电性量测对半导体双量子点的影响.ppt

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1、电性量测对半导体双量子点的影响 Still waters run deep.流静水深流静水深,人静心深人静心深 Where there is life,there is hope。有生命必有希望。有生命必有希望Outlinea.Zeno謬論：b.原子光學的量測c.半導體電性的量測1.介紹2.理論模型與計算方法b.Master Equationa.模型(Hamiltonian)3.分析與討論4.結論025m由傳統時變薛丁格方程式可以推導，在t時刻，粒子被發現停留在初態的機率是 對於 t 的情況下,系統表現對數的衰減 相反的,在初始態中，求得:利用量測也說明了薛丁格方程對短時間預期結果(不存在正比

2、t的關係)所以世界上存在著Zeno效應,而且確實可以經由量測改變自發性衰減率2.Model與方法-6 1mResult and Discussion-4 05mResult and Discussion-3 05mResult and Discussion-1 1m圖一：上，一個由Fujisawa與 Tarucha利用閘極規範的單量子傳輸器(SET)。在AlGaAs/GaAs超晶格接合面下處100nm自然形成二維電子氣，將閘極(GL，GC，GR)加入負電壓，最大調控電壓落差在0.1meV。下，物理空間中的雙量子點俯視圖。首先，電子經由窄通道(80nm)連接來源端與接收端，黑色線表金屬閘，彼此寬

3、約40nm。在左邊規範的量子點約15顆電子而右邊約25顆電子。左端充電的能量約4meV與1meV(Science Oct.1998 V282)Introduction-4 025m圖二，左在低溫23mK時測到的電流隨電壓差()的變化。測到的電流來源有二，一個是屬於沒有聲子擾動下的彈性電流(虛線)，另一個是聲子擾動下的非彈性電流(點實線)。紅圈點的地方說明了電流在以為橫軸的分布中，不對稱的原因(寬且震盪)源自聲子的自發性放射。下比較躍遷到接收端的衰減率與雙量子點耦合強度對電流的影響。Introduction-5 025m1.量測行為是屬於一個更大系綜下的一個交互作用項,理論上,倘若量測的刺激是很

4、非常密集的，極端如量子力學的projection，這個沒有反應時間誤差的計算將等同於動態理論wide band近似。一般，拿金屬導線(wide-band)當作量測裝置時，計算上的結果與量子力學的projection預測大致相同.2.可證明,連續不斷的量測對系統演化的貢獻等同於一個Lorentzian性質的sincx(取樣函數)分布的擾動因子，又稱為量測因子,其量測率為傳統費米黃金率決定(常數躍遷率)3.這裡,我們的研究精神是利用一組可實現的半導體元件來類比量測因子的行為,間接建構一個-在受到連續不斷的量測(projection)下,自發性衰減率(由電子與聲子交互作用形成)遭受改變的證明.4.一個量子點與金屬導線的組合等效於一組以同調電壓為中心位置，幅寬為量測頻率，狀態密度為Lorentz的偵測器，我們稱之為Zeno-like偵測器。所以，當雙量子點系統聯接到一組金屬導線時並使其量測頻率遠大於同調電壓，量測頻率的增加將使系統趨於局域化；相反的，如果量測頻率遠小於同調電壓，這時候的量測頻率將會加速系統 反應，也就是去局域效應。我們可經由低維元件的量測來控制系統的自發性衰減率.4.結論1.5m