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1、教学目的和要求教学目的和要求 本本章章介介绍绍了了半半导导体体存存储储器器典典型型RAMRAM和和ROMROM主主要要引引脚脚、基基本本特特性性、应应用用特特点点。典典型型RAMRAM和和ROMROM的的应应用用分分析析,存存储储器器与与微微处处理理器器连连接接的的电电路路设设计计。要要求求了了解解和和掌掌握握典典型型RAMRAM和和ROMROM特特点点、存存储储器器RAMRAM、EPROMEPROM和和E E2 2PROMPROM的的扩扩展展电电路路的的设设计。计。存储器存储器 内容提要内容提要 半导体存储器概述半导体存储器概述 半导体存储器芯片半导体存储器芯片 半导体存储器的应用半导体存储
2、器的应用存储器存储器半导体存储器概述半导体存储器概述v半导体存储器的分类半导体存储器的分类半导体存储器概述半导体存储器概述v 半导体存储器的结构半导体存储器的结构 半半导导体体存存储储器器由由主主存存储储体体,地地址址译译码码驱驱动动电电路路、读读/写放大、时序控制四部分组成。写放大、时序控制四部分组成。半导体存储器概述半导体存储器概述 主存储体主存储体 存存储储体体是是半半导导体体存存储储器器中中的的核核心心部部分分,存存储储体体由由大大量量的的存存储储单单元元组组成成。存存储储单单元元是是存存储储器器中中最最小小的的可可寻寻址址的的单单位位,CPUCPU对对存存储储器器的的访访问问就就是是
3、对对某某个个存存储储单单元元进进行行读读/写写操操作作。存存储储器器地地址址线线位位数数N,N,存存储储单单元元数数为为K K,它它们们之之间间的的关关系为系为K=2K=2N N。地址译码驱动电路地址译码驱动电路 地地址址译译码码器器驱驱动动电电路路用用来来对对地地址址码码进进行行译译码码,带带有有一一定驱动能力,作为地址单元选择线。定驱动能力,作为地址单元选择线。半导体存储器概述半导体存储器概述 读读/写放大电路写放大电路 读读写写放放大大电电路路包包括括读读/写写放放大大器器和和数数据据寄寄存存器器(三三态态双向缓冲器),是数据信息输入双向缓冲器),是数据信息输入/输出通道。输出通道。时序
4、控制电路时序控制电路 时时序序控控制制电电路路的的作作用用是是控控制制对对存存储储体体的的访访问问以以及及读读写写放放大大电电路路中中数数据据信信息息的的流流向向,时时序序控控制制电电路路所所需需的的控控制制线线包括读,写或者读包括读,写或者读/写命令线。写命令线。半导体存储器概述半导体存储器概述v 半导体存储器的主要性能指标半导体存储器的主要性能指标 衡量存储器性能指标主要有三点:衡量存储器性能指标主要有三点:容量、速度、价格容量、速度、价格。存储器容量存储器容量 存存储储器器的的容容量量是是指指一一个个存存储储器器中中单单元元总总数数,用用字字或或字字节节数数表表示示。也也可可以以用用二二
5、进进制制位位(bitbit)来来表表示示。如如64K64K字字=64K16=64K16位,位,512KB512KB(B B表示字节)表示字节)=512K8=512K8位。位。另另外外除除了了上上述述表表示示容容量量的的单单位位B B、KBKB以以外外,还还采采用用MBMB、GBGB、TBTB等。其中等。其中1KB=21KB=21010B B,1MB=21MB=22020B B,1GB=21GB=23030B B,1TB=21TB=24040B B。半导体存储器概述半导体存储器概述 存取速度存取速度 存存储储器器的的存存取取速速度度常常用用存存储储器器的的存存取取时时间间(Memory Memo
6、ry Access Access TimeTime)和和存存储储周周期期表表示示,是是指指访访问问(读读/写写)一一次次存存储储器器所所需需要要的的时时间间。采采用用MOSMOS工工艺艺的的存存储储器器,存存取取周周期期数数为为数数十十至至数数百百nSnS,而而双双极极性性型型RAMRAM存存取取周周期期最最快快可可达达10nS10nS以下。以下。价格价格 性性能能价价格格比比是是衡衡量量存存储储器器的的重重要要指指标标,常常以以每每位位价价格格来来描描述述,若若S S位位存存储储器器容容量量的的总总价价格格为为C C,则则每每位位价价格格P=C/SP=C/S。半导体存储器芯片半导体存储器芯片
