现代传感技术与系统.ppt
《现代传感技术与系统.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《现代传感技术与系统.ppt(65页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、 第第5 5章章 光电式传感器光电式传感器v5.1 5.1 光电传感器概述光电传感器概述v5.2 5.2 常用光源常用光源v5.3 5.3 光电效应及光电元件光电效应及光电元件 v5.4 5.4 光电编码器光电编码器v5.5 5.5 光栅传感器光栅传感器5.1 5.1 光电传感器概述光电传感器概述v5.1.1 5.1.1 光电式传感器的组成原理光电式传感器的组成原理v5.1.2 5.1.2 特点及应用特点及应用v5.1.35.1.3 光电式传感器的一般形式光电式传感器的一般形式5.1.1 5.1.1 光电式传感器的组成原理光电式传感器的组成原理工作原理工作原理:系统组成:系统组成:光源光源光通
2、路光通路光电元件光电元件测量电路测量电路光光光光电电电电y被测量被测量x1被测量被测量x2 光光 敏感元件敏感元件 电电敏感元件:光电元件敏感元件:光电元件光电效应光电效应外光电效应外光电效应内光电效应内光电效应测量方式:测量方式:改变光源:改变光源:改变光路:改变光路:方式:方式:特点:特点:应用:应用:非接触、响应快、性能可靠、精度高非接触、响应快、性能可靠、精度高 光光 光学量:光强、光照度、辐射、气体成分、光学量:光强、光照度、辐射、气体成分、几何量:形状、尺寸、位移、距离、表面粗糙度、形位误差几何量:形状、尺寸、位移、距离、表面粗糙度、形位误差 力学量:应变、速度、加速度、振动、流量
3、、密度力学量:应变、速度、加速度、振动、流量、密度 生生化量:离子浓度、荧光、电泳、染色体、分子标记、化量:离子浓度、荧光、电泳、染色体、分子标记、5.1.2 5.1.2 特点及应用特点及应用5.1.35.1.3 光电式传感器的一般形式光电式传感器的一般形式透射式:光透射式:光被测物被测物光电元件(透射)光电元件(透射)测量透明、半透明固体透明度、测量透明、半透明固体透明度、液体混浊度、气体浓度;液体混浊度、气体浓度;1.模拟式光电传感器模拟式光电传感器 反射式:光反射式:光被测物被测物光电元件(反射)光电元件(反射)测量物体表面反射率、粗糙度、测量物体表面反射率、粗糙度、距离、位置、振动;距
4、离、位置、振动;遮光式:光遮光式:光被测物被测物光电元件(部分遮光)光电元件(部分遮光)测量物体位移、振动、速度;测量物体位移、振动、速度;辐射式:被测物辐射式:被测物光光 光电元件,辐射强度光电元件,辐射强度 测量辐射温度、放射线;测量辐射温度、放射线;5.1.35.1.3 光电式传感器的一般形式光电式传感器的一般形式转速传感器转速传感器透射式:透射式:2.脉冲式光电传感器脉冲式光电传感器 反射式:反射式:转速传感器转速传感器光源光源 码盘光电元件码盘光电元件转速越高转速越高 脉冲频率越高脉冲频率越高码盘转动遮光透光脉冲码盘转动遮光透光脉冲频闪式:频闪式:5.2 5.2 常用光源常用光源v5
5、.2.1 5.2.1 对光源的要求对光源的要求v5.2.2 5.2.2 热辐射光源热辐射光源v5.2.3 5.2.3 气体放电光源气体放电光源v5.2.4 5.2.4 发光二极管发光二极管(LED)(LED)v5.2.5 5.2.5 激光光源激光光源5.2.1 5.2.1 对光源的要求对光源的要求紫外紫外 可见光可见光 红外红外照度要求:足够亮度、光通量,保证信噪比和灵敏度照度要求:足够亮度、光通量,保证信噪比和灵敏度 均匀要求:视场亮度均匀、无阴影,避免测量误差均匀要求:视场亮度均匀、无阴影,避免测量误差 光谱要求:光波频率、波长光谱要求:光波频率、波长:投影要求:控制光的方向、透射、反射、
