在在溶溶溶溶剂剂剂剂晶
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 电子陶瓷 材料 复习 课程
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内