7、本节分三个层次介绍存储器芯片本节分三个层次介绍存储器芯片v 存储器与存储器与CPUCPU总线相关信号线。总线相关信号线。v 常用各种芯片外特性。常用各种芯片外特性。v 常用各种芯片与常用各种芯片与CPUCPU的连接方式。的连接方式。半导体存储器芯片半导体存储器芯片v半导体存储器与半导体存储器与CPUCPU总线相关的信号线总线相关的信号线 所有存储器器件与所有存储器器件与CPUCPU总线相关信号线一般包三种:总线相关信号线一般包三种:地址线、数据线、控制线。地址线、数据线、控制线。半导体存储器芯片半导体存储器芯片地址线(地址线(A An n A A0 0)地址线地址线A An nA A0 0用来
8、输入选择存储器中的一个存储单元用来输入选择存储器中的一个存储单元的地址信号,的地址信号,A An n为最高位(为最高位(MSBMSB),),A A0 0为最低有效位为最低有效位(LSB),(LSB),下标下标n n总比地址引脚数少总比地址引脚数少1,1,存储器芯片的存储单元数取决存储器芯片的存储单元数取决于地址线的位数。于地址线的位数。数据线(数据线(D D7 7 D D0 0)存储器件都有一组可以进行输出(存储器件都有一组可以进行输出(ROMROM)或输入或输入/输出输出(RAMRAM)的数据总线的数据总线(D(D7 7D D0 0),其中其中D D7 7为最高位(为最高位(MSBMSB),
9、),D D0 0为最低位(为最低位(LSBLSB)。)。用于存(写)用于存(写)/取(读)数据。取(读)数据。半导体存储器芯片半导体存储器芯片控制线控制线ROMROM控制线控制线 ROMROM芯片提供两个控制输入信号;芯片允许芯片提供两个控制输入信号;芯片允许 CE CE ,输出允许输出允许 OEOE。CE=1 CE=1 使该芯片处于低功耗备用模式;使该芯片处于低功耗备用模式;CE=0 CE=0 该芯片被选中,使该芯片被选中,使D D7 7 D D0 0 处于允许状态;处于允许状态;OE=1 OE=1 输出被禁止,输出被禁止,D D7 7 D D0 0 处于高阻;处于高阻;OE=0 OE=0
10、允许允许D D7 7 D D0 0 正常输出。正常输出。由此可见,使由此可见,使ROMROM能有效地操作必须使能有效地操作必须使 CECE=OE=0=OE=0。半导体存储器芯片半导体存储器芯片 SRAMSRAM控制线控制线 静态静态RAMRAM(SRAMSRAM)芯片提供三个控制输入信号;芯片芯片提供三个控制输入信号;芯片允许允许CECE,输出允许输出允许OEOE,写允许写允许WRWR。无论对无论对SRAMSRAM进行读或写进行读或写数据时,必须使数据时,必须使CE=0CE=0。向向SRAMSRAM写数据时,写数据时,WR=0WR=0,CE=0CE=0,OE=1OE=1,将,将D D7 7 D
11、 D0 0配置配置为输入,实现对存储器写操作。为输入,实现对存储器写操作。向向SRAMSRAM读出数据时,读出数据时,WR=1WR=1,CE=0CE=0,OE=0OE=0,将,将D D7 7 D D0 0配配置为输出,实现对存储器读操作。置为输出,实现对存储器读操作。注意:注意:WR=OE=0 WR=OE=0 不能存在。不能存在。WR=OE=1 WR=OE=1 数据线处于高阻抗状态,即不能读数据线处于高阻抗状态,即不能读/不不能写。能写。半导体存储器芯片半导体存储器芯片DRAMDRAM控制信号控制信号 动态动态RAMRAM(DRAMDRAM)提供两个控制信号:提供两个控制信号:CECE(RAS
12、RAS,CAS CAS),WR,WR DRAM DRAM和和SRAMSRAM主要差别在于容量大,存储器信息是依靠主要差别在于容量大,存储器信息是依靠电容来保持,因此电容来保持,因此2mS2mS4mS4mS之后必须对其刷新一次(即若之后必须对其刷新一次(即若对对641641的的DRAMDRAM,每隔每隔4mS4mS完成完成256256次读操作),需加定时次读操作),需加定时刷新电路。由于容量大,引脚不够,采用两路复用锁存方刷新电路。由于容量大,引脚不够,采用两路复用锁存方式。用行地址、列地址(式。用行地址、列地址(RAS RAS,CAS CAS)选通信号进行控选通信号进行控制两组地址输入,正是这
13、两个问题决定制两组地址输入,正是这两个问题决定DRAMDRAM接口比较复杂。接口比较复杂。DRAMDRAM芯片控制信号没有专门的芯片控制信号没有专门的CECE片选线,用片选线,用RASRAS,CASCAS兼作片选线,只设置一条读兼作片选线,只设置一条读/写控制信号写控制信号WRWR,WR=0WR=0是是为为写允许,写允许,WR=1WR=1是为读允许。是为读允许。半导体存储器芯片半导体存储器芯片IRAM IRAM 控制信号控制信号 IRAMIRAM是近几年出现的一种新型是近几年出现的一种新型DRAMDRAM芯片。该芯片将动芯片。该芯片将动态刷新逻辑和地址多路复用逻辑集成于原态刷新逻辑和地址多路复