6、散射投影要求:控制光的方向、透射、反射、散射 发热要求:热光源、冷光源,减小发热对测量结果的影响发热要求:热光源、冷光源,减小发热对测量结果的影响 全光谱全光谱波长:波长:10-1410-1210-1010-810-610-410-21mcmmm m mnm 可见光可见光380 400500600700780nm紫400蓝435橙605红685黄575绿525青470紫外光紫外光红外光红外光可见光:可见光:380nm 780nm红外光:红外光:780nm 1m紫外光:紫外光:1nm 380nm5.2.2 5.2.2 热辐射光源热辐射光源器件:白炽灯器件:白炽灯-钨丝(钨丝(1879年,爱迪生)
7、年,爱迪生)特点:特点:应用:可见光源应用:可见光源-宽光谱宽光谱(滤色片(滤色片 窄带光谱,避免杂光干扰窄带光谱,避免杂光干扰 仪器)仪器)原理:高温物体原理:高温物体 光辐射,温度高光辐射,温度高 辐射能大辐射能大卤钨灯卤钨灯-钨丝钨丝+卤素(碘),卤素(碘),卤素卤素+内壁钨内壁钨 卤化钨卤化钨 受热受热 分解分解 钨钨 沉积到钨丝沉积到钨丝谱线丰富,可见光谱线丰富,可见光+红外光,峰值在近红外区红外光,峰值在近红外区 发热大,发热大,80%能量转化为热能,能量转化为热能,热光源热光源寿命短(寿命短(1000小时),易碎,电压高,有危险小时),易碎,电压高,有危险近红外光源近红外光源-红
8、外检测红外检测发光效率低,发光效率低,15%在可见光,在可见光,+惰性气体惰性气体 提高寿命提高寿命5.2.3 5.2.3 气体放电光源气体放电光源原理:气体分子激发原理:气体分子激发 放电放电 发光发光器件:器件:弧光灯弧光灯-碳弧灯碳弧灯特点:特点:效率高,省电效率高,省电应用:强光、色温要求接近日光应用:强光、色温要求接近日光荧光灯荧光灯-气体放电气体放电+荧光粉,波长更长荧光粉,波长更长日光灯:光谱接近日光日光灯:光谱接近日光节能灯:压缩荧光灯,节能灯:压缩荧光灯,钠弧灯钠弧灯氙弧灯氙弧灯水银弧灯水银弧灯(汞灯汞灯)金卤灯金卤灯功率大,光色接近日光,紫外线丰富功率大,光色接近日光,紫外
9、线丰富有辐射,废弃物有汞污染、易碎有辐射,废弃物有汞污染、易碎频率低,对人眼有损害,频率低,对人眼有损害,5.2.4 5.2.4 发光二极管发光二极管(LED)(LED)原理:半导体,电致发光,原理:半导体,电致发光,器件:器件:特点:体积小,可平面封装,固体光源,无辐射,绿色光源特点:体积小,可平面封装,固体光源,无辐射,绿色光源应用:仪器光源、室内照明、应用:仪器光源、室内照明、单色单色LED:红色、绿色、黄色、:红色、绿色、黄色、橙色、蓝色橙色、蓝色 白色白色LED:2001,美国波士顿大学光学研究中心美国波士顿大学光学研究中心应用:指示灯、背光源应用:指示灯、背光源光谱丰富光谱丰富-(
10、篮(篮+黄)黄)/(篮(篮+绿绿+红)红)亮度高亮度高-荧光灯荧光灯5倍,白炽灯的倍,白炽灯的25倍倍功耗低(白炽灯功耗低(白炽灯1/8,荧光灯,荧光灯1/2)、发热少)、发热少寿命长(寿命长(10万小时,是荧光灯的万小时,是荧光灯的10倍倍 )、耐振动、耐振动 响应快(毫秒级响应快(毫秒级)、供电电压低、易于数字控制)、供电电压低、易于数字控制 价格较白炽灯贵,功率低,亮度小,价格较白炽灯贵,功率低,亮度小,5.2.5 5.2.5 激光光源激光光源原理:原理:特点:特点:外界光外界光 光原子光原子 能级跃迁能级跃迁 受激辐射受激辐射 光放大光放大谐振谐振辐射激光辐射激光方向性好方向性好-发散