14、用逻辑集成于原DRAMDRAM芯片内部,芯片内部,使之从外部特性看很像使之从外部特性看很像SRAMSRAM,其三条控制信号为:芯片允其三条控制信号为:芯片允许许CECE,输出允许输出允许OEOE,写允许写允许WRWR。半导体存储器芯片半导体存储器芯片v 半导体存储器芯片外特性半导体存储器芯片外特性 所谓存储器芯片外特性是指与所谓存储器芯片外特性是指与CPUCPU总线相关的信号线。总线相关的信号线。ROMROM芯片外特性芯片外特性半导体存储器芯片半导体存储器芯片EPROMEPROM的外特性的外特性常用常用EPROMEPROM型号型号 当前有大量的标准当前有大量的标准EPROMEPROM集成电路(
15、集成电路(ICIC)器件可供器件可供选择使用,但用于比较广泛的是较典型的选择使用,但用于比较广泛的是较典型的IntelIntel公司的公司的EPROMEPROM芯片。芯片。半导体存储器芯片半导体存储器芯片常用常用EPROMEPROM引脚引脚 27162716,27322732均均为为2424脚脚双双列列直直插插式式封封装装,276427642751227512为为2828脚双列直插式封装。脚双列直插式封装。半导体存储器芯片半导体存储器芯片EPROMEPROM的读时序的读时序 以以2725627256为例,介绍为例,介绍EPROMEPROM的结构框图和读时序波形的结构框图和读时序波形图。图。27
16、25627256由由2828引脚,容量为引脚,容量为256Kb256Kb,地址线地址线1515位位(A(A1414 A A0 0),),具有地址锁存功能,数据输出线具有地址锁存功能,数据输出线8 8条条D D7 7 D D0 0 。半导体存储器芯片半导体存储器芯片半导体存储器芯片半导体存储器芯片 E E2 2PROMPROM的外特性的外特性 E E2 2PROMPROM是是一一种种在在线线电电擦擦除除的的只只读读存存储储器器。整整个个芯芯片片只只需需+5V+5V电电源源V VCCCC供供电电。目目前前用用的的最最多多仍仍然然是是IntelIntel公公司司的的产产品品如如28162816,28
17、172817,28642864等。等。常用常用E E2 2PROMPROM引脚引脚 28162816和和28172817均为均为2KB2KB容量,每个字节可以在线循环擦容量,每个字节可以在线循环擦写写10001000次,每次写入数据可以支持次,每次写入数据可以支持1010年以上。读取数据速年以上。读取数据速度度200nS200nS400nS400nS。半导体存储器芯片半导体存储器芯片半导体存储器芯片半导体存储器芯片E E2 2PROM 2817PROM 2817的工作方式的工作方式半导体存储器芯片半导体存储器芯片E E2 2PROMPROM与与CPUCPU的连接方法的连接方法半导体存储器芯片半
18、导体存储器芯片 RAMRAM的外特性的外特性 目前广泛运用的目前广泛运用的RAMRAM有两种:有两种:SRAMSRAM和和DRAMDRAM。SRAMSRAM中数据一旦写入,只要不关电源,数据一直保持有效;中数据一旦写入,只要不关电源,数据一直保持有效;DRAMDRAM为了保持其中的数据,必须定时对存储器刷新,电路为了保持其中的数据,必须定时对存储器刷新,电路比较复杂。比较复杂。常用常用SRAMSRAM型号与引脚型号与引脚 当当前前可可以以运运用用的的SRAMSRAM类类型型很很多多,他他们们之之间间的的主主要要区区别别在于密度和组成结构不同。在于密度和组成结构不同。我我 们们 常常 用用 的的
19、 标标 准准 SRAMSRAM芯芯 片片 有有:62166216(2KB2KB)、62326232(4KB4KB)、62646264(8KB8KB)、6212862128(16KB16KB)、6225662256(32KB32KB)等。等。半导体存储器芯片半导体存储器芯片半导体存储器芯片半导体存储器芯片 SRAMSRAM读读/写时序写时序半导体存储器芯片半导体存储器芯片 SRAMSRAM与与CPUCPU的连接的连接半导体存储器的应用半导体存储器的应用 目前,目前,CPUCPU的种类比较繁多,而不同种类的的种类比较繁多,而不同种类的CPUCPU和存和存储器的连接方法多少有所不同。储器的连接方法多
20、少有所不同。本节主要介绍半导体存储器在本节主要介绍半导体存储器在8088 CPU8088 CPU系统中的应系统中的应用。用。8088 CPU8088 CPU有有2020条地址线,所以可以寻址的物理空间条地址线,所以可以寻址的物理空间为为1M1M字节,其线性地址范围为字节,其线性地址范围为00000H00000H0FFFFFH0FFFFFH。有。有8 8条条数据线。数据线。半导体存储器的应用半导体存储器的应用 半导体存储器电路的分析方法半导体存储器电路的分析方法 所谓所谓半导体存储器电路的分析半导体存储器电路的分析是指对一个给定的存是指对一个给定的存储器电路,通过分析找出该存储器电路中各个存储器
21、芯储器电路,通过分析找出该存储器电路中各个存储器芯片在该片在该CPUCPU系统中所处的地址范围。系统中所处的地址范围。通常采用的方法通常采用的方法是从各个存储器芯片所需要的控制是从各个存储器芯片所需要的控制线、地址线到线、地址线到CPUCPU提供的控制线、地址线逐级写出逻辑函提供的控制线、地址线逐级写出逻辑函数式,最后得到各个存储器芯片的输入信号和数式,最后得到各个存储器芯片的输入信号和CPUCPU提供的提供的信号的逻辑关系式,从而确定各个存储器芯片在该信号的逻辑关系式,从而确定各个存储器芯片在该CPUCPU系系统中所处的地址范围。统中所处的地址范围。半导体存储器的应用半导体存储器的应用【例例
22、5-15-1】指指出出图图中中27642764和和62646264的的地地址址范范围围,并并编编程程对对62646264清零。清零。半导体存储器的应用半导体存储器的应用 由图可知由图可知,2764,2764的的CECE接接80888088的的CPUCPU的的A A19 19;2764;2764的的A A0 0A A12 12 接地址总线的接地址总线的A A0 0A A1212;OE=RD;OE=RDIO/M(IO/M(或运算或运算)。RDRD和和IO/MIO/M由由8088 CPU8088 CPU提供。提供。27642764的的D D0 0D D7 7接数据总线的接数据总线的D D0 0D D
23、7 7。8088 CPU8088 CPU要想能够对要想能够对27642764进行操作,必须满足如下条件:进行操作,必须满足如下条件:OE=0OE=0,即,即RDRD和和IO/MIO/M必须同时为必须同时为0 0,也就是,也就是8088 CPU8088 CPU必必须执行对存储器读操作。例如须执行对存储器读操作。例如 MOV ALMOV AL,BX BX 指令。指令。CE=0CE=0,即,即A A1919=0=0。A A1212A A0 0可以从可以从0000H0000H1FFFH1FFFH。半导体存储器的应用半导体存储器的应用 从以上条件可以得出,从以上条件可以得出,27642764的地址范围为
24、:的地址范围为:首单元地址首单元地址:A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0尾单元地址尾单元地址:A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A
25、19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 (可以是低电平,也可以是高电平)。可以是低电平,也可以是高电平)。半导体存储器的应用半导体存储器的应用 由由于于A18A18A13A13可可以以是是低低电电平平,也也可可以以是是高高电电平平,因因此此27642764的的地地址址可可以以由由6464种种不不同同的的地地址址范范围围。这这也也就就是是说说在在存存储储器器应应用用中中利利用用线线选选片片
26、选选法法可可以以简简化化硬硬件件电电路路,但但存存储储器器的范围不是唯一的,浪费了存储空间。的范围不是唯一的,浪费了存储空间。例如例如 00000H00000H01FFFH01FFFH,02000H02000H03FFFH03FFFH,04000H04000H05FFFH05FFFH,06000H06000H07FFFH07FFFH等等都都是是27642764的的地址范围。地址范围。半导体存储器的应用半导体存储器的应用 同同27642764一样,由图可知,一样,由图可知,8088 CPU8088 CPU的的A A1919经过非门接经过非门接62646264的的CE;OE=RDCE;OE=RDI
27、O/MIO/M(或运算或运算);WE=WRWE=WRIO/MIO/M 。地地址线和数据线连接同址线和数据线连接同27642764。WRWR、RDRD和和IO/MIO/M由由8088 CPU8088 CPU提供提供.。8088 CPU8088 CPU要想能够对要想能够对62646264进行操作进行操作,必须满足如下条件:必须满足如下条件:OE=0OE=0,即,即RDRD和和IO/MIO/M必须同时为必须同时为0 0,也就是,也就是8088 CPU8088 CPU必须执行对存储器读操作。例如必须执行对存储器读操作。例如 MOV ALMOV AL,BX BX 指令。指令。或或WE=0WE=0,即,即