11、角很小发散角很小(约约0.18),比普通光小,比普通光小23数量数量亮度高亮度高-能量高度集中,亮度比普通光高几百万倍能量高度集中,亮度比普通光高几百万倍单色性好单色性好-光谱范围极小,频率单一;光谱范围极小,频率单一;(He-Ne激光激光:=632.8nm,=10-6nm)相干性好相干性好-受激辐射,传播方向受激辐射,传播方向/振动方向振动方向/频率频率/相位一致相位一致 时间相干性、空间相干性均好时间相干性、空间相干性均好LASER:Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation “受激辐射放大产生的光受激辐射放大产生的光”5
12、.2.5 5.2.5 激光光源激光光源固体激光器:体积小,坚固,功率高固体激光器:体积小,坚固,功率高气体激光器:小巧、单色性好、能连续工作、功率小;气体激光器:小巧、单色性好、能连续工作、功率小;高光束质量、高稳定性、长寿命、低噪音、经济;高光束质量、高稳定性、长寿命、低噪音、经济;红外固体激光器红外固体激光器绿色固体激光器绿色固体激光器红宝石固体激光器红宝石固体激光器He-Ne激光器激光器He-Cd激光器激光器He-Cd激光器(制冷)激光器(制冷)半导体激光器:效率高、体积小、重量轻、结构简单、功率小、非线性半导体激光器:效率高、体积小、重量轻、结构简单、功率小、非线性 蓝色蓝色/紫色激光
13、紫色激光红色激光红色激光近红外小功率近红外小功率染料激光器染料激光器离子激光器离子激光器蓝色激光器蓝色激光器5.2.5 5.2.5 激光光源激光光源5.3 5.3 光电效应及光电元件光电效应及光电元件 v5.3.1 5.3.1 外光电效应及其器件外光电效应及其器件 v5.3.2 5.3.2 内光电效应及器件内光电效应及器件 5.3.1 5.3.1 外光电效应及其器件外光电效应及其器件1.外光电效应外光电效应特点:速度快特点:速度快-从光照射到释放电子时间不超过从光照射到释放电子时间不超过10-9秒。秒。原理:光原理:光 金属物体表面金属物体表面 电子获得光子的能量电子获得光子的能量应用:足够的
14、光强,高速光电开关应用:足够的光强,高速光电开关 光子能量光子能量 表面溢出功表面溢出功 电子逸出表面电子逸出表面 光电子发射光电子发射 需足够光能需足够光能-光子能量光子能量 表面溢出功表面溢出功频率下限频率下限f0-当当 f 材料禁带宽度材料禁带宽度5.3.2 5.3.2 内光电效应及其器件内光电效应及其器件1.光电导效应及器件光电导效应及器件 器件:光敏电阻器件:光敏电阻原理:光原理:光 半导体半导体 电子电子-空穴对空穴对 导电性导电性 电阻电阻原理:半导体电阻器件,加直流偏压,无极性原理:半导体电阻器件,加直流偏压,无极性 无光照无光照-电子电子-空穴对很少空穴对很少-电阻大电阻大(
15、暗电阻暗电阻)有光照有光照-电子电子-空穴对增多空穴对增多-导电性增强导电性增强 特点:灵敏度高,体积小,重量轻,性能稳定;特点:灵敏度高,体积小,重量轻,性能稳定;批量生产,价格便宜批量生产,价格便宜;材料:半导体材料:半导体-硫化镉硫化镉CdS、硒化镉硒化镉CdSe;5.3.2 5.3.2 内光电效应及其器件内光电效应及其器件应用:工业自动化应用:工业自动化-开关元件,快速响应开关元件,快速响应 家电家电-(感应式节能灯:判断照度感应式节能灯:判断照度)特性:特性:光谱特性光谱特性:动态特性动态特性:为非线性,为非线性,不易作线性检测元件不易作线性检测元件存在单峰,存在单峰,应与光源光谱匹
16、配应与光源光谱匹配 动态特性较好,动态特性较好,响应时间响应时间0.1S0.001S结构:梳妆电极结构:梳妆电极:金属封装:金属封装:防潮防潮光照特性:光照特性:5.3.2 5.3.2 内光电效应及其器件内光电效应及其器件2.光生伏特效应及器件光生伏特效应及器件 原理:原理:光光 PN结(无偏置)结(无偏置)电子迁移电子迁移 电子电子 N,空穴空穴 P 电势电势 器件:光敏二极管(器件:光敏二极管(PD)光敏三极管(光敏三极管(PT)光电池(硅、锗)光电池(硅、锗)PIN光电二极管光电二极管 雪崩光电二极管雪崩光电二极管 光可控硅光可控硅 阵列式光电器件阵列式光电器件 象限式光电器件象限式光电