28、WRWR和和IO/MIO/M必须同时为必须同时为0 0,也就是,也就是8088 CPU8088 CPU必必须执行对存储器写操作。例如须执行对存储器写操作。例如 MOV BXMOV BX,AL AL 指令。指令。CE=0CE=0,即,即A A1919=1=1。A A1212A A0 0可以从可以从0000H0000H1FFFH1FFFH。半导体存储器的应用半导体存储器的应用从上条件可以得出,从上条件可以得出,62646264的地址范围为:的地址范围为:首单元地址首单元地址:A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A
29、2 A1 A0A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A01 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 01 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0尾单元地址尾单元地址:A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A01 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
30、 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 (可以是低电平,也可以是高电平)。可以是低电平,也可以是高电平)。半导体存储器的应用半导体存储器的应用 由由于于A18A18A13A13可可以以是是低低电电平平,也也可可以以是是高高电电平平,因因此此62646264的地址可以由的地址可以由6464种不同的地址范围。种不同的地址范围。例如例如 80000H80000H81FFFH81FFFH,82000H82000H83FFFH83FFFH,84000H84000H85FFFH85FFFH,86000H86000H87FFFH87FFFH等等都都是是62646264的地址范围
31、。的地址范围。假设我们选用假设我们选用62646264的地址范围为的地址范围为80000H80000H81FFFH81FFFH。62646264的单元个数为的单元个数为8K8K,即即1FFFH1FFFH个。由个。由62646264地址范围为地址范围为80000H80000H81FFFH81FFFH,不妨设其段地址为,不妨设其段地址为8000H8000H,那么,那么62646264首首地址的偏移地址为地址的偏移地址为0000H0000H,尾地址的偏移地址为,尾地址的偏移地址为1FFFH1FFFH。半导体存储器的应用半导体存储器的应用对存储器清对存储器清0 0编程如下:编程如下:MOV AXMOV
32、 AX,8000H 8000H ;62646264首地址的段地址首地址的段地址 MOV DSMOV DS,AX AX ;把段地址存入数据段寄存器把段地址存入数据段寄存器 MOV CXMOV CX,1FFFH 1FFFH ;62646264的单元个数的单元个数 MOV BXMOV BX,0000H 0000H ;62646264首地址的偏移地址首地址的偏移地址 MOV ALMOV AL,00H 00H ;对累加器清零对累加器清零LOOP1LOOP1:MOV BXMOV BX,AL AL;把把0 0存储到存储器单元中存储到存储器单元中 INC BX INC BX ;存储器指针加存储器指针加1 1
33、LOOP LOOP1 LOOP LOOP1 ;循环循环1FFFH1FFFH次次半导体存储器的应用半导体存储器的应用【例例5-25-2】指指出出图图中中27642764和和62646264的的地地址址范范围围,并并编编程程把把27642764中的内容对应搬移到中的内容对应搬移到62646264中。中。半导体存储器的应用半导体存储器的应用 由图可知,由图可知,27642764的的CECE接接74LS13874LS138的的Y Y0 0;2764;2764的的A A0 0A A12 12 接地址总线的接地址总线的A A0 0A A1212;2764;2764的的D D0 0D D7 7接数据总线的接
34、数据总线的D D0 0D D7 7。OE=RDOE=RDIO/M(IO/M(或运算或运算)。62646264的的CECE接接74LS13874LS138的的Y Y7 7;6264;6264的的A A0 0A A12 12 接数据总线的接数据总线的A A0 0A A1212;6264;6264的的D D0 0D D7 7接数据总线的接数据总线的D D0 0D D7 7。OE=RDOE=RDIO/M(IO/M(或运算或运算);WE=WR WE=WR IO/MIO/M。WRWR、RD RD 和和IO/MIO/M由由8088 CPU8088 CPU提供。提供。8088 CPU8088 CPU要想能够对
35、要想能够对27642764进行操作,必须满足如下条件:进行操作,必须满足如下条件:OE=0OE=0,即,即RDRD和和IO/MIO/M必须同时为必须同时为0 0,也就是,也就是8088CPU8088CPU必须必须执行对存储器读操作。例如执行对存储器读操作。例如 MOV ALMOV AL,BXBX指令。指令。CE=0CE=0,即,即Y Y0 0=0=0。半导体存储器的应用半导体存储器的应用 A A1212A A0 0可以为可以为0000H0000H1FFFH1FFFH。8088 CPU8088 CPU要想能够对要想能够对62646264进行操作,必须满足如下条件:进行操作,必须满足如下条件:OE
36、=0OE=0,即,即RDRD和和IO/MIO/M必须同时为必须同时为0 0,也就是,也就是8088 CPU8088 CPU必须必须执行对存储器读操作。例如执行对存储器读操作。例如 MOV ALMOV AL,BX BX 指令。或指令。或WE=0WE=0,即,即WRWR和和IO/MIO/M必须同时为必须同时为0 0,也就是,也就是8088 CPU8088 CPU必须执必须执行对存储器写操作。例如行对存储器写操作。例如 MOV BXMOV BX,ALAL指令。指令。CE=0CE=0,即,即Y Y7 7=0=0。A A1212A A0 0可以从可以从0000H0000H1FFFH1FFFH。本例采用译
37、码片选法。本例采用译码片选法。根据根据74LS13874LS138的逻辑关系知道:的逻辑关系知道:Y Y0 0=0=0,必须必须A=B=C=0A=B=C=0,G G2A2A=G=G2B2B=0=0,G1=1G1=1。Y Y7 7 =0=0,必须必须A=B=C=1A=B=C=1,G G2A2A=G=G2B2B=0=0,G1=1G1=1。半导体存储器的应用半导体存储器的应用从上条件可以得出,从上条件可以得出,27642764的地址范围为:的地址范围为:首单元地址首单元地址:A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2
38、 A1 A0 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0尾单元地址尾单元地址:A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2
39、 A1 A01.1.1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 12.2.十六进制表示为:十六进制表示为:C0000HC0000HC1FFFHC1FFFH。半导体存储器的应用半导体存储器的应用62646264的地址范围为:的地址范围为:首单元地址首单元地址:A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8
40、 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 1 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0尾单元地址尾单元地址:A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A01.1.1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
41、1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 12.2.十六进制表示为:十六进制表示为:CE000HCE000HCFFFFHCFFFFH。半导体存储器的应用半导体存储器的应用 不妨设段地址为不妨设段地址为C000HC000H,那么那么27642764首地址的偏移地址首地址的偏移地址为为0000H0000H,尾地址的偏移地址为尾地址的偏移地址为1FFFH1FFFH,62646264首地址的偏首地址的偏移地址为移地址为E000HE000H,尾地址的偏移地址为尾地址的偏移地址为FFFFHFFFFH。把把27642764中的内容对应搬移到中的内容对应搬移到62646264中编