17、器件 位置敏感探测器(位置敏感探测器(PSD)光电耦合器件(光电耦合器件(CCDCCD)5.3.2 5.3.2 内光电效应及其器件内光电效应及其器件(1)光敏二极管(光电二极管光敏二极管(光电二极管,PD:Photo-Diode)原理:原理:PN结结 PN光照特性光照特性:应用:线性转换元件,开关元件,应用:线性转换元件,开关元件,特性:特性:光谱特性光谱特性:无光时无光时-高阻特性,微弱电流高阻特性,微弱电流暗暗电流,电流,A 光照时光照时-电子电子N,空穴空穴P 光电流光电流 光照愈强光照愈强-光电流愈大光电流愈大注意:注意:a)电路连接同一般二极管,电路连接同一般二极管,输出电流小,一般
18、为数微安到数十微安输出电流小,一般为数微安到数十微安 b)入射光角度限制入射光角度限制 动态特性动态特性:单峰性单峰性动态特性好动态特性好灵敏度和线性好,灵敏度和线性好,5.3.2 5.3.2 内光电效应及其器件内光电效应及其器件(2)光敏三极管(光电三极管光敏三极管(光电三极管,PT:Photo-Triode)原理:光敏二极管(原理:光敏二极管(bc结)结)+三极管三极管特点:光照特性特点:光照特性-灵敏度高于光敏二极管,灵敏度高于光敏二极管,非线性,不如光电二极管。非线性,不如光电二极管。应用:开关元件:应用:开关元件:光谱特性光谱特性-单峰性单峰性光电鼠标接收器、打印机打印头位置传感器、
19、光电鼠标接收器、打印机打印头位置传感器、光电耦合器、车速传感器、红外遥控器、光电耦合器、车速传感器、红外遥控器、注意:注意:a)电路连接电路连接:b)入射光角度限制入射光角度限制 5.3.2 5.3.2 内光电效应及其器件内光电效应及其器件连接方式:连接方式:(a)开路电压输出开路电压输出:(b)短路电流输出短路电流输出:特性特性:光照特性光照特性-开路电压输出:非线性开路电压输出:非线性(电压电压-光强光强),灵敏度高,灵敏度高 短路电流输出:线性好短路电流输出:线性好(电流电流-光强光强),灵敏度低,灵敏度低 应用:宇航飞行仪器,仪表电源,便携仪表应用:宇航飞行仪器,仪表电源,便携仪表(计
20、算器计算器)-开关测量(开路电压输出),线性检测(短路电流输出)开关测量(开路电压输出),线性检测(短路电流输出)特点:有源器件,无污染,轻便、简单、特点:有源器件,无污染,轻便、简单、动态特性好(硅),动态特性好(硅),工作于可见光波段工作于可见光波段-太阳能电池太阳能电池(3)光电池光电池 原理:原理:光光 PN结(无偏置)结(无偏置)电子迁移电子迁移 电子电子 N,空穴空穴 P 电动势电动势 光谱特性光谱特性-硅电池:硅电池:0.51.2m(红红-红外红外),峰值,峰值0.8 m(近红外近红外)锗电池:锗电池:0.30.7m(紫紫-红红),峰值,峰值0.5 m(绿绿)5.3.2 5.3.
21、2 内光电效应及其器件内光电效应及其器件(4)PIN结光电二极管(结光电二极管(PIN-PD)结构:结构:PN+I I-高电阻率的本征半导体(厚)高电阻率的本征半导体(厚)PN结双电层的间距加宽,结电容变小结双电层的间距加宽,结电容变小 特点:特点:频带宽,可达频带宽,可达10GHz,响应速度快,响应速度快,灵敏度高,灵敏度高,线性输出范围宽,线性输出范围宽,线性好线性好 输出电流小(数微安),电阻很大输出电流小(数微安),电阻很大应用:用于光通讯,光测量应用:用于光通讯,光测量5.3.2 5.3.2 内光电效应及其器件内光电效应及其器件(5)雪崩光电二极管雪崩光电二极管 雪崩效应:雪崩效应:
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 现代 传感 技术 系统
限制150内