42、程如下:中编程如下:MOV AXMOV AX,C000HC000H MOV DS MOV DS,AXAX MOV SI MOV SI,0000H0000H MOV DI MOV DI,E000HE000H MOV CX MOV CX,1FFFH1FFFHLOOP1LOOP1:MOV ALMOV AL,SISI MOV DI MOV DI,ALAL INC SI INC SI INC DI INC DI LOOP LOOP1 LOOP LOOP1半导体存储器的应用半导体存储器的应用v半导体存储器在计算机系统中的设计方法半导体存储器在计算机系统中的设计方法 设设计计方方法法是是指指根根据据给给出出
43、的的实实际际计计算算机机系系统统要要求求,求求出出实实现现这这一一要要求求的的最最简简单单的的存存储储器器接接口口电电路路。这这里里所所说说的的“最最简简单单”是是指指所所用用的的器器件件数数最最少少,器器件件的的种种类类最最少少,器器件件之间的连线最少,而且所选用的器件资源较为广泛。之间的连线最少,而且所选用的器件资源较为广泛。半导体存储器的应用半导体存储器的应用 设计方法通常按如下步骤进行:设计方法通常按如下步骤进行:根据计算机系统要求选择存储器芯片。根据计算机系统要求选择存储器芯片。根据存储器芯片和计算机系统情况,确定存储器在计根据存储器芯片和计算机系统情况,确定存储器在计 算机系统中空
44、间范围。算机系统中空间范围。根根据据存存储储器器地地址址范范围围设设计计存存储储器器接接口口电电路路逻逻辑辑关关系系式。式。选定接口器件的类型。选定接口器件的类型。根据器件类型变换逻辑表达式。根据器件类型变换逻辑表达式。根据变换后的接口逻辑表达式设计接口电路。根据变换后的接口逻辑表达式设计接口电路。半导体存储器的应用半导体存储器的应用【例例5-35-3】为为8088 8088 CPUCPU的的微微机机系系统统设设计计一一个个24KB24KB容容量量的的存存储储器器,要要求求EPROMEPROM为为16KB16KB,从从00000H00000H开开始始,RAMRAM为为8KB8KB,从从0C00
45、0H0C000H开开始始。然然后后编编程程实实现现把把两两片片EPROMEPROM对对应应单单元元中中内内容容相或,结果存入相或,结果存入RAMRAM对应的单元中。对应的单元中。为了简化接口设计,我们最好选用相同容量、相同字为了简化接口设计,我们最好选用相同容量、相同字长的长的EPROMEPROM和和SRAMSRAM芯片来组织该存储器。比如,不妨以芯片来组织该存储器。比如,不妨以27642764作为作为EPROMEPROM芯片,以芯片,以62646264作为作为SRAMSRAM芯片,它们都是芯片,它们都是8K88K8位的芯片。这样根据要求共需要位的芯片。这样根据要求共需要2 2片片276427
46、64和和1 1片片62646264。半导体存储器的应用半导体存储器的应用半导体存储器的应用半导体存储器的应用 不不妨妨设设段段地地址址为为0000H0000H,那那么么27642764(1 1)首首地地址址的的偏偏移移地地址址为为0000H0000H,尾尾地地址址的的偏偏移移地地址址为为1FFFH1FFFH,27642764(2 2)首首地地址址的的偏偏移移地地址址为为2000H2000H,尾尾地地址址的的偏偏移移地地址址为为3FFFH3FFFH,62646264首首地地址址的的偏偏移移地地址址为为C000HC000H,尾尾地地址址的的偏偏移移地地址址为为DFFFHDFFFH。把把两两片片27
47、642764对对应应单单元元中中内内容容相相或或,结结果果存存入入62646264对应的单元中。对应的单元中。半导体存储器的应用半导体存储器的应用编程如下:编程如下:MOV AXMOV AX,0000H 0000H ;对数据段寄存器赋值对数据段寄存器赋值 MOV DSMOV DS,AXAX MOV BX MOV BX,0000H 0000H;27642764(1 1)指针指针 MOV SIMOV SI,2000H 2000H;27642764(2 2)指针指针 MOV DIMOV DI,C000H C000H;62646264指针指针 MOV CXMOV CX,1FFFH 1FFFH;循环次数循环次数LOOP1LOOP1:MOV ALMOV AL,BXBX;取数取数 OR ALOR AL,SI SI ;运算运算 MOV DIMOV DI,AL AL ;存数存数 INC BX INC BX ;修改指针修改指针 INC SI INC SI ;修改指针修改指针 INC DIINC DI ;修改指针修改指针 LOOP LOOP1 LOOP LOOP1 ;循环循环 The end The end
限制150内